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1.发明公开
公开(公告)号：KR1020080010747A
公开(公告)日：2008-01-31
申请号：KR1020060071187
申请日：2006-07-28
Applicant: 한국정보통신대학교 산학협력단
CPC classification number: H03F3/193 , H01L27/0629 , H03F1/26 , H03F3/16 , H03F2200/294
Abstract: A circuit for improving amplification and noise of a MOSFET(MOS field effect transistor) and a frequency mixer, an amplifier and an oscillator using the same are provided to improve amplification and a noise characteristic by using the body effect of the MOSFET. A circuit for improving amplification and noise of a MOSFET includes a capacitor, and a current source. The capacitor connects a gate terminal and a body terminal of the MOSFET. The current source is connected with the gate terminal and the body terminal of the MOSFET to improve the amplification and the noise of the MOSFET so as to supply signals simultaneously. The MOSFET is a P-type MOSFET or an N-type MOSFET.
Abstract translation: 提供了用于改善MOSFET（MOS场效应晶体管）和混频器，放大器和使用其的振荡器的放大和噪声的电路，以通过使用MOSFET的体效来改善放大和噪声特性。 用于改善MOSFET的放大和噪声的电路包括电容器和电流源。 电容器连接MOSFET的栅极端子和体电极端子。 电流源与MOSFET的栅极端子和体电极连接，以提高MOSFET的放大和噪声，同时提供信号。 MOSFET是P型MOSFET或N型MOSFET。
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2.发明授权
公开(公告)号：KR100827893B1
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：KR1020060071187
申请日：2006-07-28
Applicant: 한국정보통신대학교 산학협력단
CPC classification number: H03F3/193 , H01L27/0629 , H03F1/26 , H03F3/16 , H03F2200/294
Abstract: 본 발명은 모스 전계효과 트랜지스터의 증폭도 및 잡음도 개선회로 및 이를 이용한 주파수 혼합기, 증폭기 및 발진기에 관한 것으로, 모스 전계효과 트랜지스터(MOSFET)의 게이트(gate) 단자와 바디(body) 단자가 캐패시터(Capacitor)를 통해 연결되며, 상기 모스 전계효과 트랜지스터(MOSFET)의 증폭도 및 잡음도를 향상시키기 위하여 상기 모스 전계효과 트랜지스터(MOSFET)의 게이트(gate) 단자와 함께 바디(body) 단자에 전류원을 연결하여 신호를 동시에 공급함으로써, 같은 전력(power) 레벨의 신호를 입력받는 경우 더 큰 증폭도를 갖으며, 잡음(noise) 특성이 보다 향상되는 효과가 있다.
모스 전계효과 트랜지스터, 증폭도, 잡음도, 주파수 혼합기, 증폭기, 발진기
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