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公开(公告)号：WO2016017846A1
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：PCT/KR2014/007369
申请日：2014-08-08
Applicant: 한국에너지기술연구원
CPC classification number: H02S50/15 , G01R31/2877 , G05D23/1917 , H02S50/00 , H02S50/10
Abstract: 본 발명은 샘플의 광-전자적 측정 시에 샘플의 온도를 제어하는 장치를 개시한다. 본 발명에 의한 샘플의 광-전자적 측정 시에 샘플의 온도를 제어하는 장치는, 측정 대상이 되는 샘플이 고정되는 샘플 스테이지; 공기를 분사하여 상기 샘플을 냉각하는 냉각부; 및 상기 샘플의 온도를 측정하는 온도계를 구비한 온도측정부;를 포함한다. 본 발명은, 공기를 바로 샘플에 분사하거나 혹은 공기를 냉각하여 샘플에 분사하는 직접적인 샘플 온도 제어 방식을 적용함으로써, 측정 대상인 샘플의 온도를 용이하게 조절할 수 있는 효과가 있다.
Abstract translation: 公开了一种当进行样品的光电子测量时用于控制样品的温度的装置。 根据本发明的用于在进行样品的光电子测量时用于控制样品的温度的装置包括：固定有测量样品的样品台; 用于通过喷射空气冷却样品的冷却单元; 以及温度测量单元，其具有用于测量样品的温度的温度计。 本发明具有通过应用直接样品温度控制装置容易地调节待测样品的温度的效果，其中将空气直接喷射到样品上或空气冷却然后喷射到样品上。
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公开(公告)号：WO2015160069A1
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：PCT/KR2014/012549
申请日：2014-12-18
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/054 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/208 , H01L31/032 , H01L31/04 , Y02E10/52
Abstract: 본 발명은 태양전지 투명전극의 제조방법에 있어서, Ib족원소-VIa족원소 이성분계 나노입자 제조단계(s100); 상기 Ib족원소-VIa족원소 이성분계 나노입자에 용매와 바인더 및 Va족원소를 포함하는 용액전구체를 첨가하여 Ib족원소-VIa족원소의 이성분계 나노입자 슬러리를 제조하는 단계(s200): 상기 Ib족원소-VIa족원소의 이성분계 나노입자 슬러리의 분산 및 믹싱단계(s300); 상기 후면전극층(200)위에 상기 Ib족원소-VIa족원소의 이성분계 나노입자 슬러리를 코팅하는 단계(s400); 상기 코팅된 나노입자 슬러리를 VIa족 원소를 공급하면서 열처리하는 단계(s500); 를 포함하는 박막 태양전지의 광흡수층의 제조방법을 제공한다.
Abstract translation: 本发明提供一种太阳能电池用透明电极的制造方法，其特征在于，制备薄膜太阳能电池的光吸收层的方法，其特征在于，包括以下工序：（s100）制备IB族元素的二元纳米粒子 - 一组VIA元素; （s200）通过将IB溶液，粘合剂和VA族元素的溶液前体加入IB族元素-WIA元素的二元纳米颗粒中制备IB族元素-WA族元素的二元纳米颗粒浆料 ; （s300）分散和混合IB族元素-WA族元素的二元纳米颗粒浆料; （s400）在背面电极层（200）上涂覆IB族元素-WIA族元素的二元纳米颗粒浆料; 和（s500）在提供组VIA元件的同时热处理涂覆的纳米颗粒浆料。
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3.发明申请이성분계 나노입자를 포함하는 슬러리의 숙성 단계가 도입된 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막 审中-公开介绍了基于CI（G）S的薄膜制备方法，其中包含二元纳米颗粒的浆料成型工艺和CI（G）S薄膜的制备方法
