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公开(公告)号：KR100292682B1
公开(公告)日：2001-07-12
申请号：KR1019970045605
申请日：1997-09-03
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/02
Abstract: PURPOSE: An electrostatic heat junction method of a semiconductor substrate is provided to adhere one silicon substrate to the other silicon substrate or one silicon substrate to a glass substrate under a low temperature and a low voltage by using an electron beam deposition device having a high depositing speed. CONSTITUTION: A power supply portion(2) is used for applying a supply voltage to an N type silicon substrate(1) and a silicon substrate(2) including a glass film. A heating portion(4) is used for heating the silicon substrate(2) including the glass film according to a control operation of a thermal control portion(5). The N type silicon substrate(1) and the silicon substrate(2) including the glass film are adhered to each other by applying the voltage and the heat the N type silicon substrate(1) and the silicon substrate(2) including the glass film.
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公开(公告)号：KR1019990024485A
公开(公告)日：1999-04-06
申请号：KR1019970045605
申请日：1997-09-03
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/02
Abstract: 본 발명은 반도체 기판의 정전 열 접합방법에 관한 것으로, 종래 반도체 기판의 정전 열 접합방법은 스퍼터링을 이용하여 유리박막을 증착시키는데 상당한 시간이 걸려 실제 제품생산에 이용하는데는 한계가 있는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 유리와 산화막을 혼합하여 증착의 소스를 제조하는 단계와; 상기 증착의 소스를 사용하는 전자선 증착기를 이용해 실리콘기판위에 유리박막을 증착하는 단계와; 상기 유리박막이 증착된 실리콘기판과 실리콘기판에 일정시간동안 소정의 전압 및 기판온도를 인가하여 실리콘기판과 유리박막이 증착된 실리콘기판을 접합시키는 단계로 이루어져 전자선 증착기를 사용하여 유리박막의 증착속도를 증가시킴으로써, 실제 제품의 제조효율을 증가시키는 효과와 아울러 특정한 가스분위기를 사용하지 않게 됨으로써 증착의 소스와 실제 증착되는 유리박막의 특성이 동일하여 제품의 신뢰도를 향상시키는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019990065189A
公开(公告)日：1999-08-05
申请号：KR1019980000367
申请日：1998-01-09
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 유리 기판들쌍의 정전 열 접합에 관한 것으로, 종래의 에폭시(epoxy) 또는 프릿(frit)등을 사용한 유리 기판들 사이의 접합시에 발생하는 가스에 의한 소자의 오염 및 진공실장의 어려움 등을 해결하기 위한 것이다.
본 발명에 의한 유리 기판들 사이의 접합방법은 정전 열 접합의 기본 기본 개념인 실리콘-유리 접합 메카니즘을 이용하여 전극이 증착된 한 쪽 유리판위에 실리콘 박막을 증착시킨 후, 두 기판을 맞닿게 하여 일정한 온도에서 직류전압을 인가함으로써 유리-유리 접합을 수행한다. 이러한 실리콘 박막을 이용한 유리-유리 접합은 200∼400℃범위의 접합온도에서 200∼400V 범위의 직류전압을 인가하여 유리 표면과 실리콘 박막표면 사이에서의 원자결합을 통하여 이루어지므로써, 접합강도나 진공실장등에 있어서 향상된 특성을 지니는 접합이 이루어질 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019990054929A
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019970074807
申请日：1997-12-26
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 고진공 장치 내에서의 유리기판 사이의 접합을 이용한 전계방출표시소자의 진공 실장(Vacuum Packaging)에 관한 것으로, 종래의 배기용 관을 사용하는 경우에 발생하는 여러 가지 문제점, 즉, 봉입시 발생하는 미세한 가스에 의해서도 패널 내부의 진공도가 크게 영향을 받게 되며, 또한 배기용 관의 일부가 전계방출표시소자에 남아 패널의 두께가 두꺼워지게 되고, 관의 길이와 구멍 크기에 의해서 가스 배기가 방해를 받는 등의 문제점을 해결하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 의한 전계방출표시소자 진공실장(Vacuum Packaging) 장치 및 방법은 배기를 할 수 있는 구멍이 미리 형성되어 있는 전계방출표시소자를 고진공 장치 내부에 장착하고, 고온 배기를 통해 전계방출표시소자 패널 내부의 가스분자를 모두 배기한 후, 유리 기판 조각을 전계방출표시소자의 구멍에 맞닿게 하고 일정한 온도에서 직류 전압을 인가하여 유리-유리 접합을 수행하므로써, 전계방출표시소자의 진공 실장이 이루어진다.
