-
1.发明专利
公开(公告)号：KR20210026767A
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：KR1020190108027A
申请日：2019-09-02
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 뉴럴 네트워크를 이용한 플래시 메모리의 읽기 기준 전압 추정 방법 및 그 장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 플래시 메모리 읽기 방법은 플래시 메모리에 대해 미리 설정된 변수 값들을 수신하는 단계; 상기 변수 값들에 대해 미리 학습된 학습 모델의 뉴럴 네트워크를 이용하여 상기 수신된 변수 값들에 대응하는 읽기 기준 전압을 추정하는 단계; 및 상기 추정된 읽기 기준 전압을 이용하여 상기 플래시 메모리를 읽는 단계를 포함하고, 상기 플래시 메모리를 구성하는 개별 칩들 간의 특성 차이를 반영하여 상기 뉴럴 네트워크의 학습 모델을 갱신하는 단계를 더 포함할 수 있다.
-
公开(公告)号：WO2023090471A1
公开(公告)日：2023-05-25
申请号：PCT/KR2021/016863
申请日：2021-11-17
Abstract: 본 방법은 통신 시스템에서 장치가 신호를 전송하는 방법 및 이를 위한 장치에 관한 것으로서, 극 부호에 기반하여, 정보 비트 시퀀스를 제1 부호화된 비트 시퀀스를 생성하는 단계; 부호율에 기반하여, 상기 제1 부호화된 비트 시퀀스를 천공하여 제2 부호화된 비트 시퀀스를 생성하는 단계; 및 상기 제2 부호화된 비트 시퀀스를 전송하는 단계를 포함하고, 상기 제1 부호화된 비트 시퀀스는 제안된 천공 패턴에 기반하여 수행되며, 상기 천공 패턴은 네스티드 특성을 만족하는 방법 및 이를 위한 장치에 관한 것이다.
-
公开(公告)号：KR102247164B1
公开(公告)日：2021-05-03
申请号：KR1020200076226
申请日：2020-06-23
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 채널복호기의동작과결합한플래시메모리읽기방법및 그장치가개시된다. 본발명의일 실시예에따른플래시메모리읽기방법은경판정읽기기준전압을이용한플래시메모리의센싱을통해경판정값(Hard Decision)을생성하는단계; 상기생성된경판정값에대한경판정복호기의동작을통해메모리데이터비트들각각에대한신뢰도를계산하는단계; 상기계산된신뢰도에기초하여재-읽기동작을수행하기위한데이터비트들을선택하는단계; 및상기선택된데이터비트들에대하여, 경판정값의재-읽기동작을수행하는단계를포함한다.
-
-
Search Results
3
records
(took 0.017 seconds)