公开(公告)号：WO2015030275A1
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：PCT/KR2013/007810
申请日：2013-08-30
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/04 , H01L31/0256
CPC classification number: H01L31/0322 , C23C14/5806 , C23C14/5866 , H01L31/03923 , H01L31/18 , Y02E10/541
Abstract: 이성분계 나노입자를 포함하는 슬러리의 숙성 단계가 도입된 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막이 제공된다. 본 발명의 CI(G)S계 박막의 제조방법은, CI(G)S계의 이성분계 나노입자를 제조하는 단계; 상기 이성분계 나노입자, CI(G)S계 원소를 포함하는 용액 전구체, 용매 및 킬레이트제를 혼합하여 하이브리드형 슬러리를 제조하는 단계; 상기 하이브리드형 슬러리를 5일 내지 10일 동안 숙성하는 단계; 숙성된 하이브리드형 슬러리를 코팅하여 CI(G)S계 박막을 형성하는 단계; 및 상기 형성된 CI(G)S박막에 열처리하는 단계를 포함한다.이에 의하여，CI(G)S계 태양전지 박막 제조 시 우수한 재현성 확보가 가능하고，따라서 생산된 박막의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
Abstract translation: 提供了一种用于引入包含二元纳米颗粒的浆料的熟化工艺的CI（G）S基薄膜的制造方法和通过该方法制造的CI（G）S基薄膜。 本发明的CI（G）S薄膜的制造方法包括：制备CI（G）S的二元纳米粒子的步骤; 通过混合二元纳米颗粒，包含CI（G）S基元素的溶液前体，溶剂和螯合剂来生产混合型浆料的步骤; 将混合型浆料熟化5至10天的步骤; 通过涂布成熟的混合型浆料形成CI（G）S基薄膜的步骤; 以及用于热处理形成的CI（G）S薄膜的步骤。 因此，在制造基于CI（G）S的太阳能电池薄膜时可以确保优异的再现性，从而提高制造薄膜的可靠性。
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公开(公告)号：WO2014142401A1
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：PCT/KR2013/007088
申请日：2013-08-06
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L21/02568 , H01L21/02664 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지의 광흡수층으로서의 CI(G)S박막 제조 방법으로 Substrate를 준비하는 단계, 전구체인 CI(G)S계 화합물을 제조하는 단계, 상기 Substrate 상에 상기 전구체인 CI(G)S계 화합물을 코팅하여 CI(G)S계 전구체 박막을 형성하는 단계, 상기 Substrate 상에 형성된 CI(G)S계 전구체 박막을 건조하는 단계, 상기 건조된 CI(G)S계 전구체 박막을 열처리를 통해 셀렌화하여 CI(G)S 박막을 형성하는 단계,상기 형성된 CI(G)S 박막을 나트륨(Na)을 포함한 용액에 침지(Dipping)하여 버퍼(Buffer)층을 증착하는 단계, 상기 버퍼(Buffer)층이 증착된 상기 CI(G)S 박막을 열처리하여 상기 버퍼층 상의 나트륨(Na)이 나트륨 이온(Na+) 상태로 상기 CI(G)S 박막으로 이동하도록 한다. 이를 통해 상기 나트륨 이온(Na+)이 상기 CI(G)S 박막의 결정립의 결함을 줄여주는 것이 가능하며 성능이 항상된 CI(G)S 박막을 제조하여 태양전지의 광흡수층으로 사용 가능하다.
