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公开(公告)号：KR102237970B1
公开(公告)日：2021-04-08
申请号：KR1020190023834A
申请日：2019-02-28
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: G05D1/0246 , B64C39/024 , G05D1/0212 , G05D1/0289 , G05D1/10 , B64C2201/14
Abstract: 본 발명은 영상 처리를 기반으로 한 비행체의 충돌 방지 시스템 및 이를 포함하는 비행체에 대한 것으로, 비행체가 이동하는 방향의 전면 영상을 획득하는 전면영상 입력부가 비행체의 제 1 축에 위치하는 수직 꼬리 날개 위에 설치되고, 전면 영상에서 이동체를 검출하여 추적한 후 회피경로를 생성하는 발명에 대한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020160006846A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：KR1020140086057
申请日：2014-07-09
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H03B15/006 , H01L27/22 , H01L29/1008 , H01L29/66234 , H01L29/66568 , H01L29/66984 , H01L29/735 , H01L29/78 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12 , H03L7/26 , H03B15/00
Abstract: 본발명은트랜지스터와결합하여직접화한고출력스핀발진기에관한것으로서, 스핀발진기는발진기능을하고트랜지스터는스핀발진기의발진신호를입력받아증폭하는기능을하며, FET 또는 BJT상에스핀발진기를집적화하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及与晶体管集成的大功率自旋振荡器。 自旋振荡器执行振荡功能，并且晶体管执行接收和放大自旋振荡器的振荡信号的功能。 自旋振荡器集成在FET或BJT上。
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公开(公告)号：KR1020150106476A
公开(公告)日：2015-09-22
申请号：KR1020140028229
申请日：2014-03-11
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/772 , H01L21/336 , H01L21/31 , H01L41/297
CPC classification number: H01L29/772 , H01L21/31 , H01L21/326 , H01L29/78 , H01L29/82
Abstract: 금속 절연체 전이를 이용한 트랜지스터 및 이를 제조하는 방법이 개시된다.
서로 다른 물질이 적층된 기판; 상기 기판의 양 측에 형성되는 소스와 드레인; 및 상기 기판의 상단에 형성되며 압전 물질(Piezoelectric Material)로 이루어지는 게이트를 포함한다.Abstract translation: 公开了使用金属绝缘体转变的晶体管及其制造方法。 晶体管包括：在其上堆叠不同材料的衬底; 源极和漏极，形成在基板的两侧; 以及形成在基板的上侧并由压电材料制成的栅极。
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公开(公告)号：KR101092949B1
公开(公告)日：2011-12-12
申请号：KR1020100003883
申请日：2010-01-15
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명의제품온톨로지구축장치는제품개발에관한개념들을기초메타속성들로써정의한최상위의메타제품온톨로지(MPO), 제품설계의배경지식들에관한명제들을포함하는제품배경지식온톨로지(PCO), 메타제품온톨로지와제품배경지식온톨로지의명제들로부터생성된확장성마크업언어(XML) 스키마및 XML-온톨로지변환규칙테이블을포함하는스토리지, 사용자로부터제품의상세데이터를 XML 스키마에기초하여입력받아 XML 제품데이터를생성하는제품데이터입력모듈및 XML 제품데이터를 XML-온톨로지변환규칙에따라제품상세온톨로지(PSO)로변환하는온톨로지변환모듈을포함할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102237970B1
公开(公告)日：2021-04-08
申请号：KR1020190023834
申请日：2019-02-28
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은영상처리를기반으로한 비행체의충돌방지시스템및 이를포함하는비행체에대한것으로, 비행체가이동하는방향의전면영상을획득하는전면영상입력부가비행체의제 1 축에위치하는수직꼬리날개위에설치되고, 전면영상에서이동체를검출하여추적한후 회피경로를생성하는발명에대한것이다.
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公开(公告)号：KR101701145B1
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：KR1020150008700
申请日：2015-01-19
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/8226 , H03K3/59 , H01L27/02
CPC classification number: H03K19/16 , B82Y25/00 , G11C11/16 , H01L29/66984 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H03B15/006 , H03K19/018578
Abstract: 네거티브커패시턴스로직디바이스는제1 전계효과트랜지스터(field effect transistor, 이하 FET) 및제2 FET를포함한다. 상기제1 FET는전원전압과출력노드사이에연결되고, 네거티브커패시턴스를강유전체를구비한다. 상기제2 FET는상기출력노드와접지전압사이에연결되고, 네거티브커패시턴스를갖는강유전체를구비한다. 상기네거티브커패시턴스로직디바이스는입력노드에인가되는입력전압을미분하여상기출력노드로출력전압을제공한다.
