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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100845661B1
公开(公告)日：2008-07-10
申请号：KR1020070049793
申请日：2007-05-22
Applicant: 한국정보통신대학교 산학협력단
IPC: H03F1/32
CPC classification number: H03F1/3241 , H03F2200/132 , H03F2200/192
Abstract: A linearizer having an inter-modulation distorter is provided to set an accurate signal level of a distortion signal by separately controlling phases and levels of the distortion signal and an original signal, respectively. A first hybrid coupler(100) divides an input signal into an in-phase component and a quadrature component. An inter-modulation distortion signal generator(102) receives the in-phase component and generates a non-linear signal. A phase fixer(104) fixes the quadrature component to a desired phase and outputs a first linear signal. A second hybrid coupler(106) outputs a second linear signal and an inter-modulation distortion signal. The second linear signal is formed by mixing the linear signal with the non-linear signal and inverting the mixed result. The second hybrid coupler outputs the inter-modulation distortion signal having an adjustable non-linear signal level. The inter-modulation distortion signal generator has a reflective structure and generates the inter-modulation distortion signal with the adjustable non-linear signal level according to a control signal using a 3-terminal active element.
Abstract translation: 具有互调失真器的线性化器被提供以通过分别控制失真信号和原始信号的相位和电平来设置失真信号的精确信号电平。 第一混合耦合器（100）将输入信号划分成同相分量和正交分量。 互调失真信号发生器（102）接收同相分量并产生非线性信号。 定相器（104）将正交分量固定到期望的相位并输出第一线性信号。 第二混合耦合器（106）输出第二线性信号和互调失真信号。 第二线性信号通过将线性信号与非线性信号混合并将混合结果反转而形成。 第二混合耦合器输出具有可调节非线性信号电平的互调失真信号。 互调失真信号发生器具有反射结构，并且根据使用3端子有源元件的控制信号产生具有可调节非线性信号电平的互调失真信号。
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公开(公告)号：KR1020070050423A
公开(公告)日：2007-05-15
申请号：KR1020070040471
申请日：2007-04-25
Applicant: 한국정보통신대학교 산학협력단
CPC classification number: H04B1/16
Abstract: 본 발명은 이동통신 단말기용 수신기의 데이터 수신 기술에 관한 것으로, 이동통신 단말기에서 주파수를 변환하기 위해 필요한 국부 발진(Local Oscillation : LO) 신호를 송신기로부터 수신하여 사용함으로써 이동통신 단말기의 소모 전력을 감소시킬 수 있는 방안에 관한 것이다. 이동통신 서비스 분야의 데이터 량 증가 추세로 인해 이를 수용할 수 있는 대용량의 통신 시스템이 요구되고 있으며, 이에 부응하여 60GHz 대역을 사용하는 밀리미터파 대역의 WPAN(Wireless Personal Area Network)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 종래에는 Gbps급의 대용량 데이터를 수신하기 위해 수신기에서 최소 500mW 이상의 큰 전력이 요구되었다. 따라서 기존의 수신기를 이동통신용 단말기에 이용할 경우, 배터리 사용 시간이 거의 절반 수준으로 단축되는 단점이 있다. 본 발명은 종래의 이러한 단점을 극복하고자 고안되었으며, 이동통신용 단말기 응용에 적합한 100mW 이하의 저전력 60GHz 수신기를 제안한다. 본 발명에 따른 60GHz 저전력 수신기는, 국부 발진기에서 소모하는 전력이 없다는 장점이 있다.