Abstract translation: 一种用于制造作为光伏电池的光吸收层的CI（G）S薄膜的方法，包括以下步骤：制备基板; 制备作为前体的CI（G）S基化合物; 在基板上涂覆前体CI（G）S基化合物，以形成CI（G）S基前体薄膜; 干燥形成在基板上的CI（G）S基前体薄膜; 通过热处理对干燥的CI（G）S基前体薄膜进行硒化，形成CI（G）S薄膜; 将形成的CI（G）S薄膜浸入含有钠（Na）的溶液中以便在其上沉积缓冲层; 对其上沉积有缓冲层的CI（G）S薄膜进行热处理，以使缓冲层上的钠（Na）以钠离子（Na +）状态移动至CI（G）S薄膜。 因此，钠离子（Na +）可以减少CI（G）S薄膜和具有改进性能的CI（G）S薄膜）中的缺陷并用作光吸收层 的光伏电池。
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公开(公告)号：WO2014171760A1
公开(公告)日：2014-10-23
申请号：PCT/KR2014/003352
申请日：2014-04-17
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/06 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0322 , Y02E10/541
Abstract: 본발명은 동시진공증발공정을 기반으로 양질의 CZTSe 광흡수층 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, Cu, Zn, Sn및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는단계 (단계 a);및 상기 기판의 온도를 내리면서, Zn, Sn및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계 (단계 b)를 포함한다. 본 발명은, 고온에서 동시 진공증발공정을 수행하고 기판의 온도를 낮추면서 추가적인 증발공정을 수행함으로써, 고온의 동시진공증발공정에서 수반되는 Sn손실에 따른 문제점을 해결할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명의제조방법으로 형성된 CZTSe 광흡수층은 막질이 뛰어나기 때문에 이를 이용하여 제조된 CZTSe태양전지의 광전변환 효율이향상되는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种基于同时真空蒸发处理制造质量好的CZTSe光吸收薄膜的方法。 该方法包括以下步骤：同时蒸发Cu，Zn，Sn和Se，并在衬底上沉积Cu，Zn，Sn和Se（步骤a）; 同时蒸发Zn，Sn和Se，并在衬底上沉积Zn，Sn和Se，同时降低衬底的温度（步骤b）。 本发明在高温下进行同时真空蒸发处理，并且在降低基板的温度的同时进行附加的蒸发处理，从而具有解决伴随高温同时真空蒸发的Sn的损失引起的问题的效果 处理。 此外，由于通过本发明的制造方法形成的CZTSe光吸收层质量高，所以本发明具有提高使用CZTSe光吸收层制造的CZTSe太阳能电池的光电转换效率的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2014073829A1
公开(公告)日：2014-05-15
申请号：PCT/KR2013/009923
申请日：2013-11-05
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , B05B12/29 , Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 태양전지용 그리드 전극을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 태양전지의 전면전극으로 사용되는 그리드 전극을 형성하는 방법으로서, 전극재료 금속의 분말을 준비하는 단계; 상기 금속 분말을 포함하는 에어로졸을 마스크에 형성된 슬릿에 분사하는 단계를 포함하며, 상기 분사된 에어로졸이 상기 슬릿 내에 형성하는 와류에 의해서 상기 에어로졸에 포함한 금속 분말이 삼각형의 횡단면을 가지는 전극을 형성하는 것을 특징으로 한다. 본 발명은, 종횡비가 0.3이상으로 두꺼우면서도 삼각형의 단면 형상을 갖기 때문에, 단면적의 확장에 따른 전극의 저항은 낮추면서 그리드 전극의 그림자에 의한 효율의 저하를 최소화 할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 그리드 전극의 형성과정에서 저렴한 구리를 사용할 수 있을 뿐만 아니라, 구리분말을 소결하기 위한 별도의 공정이나 장비를 필요로 하지 않으므로, 그리드 전극을 형성하는 공정이 간단하고 비용이 저렴한 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种形成太阳能电池栅格电极的方法，更具体地说，涉及一种形成用作太阳能电池的前电极的栅格电极的方法。 本发明包括以下步骤：制备电极材料金属粉末; 并将含有金属粉末的气溶胶喷雾到形成在掩模中的狭缝中。 根据本发明，包含在气溶胶中的金属粉末形成具有三角形横截面的电极，其使用通过喷雾气溶胶在狭缝中形成的涡流。 本发明具有厚度至少为0.3的纵横比的三角形截面，因此可以降低根据横截面积的膨胀的电极电阻，同时由栅电极阴影引起的效率下降 可以最小化。 此外，根据本发明，在形成栅格电极的工艺中可以使用便宜的铜，并且铜粉末烧结不需要额外的工艺或设备。 因此，可以以较低的成本简化和执行形成栅电极的工艺。