이로써, 전계방출표시소자의 진공실장이 용이하게 달성될 수 있고, 소자 패널 사이의 진공도가 향상되는 등 우수한 특성의 전계방출표시소자를 제공할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019990025164A
公开(公告)日：1999-04-06
申请号：KR1019970046678
申请日：1997-09-11
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/00
Abstract: 본 발명은 반도체 기판의 정전 열 접합방법에 관한 것으로, 종래 반도체 기판의 정전 열 접합방법은 높은 온도와 높은 전압이 요구되어 제조비용이 증가할 뿐만 아니라 접합 강도가 낮고, 기판에 코닝 #7740유리를 스퍼터를 사용하여 증착함으로써, 기판에 손상을 줄 뿐만 아니라 공정시간도 지연되는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 반도체 기판을 세척하는 제 1세척단계와; 세척된 반도체 기판에 실리콘 산화물과 금속 산화물을 혼합한 혼합물을 증착하는 증착단계와; 상기 혼합물이 증착된 반도체 기판을 세척하는 제 2세척단계와; 상기 혼합물이 증착된 반도체 기판과 일반 반도체 기판에 열과 전압을 인가하여 접합시키는 접합단계로 이루어져 전자선 증착법으로 금속 산화물과 실리콘 산화물의 혼합물을 반도체 기판 위에 증착하여 두 반도체 기판의 접합시 중간층으로 이용함으로써, 공정시간을 단축하고, 낮은 온도 및 전압에서 공정하여 제조비용을 절감하며, 소자의 응용시 적당한 강한 접합강도를 얻을 수 있는 효과가 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100286252B1
公开(公告)日：2001-04-16
申请号：KR1019970046678
申请日：1997-09-11
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/00
Abstract: PURPOSE: A electrostatic thermal junction formation method of a semiconductor substrate is provided to short a junction process time and reduce a cost of a products by deposing a mixed compound of a metal oxide and a silicon oxide on the substrate to use as an intermediate layer for connecting both of semiconductor substrates. CONSTITUTION: A semiconductor substrate is cleaned by a cleaning process. A mixed compound of a metal oxide and a silicon oxide is deposited on the cleaned substrate. A substrate having the mixed compound is cleaned. The substrate having the mixed compound is applied by a temperature of 10-500 °C and a general semiconductor substrate is applied by a voltage of 10-400 V and both substrate is connected. Acetone, methanol, or deionized water are used for the cleaning process. The deposition process of the mixed compounds of the metal oxide and a silicon oxide is performed by using an electron beam deposition method.
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公开(公告)号：KR100270611B1
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019970046677
申请日：1997-09-11
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/00
Abstract: PURPOSE: A method for electrostatic thermal bonding is provided to obtain reduction of manufacturing cost, stability and reliability of the product by bonding a semiconductor substrate and a glass substrate after a hydrophilic treatment. CONSTITUTION: A glass substrate and a semiconductor substrate are cleaned by immersing the same in a hydrophilic solution for a few minutes. The hydrophilic solution is provided by mixing ammonia, peroxide and deionized water with one another in a ratio of 4:1:6 and annealing the mixed solution in a range of from 45deg.C to 100deg.C. The hydrophilic-treated glass substrate and semiconductor substrate are dried in the next step. The dried substrates are firstly bonded directly each other. The directly bonded substrates are finally bonded by applying a voltage ranging from 200V to 700V and a temperature ranging from 200deg.C to 500deg.C.
Abstract translation: 目的：提供一种用于静电热粘合的方法，以在亲水处理之后通过粘合半导体衬底和玻璃衬底来降低制造成本，稳定性和可靠性。 构成：将玻璃基板和半导体基板浸渍在亲水性溶液中清洗几分钟。 通过将氨，过氧化物和去离子水以4:1:6的比例混合并将混合溶液在45℃至100℃范围内退火而提供亲水性溶液。 亲水处理的玻璃基板和半导体基板在下一步骤中干燥。 干燥的基材首先直接接合。 通过施加200V〜700V的电压和200〜500℃的温度，直接键合的基板最终结合。
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公开(公告)号：KR100279053B1
公开(公告)日：2001-02-01
申请号：KR1019980000367
申请日：1998-01-09
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 유리 기판들쌍의 정전 열 접합에 관한 것으로, 종래의 에폭시(epoxy) 또는 프릿(frit)등을 사용한 유리 기판들 사이의 접합시에 발생하는 가스에 의한 소자의 오염 및 진공실장의 어려움 등을 해결하기 위한 것이다.
