公开(公告)号：KR1020130072738A

公开(公告)日：2013-07-02

申请号：KR1020110140283

申请日：2011-12-22

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 곽지혜 ,  윤재호 ,  안세진 ,  윤경훈 ,  정성훈 ,  신기식 ,  안승규 ,  조아라 ,  박상현

IPC: H01L31/06 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/06 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a CZTSe group thin film for a solar cell using co-evaporation process and a CZTSe group thin film manufactured by the same are provided to increase energy conversion efficiency, by achieving uniform element distribution. CONSTITUTION: Cu, Zn, Sn and Se are deposited on a substrate. The deposition is performed at a substrate temperature of 450-600°C. The deposition is performed by using co-evaporation. Sn and Se are additionally deposited according to the co-evaporation. The reduced substrate temperature is used for the additional deposition. [Reference numerals] (AA) Temperature (°C); (BB) Time (minute)

Abstract translation: 目的：提供一种使用共蒸发方法制造太阳能电池用CZTSe薄膜的方法和由其制造的CZTSe薄膜组件，以通过实现均匀的元件分布来提高能量转换效率。 构成：将Cu，Zn，Sn和Se沉积在基材上。 在450-600℃的基板温度下进行沉积。 通过共蒸发进行沉积。 根据共蒸发，另外沉积Sn和Se。 降低的衬底温度用于附加沉积。 （标号）（AA）温度（℃）; （BB）时间（分钟）

公开(公告)号：KR1020130016528A

公开(公告)日：2013-02-18

申请号：KR1020110078523

申请日：2011-08-08

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 곽지혜 ,  윤재호 ,  안세진 ,  윤경훈 ,  정성훈 ,  신기식 ,  안승규 ,  조아라 ,  박상현

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0326 ,  Y02E10/50

Abstract: PURPOSE: A method for preparing A CZT(S,Se) thin film and the CZT(S,Se) thin film prepared by the same are provided to prevent the loss of Sn in a process of the CZT(S,Se) thin film. CONSTITUTION: Cu, Zn and Sn are sequentially deposited on a substrate by using a vacuum evaporation process. A CZT precursor thin film is formed by the vacuum evaporation. A selenization process is performed on the CZT precursor thin film. A sulfurization process is performed on the CZT precursor thin film.

Abstract translation: 目的：提供一种制备CZT（S，Se）薄膜及其制备的CZT（S，Se）薄膜的方法，以防止在CZT（S，Se）薄膜的工艺中Sn的损失 。 构成：通过使用真空蒸发法将Cu，Zn和Sn顺序沉积在基板上。 通过真空蒸发形成CZT前体薄膜。 在CZT前驱体薄膜上进行硒化处理。 在CZT前驱体薄膜上进行硫化处理。

公开(公告)号：KR101358055B1

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：KR1020110138361

申请日：2011-12-20

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 곽지혜 ,  윤재호 ,  안세진 ,  윤경훈 ,  정성훈 ,  신기식 ,  안승규 ,  조아라 ,  박상현

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 태양전지용 CZTSe계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CZTSe계 박막이 개시된다. 본 발명의 태양전지용 CZTSe계 박막의 제조방법은, 기판상에 Cu, Zn, Sn 및 Se을 동시진공증발법에 따라 증착하는 단계(단계 a); 박막상에 Cu와 Se을 추가로 증착시키는 Cu-Se 인캡슐레이션 단계(단계 b); 및 박막에 Se을 앞선 단계들보다 높은 온도조건에서 추가 증착하는 단계(단계 c);를 포함한다. 이에 의하면, CZTSe계 박막의 제조공정에 있어서 동시진공증발공정에 Cu-Se 인캡슐레이션 단계를 도입함으로써 박막 내 Sn의 손실 및 상분리를 최소화하여 원소 분포를 균일하게 하고, 궁극적으로 이를 포함한 태양전지의 에너지 변환효율을 높일 수 있다.

公开(公告)号：KR101279370B1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：KR1020110140283

申请日：2011-12-22

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 곽지혜 ,  윤재호 ,  안세진 ,  윤경훈 ,  정성훈 ,  신기식 ,  안승규 ,  조아라 ,  박상현

IPC: H01L31/06 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 태양전지용 CZTSe계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CZTSe계 박막이 개시된다. 본 발명의 CZTSe계 박막의 제조방법은, (S1) Cu, Zn, Sn 및 Se을 동시진공증발법에 따라 기판에 증착하는 단계; 및 (S2) 감소된 기판 온도에서 Sn과 Se을 동시진공증발법에 따라 추가로 증착시키는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 고온의 기판 온도에서 Cu, In, Sn, Se를 동시진공증발법을 이용하여 증착한 후 그보다 낮은 기판 온도에서 Sn과 Se을 추가로 증착함으로써 높은 기판 온도에서의 열처리에 의한 Sn 손실을 최소화하고, 박막 내 원소 분포를 균일하게 하여 궁극적으로 에너지 변환효율이 높은 태양전지용 CZTSe계 박막을 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020130071055A

公开(公告)日：2013-06-28

申请号：KR1020110138361

申请日：2011-12-20

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 곽지혜 ,  윤재호 ,  안세진 ,  윤경훈 ,  정성훈 ,  신기식 ,  안승규 ,  조아라 ,  박상현

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

Abstract: PURPOSE: CZTSe group thin film manufactured by manufacturing method of a CZTSe group and method thereof for a solar cell are provided to uniform element distribution by minimizing loss and phase separation of Sn. CONSTITUTION: Cu, Zn, Sn and Se are deposited on a substrate according to a co-evaporation process. Cu and Se are additionally deposited on the thin film. The additional deposition of Cu and Se is performed at substrate temperature of 150 to 320°C. Se is additionally deposited on the thin film at high temperature condition. The additional deposition of Se is performed at substrate temperature of 400 to 600°C.

Abstract translation: 目的：通过CZTSe组的制造方法制造的CZTSe组薄膜及其太阳能电池的方法通过使Sn的损耗和相分离最小化来提供均匀的元件分布。 构成：根据共蒸发方法将Cu，Zn，Sn和Se沉积在基底上。 Cu和Se另外沉积在薄膜上。 Cu和Se的附加沉积在150至320℃的衬底温度下进行。 Se在高温条件下另外沉积在薄膜上。 Se的附加沉积在400至600℃的衬底温度下进行。