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公开(公告)号：KR102058648B1
公开(公告)日：2019-12-23
申请号：KR1020180028780
申请日：2018-03-12
Applicant: 한국항공대학교산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L21/768
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公开(公告)号：KR101653698B1
公开(公告)日：2016-09-02
申请号：KR1020150022219
申请日：2015-02-13
Applicant: 한국항공대학교산학협력단
IPC: H01L21/768 , H01L21/3213 , H01L21/027 , H01L29/786
Abstract: 다중금속막식각방법이개시되며, 상기다중금속막식각방법은, 구리(Cu) 및구리합금중 하나이상을포함하는재질로이루어지는제1층및 티타늄(Ti) 및티타늄합금중 하나이상을포함하는재질로이루어지는제2층을포함하는다중금속막을식각하는방법에있어서, 상기다중금속막상에소정의패턴을갖는포토레지스트막을형성하는단계; 식각액을사용하여상기다중금속막을식각하는단계; 및상기포토레지스트막을제거하는단계를포함하되, 상기다중금속막을식각하는단계에서, 상기식각액은황산암모늄(ammonium sulfite) 및하이드록실암모늄황산염(hydroxylammonium sulfate) 중하나이상을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020130022539A
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：KR1020110085142
申请日：2011-08-25
Applicant: 한국항공대학교산학협력단
Inventor： 서종현
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1218 , H01L27/1255 , H01L29/42384 , H01L29/78603 , H01L29/7869
Abstract: PURPOSE: A flexible thin film transistor array and a manufacturing method thereof are provided to improve reliability and adhesion by simultaneously forming a gate wire and a data wire. CONSTITUTION: A trench(110b) for a gate wire(120a) and a trench(110b) for a data wire(120b) are formed on a substrate(110). The gate wire is combined with the trench for the gate wire. The data wire is combined with the trench for the data wire. An insulation layer is formed on a part of the upper side of the gate wire or the data wire. A semiconductor layer(140) is formed on the upper side of the insulation layer. A bridge layer(160) electrically connects the separated gate wire or data wire.
Abstract translation: 目的：提供一种柔性薄膜晶体管阵列及其制造方法，通过同时形成栅极线和数据线来提高可靠性和粘附性。 构成：在基板（110）上形成用于栅极线（120a）的沟槽（110b）和用于数据线（120b）的沟槽（110b）。 栅极线与栅极线的沟槽组合。 数据线与数据线的沟槽组合。 在栅极线或数据线的上侧的一部分上形成绝缘层。 半导体层（140）形成在绝缘层的上侧。 桥接层（160）电连接分离的栅极线或数据线。
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公开(公告)号：KR1020170019152A
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：KR1020150113159
申请日：2015-08-11
Applicant: 한국항공대학교산학협력단
IPC: H01L29/786
Abstract: 박막트랜지스터제조방법이개시되며, 상기박막트랜지스터제조방법은, 기판상에비정질실리콘층을형성하는단계; 상기비정질실리콘층을결정화하여다결정실리콘층을형성하는단계; 상기다결정실리콘층상에게이트절연막을형성하는단계; 상기게이트절연막상에제1층및 제2층을갖는게이트전극을형성하는단계; 상기다결정실리콘층에소스영역및 드레인영역을형성하는단계; 상기게이트절연막및 상기게이트전극상에층간절연막을형성하는단계; 및상기층간절연막상에상기소스영역에접속하는소스전극및 상기드레인영역에접속되는드레인전극을형성하는단계를포함하되, 상기제1층의재질은구리(Cu) 및구리알로이(Alloy) 계열중 하나이상을포함하는것이고, 상기제2층의재질은알루미늄(Al)을포함하는몰리브데늄(Mo) 알로이계열이다.