본 발명에 의한 유리 기판들 사이의 접합방법은 정전 열 접합의 기본 기본 개념인 실리콘-유리 접합 메카니즘을 이용하여 전극이 증착된 한 쪽 유리판위에 실리콘 박막을 증착시킨 후, 두 기판을 맞닿게 하여 일정한 온도에서 직류전압을 인가함으로써 유리-유리 접합을 수행한다. 이러한 실리콘 박막을 이용한 유리-유리 접합은 200∼400℃범위의 접합온도에서 200∼400V 범위의 직류전압을 인가하여 유리 표면과 실리콘 박막표면 사이에서의 원자결합을 통하여 이루어지므로써, 접합강도나 진공실장등에 있어서 향상된 특성을 지니는 접합이 이루어질 수 있다.-
公开(公告)号：KR100255129B1
公开(公告)日：2000-05-01
申请号：KR1019970074807
申请日：1997-12-26
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: A vacuum packaging apparatus is provided to easily package a field emission display by performing an inter-glass junction after exhausting gas molecule in a panel and making a glass substrate piece and a hole of the display be in contact. CONSTITUTION: A vacuum chamber(1) is used to maintain a vacuum, and a vacuum pump(3) is used to exhaust a high vacuum. An interconnection tube(2) interconnects the vacuum chamber(1) and the vacuum pump(3). Heating devices(6,7) heats a glass substrate piece to be connected with a field emission display. Temperature sensors(8,9) sense a substrate temperature. A direct current voltage supplying device(13) is supplied with substrate temperature information from the temperature sensors(8,9) and applies a direct current voltage to temperature adjusting devices(4,5) and the glass substrate piece. A fixing table(10) fixes the field emission display, and a glass substrate piece fixing table(11) is used to mount the glass substrate piece. A support(12) drives the glass substrate piece fixing table(11) upward and downward.
Abstract translation: 目的：提供一种真空包装装置，用于通过在排出面板中的气体分子并使玻璃基板和显示器的孔接触之后执行玻璃间接合来容易地封装场致发射显示。 构成：真空室（1）用于保持真空，并使用真空泵（3）排出高真空。 互连管（2）将真空室（1）和真空泵（3）相互连接。 加热装置（6,7）加热与场致发射显示器连接的玻璃基片。 温度传感器（8,9）检测基板温度。 从温度传感器（8,9）向直流电压供给装置（13）提供基板温度信息，并向温度调节装置（4,5）和玻璃基板部件施加直流电压。 固定台（10）固定场致发射显示器，玻璃基板固定台（11）用于安装玻璃基片。 支撑件（12）向上和向下驱动玻璃基板固定台（11）。
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公开(公告)号：KR1019990025163A
公开(公告)日：1999-04-06
申请号：KR1019970046677
申请日：1997-09-11
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/00
Abstract: 본 발명은 반도체기판의 정전 열 접합방법에 관한 것으로, 종래 반도체기판의 정전 열 접합방법은 높은 온도와 고전압을 인가하여 제조비용이 증가하고, 접합면적이 국부적이고 접합강도에 있어서도 제품의 응용에는 불안정한 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 유리기판과 반도체기판을 세척하는 기판세척단계와; 상기 두 기판을 소정온도로 가열된 친수화용액에 수 분 동안 두어 친수화처리 하는 친수화 처리단계와; 상기 친수화 처리단계를 통해 친수화된 두 기판을 건조하는 건조단계와; 상기 건조된 기판을 직접접합하는 초기 직접접합단계와; 상기 직접접합된 기판을 오븐에 넣고 건조시키는 오븐건조단계와; 상기 직접접합된 기판에 소정의 전압과 열을 인가하여 정전 열 접합시키는 정전 열 접합단계로 이루어져 반도체기판과 유리기판을 친수화처리한 후 접합하여 종래 보다 낮은 온도 및 전압조건에서 강한 접합력과 넓은 접합 면적을 갖도록 함으로써, 제조비용의 절감과 아울러 제품의 안정성 및 신뢰도를 향상시키는 효과가 있다.
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