公开(公告)号：KR101653698B1

公开(公告)日：2016-09-02

申请号：KR1020150022219

申请日：2015-02-13

Applicant: 한국항공대학교산학협력단

Inventor： 서종현 ,  이상혁

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/027 ,  H01L29/786

Abstract: 다중금속막식각방법이개시되며, 상기다중금속막식각방법은, 구리(Cu) 및구리합금중 하나이상을포함하는재질로이루어지는제1층및 티타늄(Ti) 및티타늄합금중 하나이상을포함하는재질로이루어지는제2층을포함하는다중금속막을식각하는방법에있어서, 상기다중금속막상에소정의패턴을갖는포토레지스트막을형성하는단계; 식각액을사용하여상기다중금속막을식각하는단계; 및상기포토레지스트막을제거하는단계를포함하되, 상기다중금속막을식각하는단계에서, 상기식각액은황산암모늄(ammonium sulfite) 및하이드록실암모늄황산염(hydroxylammonium sulfate) 중하나이상을포함한다.

公开(公告)号：KR101670421B1

公开(公告)日：2016-10-28

申请号：KR1020150022218

申请日：2015-02-13

Applicant: 한국항공대학교산학협력단

Inventor： 서종현 ,  이상혁

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/027 ,  H01L29/786

Abstract: 다중금속막식각방법이개시되며, 상기다중금속막식각방법은, 구리(Cu) 및구리합금중 하나이상을포함하는재질로이루어지는제1층및 티타늄(Ti) 및티타늄합금중 하나이상을포함하는재질로이루어지는제2층을포함하는다중금속막을식각하는방법에있어서, 상기다중금속막상에소정의패턴을갖는포토레지스트막을형성하는단계; 식각액을사용하여상기다중금속막을식각하는단계; 및상기포토레지스트막을제거하는단계를포함하되, 상기다중금속막을식각하는단계에서, 상기식각액은그의총 중량에대해포스폰산(phosphonic acid) 계열의화합물을 0.1 내지 10.0 중량% 포함한다.

Abstract translation: 公开了一种多金属膜刻蚀工艺，其中多金属膜刻蚀工艺包括第一层材料，该第一层材料包括铜（Cu）和铜合金中的至少一种以及钛（Ti）和钛合金中的至少一种 一种用于蚀刻多金属膜的方法，所述多金属膜包括由材料制成的第二层，所述方法包括：在所述多金属膜上形成具有预定图案的光致抗蚀剂膜; 使用蚀刻剂蚀刻多金属膜; 并且去除光刻胶膜;在蚀刻多金属膜的步骤中，基于蚀刻剂的总重量，蚀刻剂包括0.1-10.0重量％的膦酸基化合物。

公开(公告)号：KR1020160099919A

公开(公告)日：2016-08-23

申请号：KR1020150022219

申请日：2015-02-13

Applicant: 한국항공대학교산학협력단

Inventor： 서종현 ,  이상혁

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/027 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/76813 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/3213 ,  H01L29/786

Abstract: 다중금속막식각방법이개시되며, 상기다중금속막식각방법은, 구리(Cu) 및구리합금중 하나이상을포함하는재질로이루어지는제1층및 티타늄(Ti) 및티타늄합금중 하나이상을포함하는재질로이루어지는제2층을포함하는다중금속막을식각하는방법에있어서, 상기다중금속막상에소정의패턴을갖는포토레지스트막을형성하는단계; 식각액을사용하여상기다중금속막을식각하는단계; 및상기포토레지스트막을제거하는단계를포함하되, 상기다중금속막을식각하는단계에서, 상기식각액은황산암모늄(ammonium sulfite) 및하이드록실암모늄황산염(hydroxylammonium sulfate) 중하나이상을포함한다.

Abstract translation: 公开了蚀刻多层金属膜的方法。 蚀刻多层金属膜的方法蚀刻多层金属膜，该多层金属膜包括由包含Cu和Cu合金中的一种或多种的材料形成的第一层，以及由包括Ti和Cu中的一种或多种的材料形成的第二层 钛合金。 该方法包括以下步骤：在多层金属膜上形成包含预定图案的光致抗蚀剂膜; 用蚀刻剂蚀刻多层膜; 并除去光致抗蚀剂膜。 在蚀刻多层金属膜的步骤中的蚀刻剂包括一种或多种来自亚硫酸铵和羟基硫酸铵的蚀刻剂。

公开(公告)号：KR1020160099918A

公开(公告)日：2016-08-23

申请号：KR1020150022218

申请日：2015-02-13

Applicant: 한국항공대학교산학협력단

Inventor： 서종현 ,  이상혁

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/027 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/76813 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/3213 ,  H01L29/786

Abstract: 다중금속막식각방법이개시되며, 상기다중금속막식각방법은, 구리(Cu) 및구리합금중 하나이상을포함하는재질로이루어지는제1층및 티타늄(Ti) 및티타늄합금중 하나이상을포함하는재질로이루어지는제2층을포함하는다중금속막을식각하는방법에있어서, 상기다중금속막상에소정의패턴을갖는포토레지스트막을형성하는단계; 식각액을사용하여상기다중금속막을식각하는단계; 및상기포토레지스트막을제거하는단계를포함하되, 상기다중금속막을식각하는단계에서, 상기식각액은그의총 중량에대해포스폰산(phosphonic acid) 계열의화합물을 0.1 내지 10.0 중량% 포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种蚀刻多层金属膜的方法。 用于蚀刻包括由包含铜（Cu）和铜合金中的一种或多种的材料制成的第一层的多层金属膜的方法和由包括钛（Ti）和钛合金中的一种或多种的材料制成的第二层 包括：在所述多层金属膜上形成具有预定图案的光致抗蚀剂膜的步骤; 通过使用蚀刻剂蚀刻多层金属膜的步骤; 以及去除光致抗蚀剂膜的步骤，其中在蚀刻多层金属膜的步骤中，蚀刻剂包括基于亚磷酸的化合物的总重量为0.1至10.0重量％。