저전력 수신기, 듀플렉서-
公开(公告)号：KR100845680B1
公开(公告)日：2008-07-11
申请号：KR1020070040471
申请日：2007-04-25
Applicant: 한국정보통신대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 이동통신 단말기용 수신기의 데이터 수신 기술에 관한 것으로, 이동통신 단말기에서 주파수를 변환하기 위해 필요한 국부 발진(Local Oscillation : LO) 신호를 송신기로부터 수신하여 사용함으로써 이동통신 단말기의 소모 전력을 감소시킬 수 있는 방안에 관한 것이다. 이동통신 서비스 분야의 데이터 량 증가 추세로 인해 이를 수용할 수 있는 대용량의 통신 시스템이 요구되고 있으며, 이에 부응하여 60GHz 대역을 사용하는 밀리미터파 대역의 WPAN(Wireless Personal Area Network)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 종래에는 Gbps급의 대용량 데이터를 수신하기 위해 수신기에서 최소 500mW 이상의 큰 전력이 요구되었다. 따라서 기존의 수신기를 이동통신용 단말기에 이용할 경우, 배터리 사용 시간이 거의 절반 수준으로 단축되는 단점이 있다. 본 발명은 종래의 이러한 단점을 극복하고자 고안되었으며, 이동통신용 단말기 응용에 적합한 100mW 이하의 저전력 60GHz 수신기를 제안한다. 본 발명에 따른 60GHz 저전력 수신기는, 국부 발진기에서 소모하는 전력이 없다는 장점이 있다.
저전력 수신기, 듀플렉서-
4.发明公开
公开(公告)号：KR1020080010747A
公开(公告)日：2008-01-31
申请号：KR1020060071187
申请日：2006-07-28
Applicant: 한국정보통신대학교 산학협력단
CPC classification number: H03F3/193 , H01L27/0629 , H03F1/26 , H03F3/16 , H03F2200/294
Abstract: A circuit for improving amplification and noise of a MOSFET(MOS field effect transistor) and a frequency mixer, an amplifier and an oscillator using the same are provided to improve amplification and a noise characteristic by using the body effect of the MOSFET. A circuit for improving amplification and noise of a MOSFET includes a capacitor, and a current source. The capacitor connects a gate terminal and a body terminal of the MOSFET. The current source is connected with the gate terminal and the body terminal of the MOSFET to improve the amplification and the noise of the MOSFET so as to supply signals simultaneously. The MOSFET is a P-type MOSFET or an N-type MOSFET.
Abstract translation: 提供了用于改善MOSFET（MOS场效应晶体管）和混频器，放大器和使用其的振荡器的放大和噪声的电路，以通过使用MOSFET的体效来改善放大和噪声特性。 用于改善MOSFET的放大和噪声的电路包括电容器和电流源。 电容器连接MOSFET的栅极端子和体电极端子。 电流源与MOSFET的栅极端子和体电极连接，以提高MOSFET的放大和噪声，同时提供信号。 MOSFET是P型MOSFET或N型MOSFET。
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5.发明授权
公开(公告)号：KR100827893B1
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：KR1020060071187
申请日：2006-07-28
Applicant: 한국정보통신대학교 산학협력단
CPC classification number: H03F3/193 , H01L27/0629 , H03F1/26 , H03F3/16 , H03F2200/294
Abstract: 본 발명은 모스 전계효과 트랜지스터의 증폭도 및 잡음도 개선회로 및 이를 이용한 주파수 혼합기, 증폭기 및 발진기에 관한 것으로, 모스 전계효과 트랜지스터(MOSFET)의 게이트(gate) 단자와 바디(body) 단자가 캐패시터(Capacitor)를 통해 연결되며, 상기 모스 전계효과 트랜지스터(MOSFET)의 증폭도 및 잡음도를 향상시키기 위하여 상기 모스 전계효과 트랜지스터(MOSFET)의 게이트(gate) 단자와 함께 바디(body) 단자에 전류원을 연결하여 신호를 동시에 공급함으로써, 같은 전력(power) 레벨의 신호를 입력받는 경우 더 큰 증폭도를 갖으며, 잡음(noise) 특성이 보다 향상되는 효과가 있다.
모스 전계효과 트랜지스터, 증폭도, 잡음도, 주파수 혼합기, 증폭기, 발진기
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