Abstract translation: 负电容逻辑器件包括第一场效应晶体管（FET）和第二FET。 第一FET耦合在电源电压和输出节点之间，并且第一FET包括具有负电容的铁电体。 第二FET耦合在输出节点和接地电压之间，第二FET包括具有负电容的铁电体。 负电容逻辑区分施加到输入节点的输入电压以在输出节点处提供输出电压。
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公开(公告)号：KR101695468B1
公开(公告)日：2017-01-13
申请号：KR1020140086057
申请日：2014-07-09
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H03B15/006 , H01L27/22 , H01L29/1008 , H01L29/66234 , H01L29/66568 , H01L29/66984 , H01L29/735 , H01L29/78 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12 , H03L7/26
Abstract: 본발명은트랜지스터와결합하여직접화한고출력스핀발진기에관한것으로서, 스핀발진기는발진기능을하고트랜지스터는스핀발진기의발진신호를입력받아증폭하는기능을하며, FET 또는 BJT상에스핀발진기를집적화하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 示例性实施例涉及通过组合晶体管而被集成的高功率自旋转矩振荡器。 根据示例性实施例的高功率自旋扭矩振荡器可以包括自旋扭矩振荡器和晶体管。 自旋转矩振荡器可以执行振荡功能，并且晶体管可以通过将自旋转矩振荡器和晶体管集成在一个芯片中来执行放大功能。 晶体管可以放大自旋扭矩振荡器的放大信号。 高功率自旋转矩振荡器可以集成在FET或BJT上。
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公开(公告)号：KR1020090022992A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：KR1020070115317
申请日：2007-11-13
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/12
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L21/0337 , H01L21/762 , H01L27/1461
Abstract: An imaging device and the manufacturing method thereof having the vertical channel region are provided to form the second conductive line connected with photo-sensing pattern and to implement the high fill factor. The first conductive trace(310) is formed on the substrate(300). The light detection pattern(327) is formed on the first conductive line. The second conductive line(357) is adjacent to the light detection pattern. The second conductive line is separated from the first conductive line. The connectivity pattern is interposed between the second conductive line and light detection pattern. The connectivity pattern is contacted with the second conductive line and optical sensing pattern. The light detection pattern comprises the lower channel region and the upper channel region.
Abstract translation: 提供具有垂直沟道区域的成像装置及其制造方法，以形成与感光图案相连的第二导线并实现高填充因子。 第一导电迹线（310）形成在基板（300）上。 光检测图案（327）形成在第一导线上。 第二导线（357）与光检测图案相邻。 第二导线与第一导线分离。 连接图案介于第二导线和光检测图案之间。 连接图案与第二导线和光学感测图案接触。 光检测图案包括下通道区域和上通道区域。
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公开(公告)号：KR101880192B1
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：KR1020170046768
申请日：2017-04-11
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036 , G06F2217/78 , G06F17/5009
Abstract: 반도체소자의특성시뮬레이션방법은밀도함수이론(density functional theory; DFT)을이용하여대상반도체소자의원자간상호작용에너지정보를나타내는해밀토니언(Hamiltonian) 및중첩매트릭스를추출하고, 유효에너지영역에내에서의해밀토니언및 중첩매트릭스와에너지-k 관계식에기초하여해당에너지각각에대한블로흐스테이트(Bloch state)들을각각산출하며, 블로흐스테이트들을표현하는매트릭스를직교화(orthonormalization)한변환매트릭스에해밀토니언및 중첩매트릭스를적용하여매트릭스사이즈가줄어든제1 축소해밀토니언및 제1 축소중첩매트릭스를얻는다. 또한, 해밀토니언및 중첩매트릭스에기초하여산출된제1 에너지밴드구조와제1 축소해밀토니언및 제1 축소중첩매트릭스에기초하여산출된제2 에너지밴드구조를비교하여유효에너지영역내에서제2 에너지밴드구조에서제1 에너지밴드구조와대응하지않는에너지밴드인비물리적가지들(unphysical branch)이모두제거된최종변환매트릭스및 최종에너지밴드구조를산출한다.
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