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7.发明申请이중의 밴드갭 기울기가 형성된 CZTS계 박막의 제조방법, 이중의 밴드갭 기울기가 형성된 CZTS계 태양전지의 제조방법 및 그 CZTS계 태양전지 审中-公开用于制造具有双带隙坡度的基于薄膜的薄膜的方法，用于制造具有双带隙坡度和基于其的基于太阳能电池的基于CTS的太阳能电池的方法
公开(公告)号：WO2013191451A1
公开(公告)日：2013-12-27
申请号：PCT/KR2013/005381
申请日：2013-06-19
Applicant: 한국에너지기술연구원
CPC classification number: H01L31/0725 , H01L21/02422 , H01L21/02474 , H01L21/02477 , H01L21/02485 , H01L21/02491 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02568 , H01L31/0326 , H01L31/18 , Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 이중의 밴드갭 기울기를 가지는 CZTS계 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, Cu 2 ZnSnS 4 박막층을 형성하는 단계; Cu 2 ZnSn(S,Se) 4 박막층을 형성하는 단계; 및 Cu 2 ZnSnS 4 박막층을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명의 다른 형태에 따른 이중의 밴드갭 기울기가 형성된 CZTS계 태양전지의 제조방법은, 후면 전극을 형성하는 단계; 상기 후면 전극의 위에 상기한 방법으로 CZTS계 박막층을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명의 또 다른 형태에 따른 CZTS계 태양전지는, 후면 전극; 및 상기 후면 전극 위에 형성된 CZTS계 박막층을 포함하며, 상기 CZTS계 박막층은, Cu 2 ZnSnS 4 박막층, Cu 2 ZnSn(S,Se) 4 박막층 및 Cu 2 ZnSnS 4 박막층이 순차로 형성되고, Cu 2 ZnSn(S,Se) 4 박막층의 밴드갭 에너지가 Cu 2 ZnSnS 4 박막층의 밴드갭 에너지보다 낮은 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 이중의 밴드갭 기울기가 형성된 CZTS계 박막층은 표면측의 밴드갭이 높아서 개방전압이 증가하고 재결합이 감소하며, 후면측의 밴드갭이 높아서 전자이동도는 증가함으로써, 태양전지의 효율을 향상시키는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有双带隙斜率的基于CZTS的薄膜的制造方法，包括以下步骤：形成Cu2ZnSnS4薄膜层; 形成Cu2ZnSn（S，Se）4薄膜层; 并形成Cu2ZnSnS4薄膜层。 根据本发明的另一方面的制造具有双带隙斜率的CZTS型太阳能电池的方法包括以下步骤：形成后电极; 以及通过上述方法在后电极上形成CZTS基薄膜层。 根据本发明的另一方面的基于CZTS的太阳能电池包括：后电极; 以及形成在后电极上的CZTS基薄膜层，其中基于CZTS的薄膜层的特征在于顺序形成Cu 2 ZnSnSn 4薄膜层，Cu 2 ZnSn（S，Se）4薄膜层和Cu 2 ZnSnSn薄膜层，以及 Cu2ZnSn（S，Se）4薄膜层的带隙能量低于Cu2ZnSnS4薄膜层的带隙能量。 根据本发明的具有双带隙斜率的CZTS基薄膜层具有表面侧的高带隙，从而增加开路电压并减少复合，并且具有后侧的高带隙，从而增加 电子迁移率，从而导致太阳能电池效率的提高。
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公开(公告)号：WO2014196688A1
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：PCT/KR2013/007092
申请日：2013-08-06
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/03923 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 후면전극이 다중층으로 구성된 CIGS 박막 태양전지에 관한 것으로, 태양전지의 기판(100)위에 형성되는 후면전극(200)에 있어서, 태양전지 후면전극의 제조방법에 있어서, (i) 태양전지의 기판(100) 위에 저저항 금속으로 저저항 금속층(210)을 형성시키는 단계(s1000), (ii) 상기 저저항 금속층(210) 위에 몰리브덴(Mo)층(220)을 형성시키는 단계(s2000) 를 포함하는 것을 특징으로 하여 태양전지의 광전변환효율을 높이는 효과가 있는 것임.
