公开(公告)号：KR1020150106476A

公开(公告)日：2015-09-22

申请号：KR1020140028229

申请日：2014-03-11

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 신민철 ,  이재현 ,  정효은 ,  이태경 ,  한명준

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/336 ,  H01L21/31 ,  H01L41/297

CPC classification number: H01L29/772 ,  H01L21/31 ,  H01L21/326 ,  H01L29/78 ,  H01L29/82

Abstract: 금속 절연체 전이를 이용한 트랜지스터 및 이를 제조하는 방법이 개시된다.
서로 다른 물질이 적층된 기판; 상기 기판의 양 측에 형성되는 소스와 드레인; 및 상기 기판의 상단에 형성되며 압전 물질(Piezoelectric Material)로 이루어지는 게이트를 포함한다.

Abstract translation: 公开了使用金属绝缘体转变的晶体管及其制造方法。 晶体管包括：在其上堆叠不同材料的衬底; 源极和漏极，形成在基板的两侧; 以及形成在基板的上侧并由压电材料制成的栅极。

公开(公告)号：KR101621604B1

公开(公告)日：2016-05-17

申请号：KR1020140028229

申请日：2014-03-11

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 신민철 ,  이재현 ,  정효은 ,  이태경 ,  한명준

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/336 ,  H01L21/31 ,  H01L41/297

Abstract: 금속절연체전이를이용한트랜지스터및 이를제조하는방법이개시된다. 일실시예에따른트랜지스터는서로다른물질이적층된기판; 상기기판의양 측에형성되는소스와드레인; 및상기기판의상단에형성되며압전물질(Piezoelectric Material)로이루어지는게이트를포함하고, 상기게이트에전기적신호가가해지는경우, 상기압전물질에의해상기기판은변형(Strain)이발생되어상기서로다른절연물질이적층된경계면에금속절연체전이(Metal-Insulator Transition)가발생되고, 상기금속절연체전이에의해채널이형성되어상기소스와상기드레인사이에전류가흐를수 있다.