公开(公告)号：WO2014171760A1

公开(公告)日：2014-10-23

申请号：PCT/KR2014/003352

申请日：2014-04-17

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 곽지혜 ,  윤재호 ,  안승규 ,  신기식 ,  안세진 ,  조아라 ,  윤경훈 ,  어영주 ,  조준식 ,  박주형 ,  유진수 ,  박상현 ,  최혜림

IPC: H01L31/06 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0322 ,  Y02E10/541

Abstract: 본발명은 동시진공증발공정을 기반으로 양질의 CZTSe 광흡수층 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, Cu, Zn, Sn및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는단계 (단계 a);및 상기 기판의 온도를 내리면서, Zn, Sn및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계 (단계 b)를 포함한다. 본 발명은, 고온에서 동시 진공증발공정을 수행하고 기판의 온도를 낮추면서 추가적인 증발공정을 수행함으로써, 고온의 동시진공증발공정에서 수반되는 Sn손실에 따른 문제점을 해결할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명의제조방법으로 형성된 CZTSe 광흡수층은 막질이 뛰어나기 때문에 이를 이용하여 제조된 CZTSe태양전지의 광전변환 효율이향상되는 효과가 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种基于同时真空蒸发处理制造质量好的CZTSe光吸收薄膜的方法。 该方法包括以下步骤：同时蒸发Cu，Zn，Sn和Se，并在衬底上沉积Cu，Zn，Sn和Se（步骤a）; 同时蒸发Zn，Sn和Se，并在衬底上沉积Zn，Sn和Se，同时降低衬底的温度（步骤b）。 本发明在高温下进行同时真空蒸发处理，并且在降低基板的温度的同时进行附加的蒸发处理，从而具有解决伴随高温同时真空蒸发的Sn的损失引起的问题的效果 处理。 此外，由于通过本发明的制造方法形成的CZTSe光吸收层质量高，所以本发明具有提高使用CZTSe光吸收层制造的CZTSe太阳能电池的光电转换效率的效果。

公开(公告)号：KR101406704B1

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：KR1020130042782

申请日：2013-04-18

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 곽지혜 ,  윤재호 ,  안승규 ,  신기식 ,  안세진 ,  조아라 ,  윤경훈 ,  어영주 ,  조준식 ,  박상현 ,  박주형 ,  유진수 ,  최혜림

IPC: H01L31/06 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0322 ,  Y02E10/541

Abstract: The present invention relates to a method of manufacturing a quality CZTSe light absorption thin film based on a simultaneous vacuum evaporation process. The method includes: (a) a step of depositing Cu, Zn, Sn, and Se onto a substrate by evaporating the same simultaneously; and (b) a step of lowering the temperature of the substrate and depositing Zn, Sn, and Se by evaporating the same simultaneously. By performing a simultaneous vacuum evaporation process and then performing an additional evaporation process while lowering the temperature of the substrate, the present invention is able to resolve the problems due to the loss of Sn accompanied in a high-temperature simultaneous vacuum evaporation process. A CZTSe light absorption thin film manufactured by the manufacturing method given in the present invention has excellent membranous property so that a CZTSe solar cell manufactured using the same is able to have improved photoelectric conversion efficiency.

Abstract translation: 本发明涉及一种基于同时真空蒸镀工艺制造质量好的CZTSe光吸收薄膜的方法。 该方法包括：（a）通过同时蒸发将Cu，Zn，Sn和Se沉积到衬底上的步骤; 和（b）降低衬底温度并同时蒸发Zn，Sn和Se的步骤。 通过同时进行真空蒸发处理，然后在降低基板的温度的同时进行额外的蒸发处理，本发明能够解决由于伴随着高温同时真空蒸发处理而引起的Sn的损失的问题。 通过本发明的制造方法制造的CZTSe光吸收薄膜具有优异的膜性质，因此使用其制造的CZTSe太阳能电池能够提高光电转换效率。