Abstract:
뉴럴 네트워크를 이용한 플래시 메모리의 읽기 기준 전압 추정 방법 및 그 장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 플래시 메모리 읽기 방법은 플래시 메모리에 대해 미리 설정된 변수 값들을 수신하는 단계; 상기 변수 값들에 대해 미리 학습된 학습 모델의 뉴럴 네트워크를 이용하여 상기 수신된 변수 값들에 대응하는 읽기 기준 전압을 추정하는 단계; 및 상기 추정된 읽기 기준 전압을 이용하여 상기 플래시 메모리를 읽는 단계를 포함하고, 상기 플래시 메모리를 구성하는 개별 칩들 간의 특성 차이를 반영하여 상기 뉴럴 네트워크의 학습 모델을 갱신하는 단계를 더 포함할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 다차원 격자-RS 연접 부호의 다계층 복호 회로 및 방법, 이를 이용한 플래쉬 메모리 장치를 위한 오류 정정 회로, 및 플래쉬 메모리 장치에 관한 것으로서, 특히 본 발명의 플래쉬 메모리 장치의 오류 정정 회로는 플래쉬 메모리 코어로부터 제공되는 저장 데이터 중 일부를 인가받아 다차원 복조, 비터비 복호, 및 RS 복호를 순차적으로 수행하여 부분격자 선택 데이터를 출력하는 제1 스테이지 복호부; 및 상기 제1 스테이지 복호부의 부분격자 선택 데이터 및 상기 플래쉬 메모리 코어로부터 제공되는 저장 데이터의 나머지를 인가받아 다차원 복조, 및 RS 복호를 순차적으로 수행하여 신호점 선택 데이터를 출력하는 제2차 스테이지 복호부를 포함할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A method and device for modeling a virtual channel for dispersion video compression technique are provided to perform modeling of a virtual channel to coincide a Laplacian distribtuiosn of a channel parameter of a virtual channel with a Laplacian distribution. CONSTITUTION: A difference frame is generated(S100). A 4x4 DCT(Discrete Cosine Transform) conversion about the difference frame is operated(S110). Samples in predetermined reliable section among samples are selected(S120). A sample dispersion based on reliable section area is calculated(S130). A virtual channel parameter is calculated(S140). By modeling a virtual channel by using the virtual channel parameter, optimum probability distribution is obtainer(S150).
Abstract:
PURPOSE: A trellis coded modulation method, a trellis coded modulation circuit, an error correcting circuit, a method for inputting data of a flash memory device and the flash memory device are provided to minimize interference between cells by decreasing an error rate due to an E-PH pattern. CONSTITUTION: A convolutional encoder(11) receives the first input data of k bits among input data of n bits. The k is smaller than the n. The convolutional encoder outputs the encoded input data of k+r bits by adding the surplus data of r bits to the first input data of k bits. An m dimensional modulator(12) rearranges m modulation data on an m dimensional trellis point by receiving the encoded input data of k+r bits and the second input data of the n-k bits except the first input data. The m dimensional modulator stores the m modulation data in m memory cells of a flash memory device by corresponding to the rearranged trellis point.