Abstract translation: 本发明涉及具有由多层构成的背面接触的CIGS薄膜太阳能电池，形成在太阳能电池的基板（100）上的背面接触（200）和太阳能电池背面接触的制造方法， 该方法包括以下步骤：（i）在使用低电阻金属的太阳能电池的基板（100）上形成低电阻金属层（s1000）; 和（ii）在低电阻金属层（210）上形成钼（Mo）层（220）（s2000），从而提高太阳能电池的光电转换效率。
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9.发明申请
公开(公告)号：WO2014163367A1
公开(公告)日：2014-10-09
申请号：PCT/KR2014/002767
申请日：2014-04-01
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L31/03923 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지에 사용되는 CI(G)S의 제조 과정 중 셀렌화 공정의 효율을 높이기 위한 방법으로 더욱 구체적으로는 CI(G)S계 전구체 박막을 일정 콘테이너 혹은 챔버에 삽입하여, 상기 콘테이너 혹은 챔버 내에 셀레늄(Se)을 주입하고 온도를 올려 셀렌화하는 공정을 통해 고압력 셀렌화가 가능한 것에 관한 것으로 일정 콘테이너 혹은 챔버 내에 셀레늄(Se) 분압을 높여 고압력 셀렌화를 통해 손실되는 셀레늄(Se)을 줄일 수 있고, 셀렌화의 효율을 높이고 열처리의 시간을 단축시킬 수 있는 효과를 나타낸다. 이를 위해 상기 CI(G)S계 전구체 박막과 상기 챔버(Chamber)의 간격이 6 mm 내지 20 mm이고, 상기 챔버(Chamber)에 셀레늄(Se)을 주입하며, 셀렌화를 위한 열처리는 상기 챔버(Chamber)의 내측 일면 또는, 내측 전면에 위치하는 발열체에 의해 온도를 증가시킨다.
Abstract translation: 公开了一种用于提高太阳能电池中使用的CI（G）S的制造方法中的硒化步骤的效率的方法，更具体地，涉及通过将CI（G）S 的前体薄膜转换成特定的容器或室，将硒（Se）注入容器或室中，并且增加温度。 本发明提供了通过增加特定容器或室中的部分硒（Se）压力，提高硒化效率和减少热处理时间来降低高压硒化期间硒（Se）的损失的优点。 为此，CI（G）S型前体薄膜与室之间的距离在6至20mm之间，其中硒（Se）注入室中，并且温度通过发热 身体位于腔室内侧的一侧或前侧，用于硒化的热处理。
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公开(公告)号：WO2014046455A1
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：PCT/KR2013/008396
申请日：2013-09-17
Applicant: 한국에너지기술연구원
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/564 , C30B23/066
Abstract: 소스 잔류물 배출형 셔터를 구비한 진공 증발원 및 이를 포함하는 증착 장비가 개시된다. 본 발명에 따른 소스 잔류물 배출형 셔터를 구비한 진공 증발원은, 원통형의 내부 공간을 제공하는 외부 용기와, 상기 외부 용기의 내부 공간에 거치되는 도가니 및 상기 외부 용기와 상기 도가니 사이에 배치되어 상기 도가니를 가열하는 히터를 포함하는 진공 증발원 본체; 및 상기 진공 증발원 본체의 출구 측에 배치되어 상기 도가니의 출구를 개폐하는 것으로서, 상기 도가니의 출구와 마주보는 안쪽 면에 응축된 소스 잔류물이 상기 외부 용기 바깥쪽으로 흘러 배출될 수 있도록, 상기 안쪽 면의 상기 도가니 출구에 대응되는 영역으로부터 상기 외부 용기 바깥쪽 영역까지 연장되게 배치된 다수의 흐름 가이드를 갖는 셔터;를 포함한다. 본 발명에 따른 증착 장비는 전술한 구성을 가지고, 진공 챔버 내에서 기판의 중심을 향해 기울어지게 배치된, 다수의 진공 증발원을 포함한다.
Abstract translation: 公开了一种具有源极残渣放电型快门和包括其的蒸发设备的渗流池。 具有根据本发明的源极残留物排出型活门的积液单元包括：具有用于提供圆柱形内部空间的外部容器的排出单体体，设置在外部容器的内部空间中的坩埚和设置在外部容器之间的加热器 外部容器和坩埚，以加热坩埚; 以及挡板，其设置在所述渗出池体的出口处，以打开或关闭所述坩埚的出口，并且具有多个流动引导件，所述多个引导件设置成从与所述坩埚的出口相对应的区域延伸到内表面 外部容器的外部区域，以将在坩埚的出口的内表面上冷凝的源残渣排出到外部容器的外部。 根据本发明的蒸发设备具有上述元件，并且包括多个排出单元，其设置成朝向真空室内的基板的中心倾斜。
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