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公开(公告)号：KR101361839B1
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：KR1020110110401
申请日：2011-10-27
Applicant: 한국항공대학교산학협력단
Inventor： 서종현
Abstract: 식각액 조성물로서, 상기 식각액 조성물의 총 중량에 대하여, 인산 35 중량% 내지 70 중량%; 질산 0.5 중량% 내지 8 중량%; 초산 2 중량% 내지 20 중량%; 불소-함유 화합물 0.5 중량% 내지 10 중량%; 및 잔량의 물을 포함하는 식각액 조성물, 및 이를 이용하여 다중금속막을 식각하는 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 2.根据权利要求1所述的蚀刻溶液组合物，其中所述蚀刻溶液组合物包含基于所述蚀刻溶液组合物的总重量计35至70重量％的磷酸; 从0.5重量％至8重量％的硝酸; 从2重量％至20重量％的乙酸; 0.5至10重量％的含氟化合物; 以及残留的水，以及使用该方法蚀刻多金属膜的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101344026B1
公开(公告)日：2013-12-24
申请号：KR1020110085142
申请日：2011-08-25
Applicant: 한국항공대학교산학협력단
Inventor： 서종현
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/136
Abstract: 본발명에따른플렉시블박막트랜지스터어레이는게이트배선을위한트렌치및 데이터배선을위한트렌치가형성된기판; 상기게이트배선을위한트렌치에결합된게이트배선; 상기데이터배선을위한트렌치에결합된데이터배선; 상기게이트배선의일부영역의상부또는상기데이터배선의일부영역의상부에형성된절연막층; 상기절연막층의상부에형성된반도체층및 상기반도체층의하부에형성된트랜지스터를포함하고, 게이트배선및 데이터배선을적층시켜형성하지않으면서도플렉시블(flexible)한기판에일체로형성시킬수 있으며, 게이트배선및 데이터배선을동시에형성시켜접합력및 신뢰성을향상시킨플렉시블박막트랜지스터어레이및 그제조방법을제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR102160278B1
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：KR1020170111371
申请日：2017-08-31
Applicant: 한국항공대학교산학협력단
Inventor： 서종현
IPC: H01L29/786 , H01L27/32 , H01L21/3213
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公开(公告)号：KR1020140011840A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：KR1020120079227
申请日：2012-07-20
Applicant: 한국항공대학교산학협력단
Inventor： 서종현
Abstract: An etchant composition is used for etching a multiple metal layer comprising: one or more layers of Cu or Cu-alloy, and one or more layers of Ti or Ti-alloy. The etchant composition comprises: around 35 to 75 wt% of phosphoric acid; around 0.5 wt% to 10 wt% of nitric acid; around 4 to 30 wt% of acetic acid; around 0.5 to 8 wt% of fluorine-containing compound; around 0.1 to 2 wt% of (HONH3)2SO4; and residual water in the total weight.
Abstract translation: 蚀刻剂组合物用于蚀刻多金属层，包括：一层或多层Cu或Cu合金，以及一层或多层Ti或Ti合金。 蚀刻剂组合物包含：约35至75重量％的磷酸; 约0.5重量％至10重量％的硝酸; 约4至30重量％的乙酸; 约0.5〜8重量％的含氟化合物; 约0.1〜2重量％的（HONH 3）2 SO 4; 剩余水总重量。
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公开(公告)号：KR101796587B1
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：KR1020150113158
申请日：2015-08-11
Applicant: 한국항공대학교산학협력단
IPC: H01L21/027 , H01L21/306 , H01L21/3213
Abstract: 다중금속막식각방법이개시되며, 상기다중금속막식각방법은, 구리(Cu) 및구리합금중 하나이상을포함하는재질로이루어지는제1층및 티타늄(Ti) 및티타늄합금중 하나이상을포함하는재질로이루어지는제2층을포함하는다중금속막을식각하는방법에있어서, 상기다중금속막상에소정의패턴을갖는포토레지스트막을형성하는단계; 식각액을사용하여상기다중금속막을식각하는단계; 및상기포토레지스트막을제거하는단계를포함하되, 상기다중금속막을식각하는단계에서, 상기식각액은그의총 중량에대하여, 인산 15 중량% 내지 70 중량%; 초산 4 중량% 내지 40 중량%; 과망간산염 0.1 중량% 내지 10 중량%; 및불소-함유화합물 0.5 중량% 내지 8 중량%를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种多金属膜刻蚀工艺，其中多金属膜刻蚀工艺包括第一层材料，该第一层材料包括铜（Cu）和铜合金中的至少一种以及钛（Ti）和钛合金中的至少一种 一种用于蚀刻多金属膜的方法，所述多金属膜包括由材料制成的第二层，所述方法包括：在所述多金属膜上形成具有预定图案的光致抗蚀剂膜; 使用蚀刻剂蚀刻多金属膜; 去除光刻胶膜，其中在蚀刻多金属膜的步骤中，蚀刻剂包括基于其总重量的15重量％至70重量％的磷酸; 从4％至40％重量的乙酸; 0.1重量％至10重量％的高锰酸盐; 并且含有0.5重量％至8重量％的含氟化合物。
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公开(公告)号：KR101670421B1
公开(公告)日：2016-10-28
申请号：KR1020150022218
申请日：2015-02-13
Applicant: 한국항공대학교산학협력단
IPC: H01L21/768 , H01L21/3213 , H01L21/027 , H01L29/786
Abstract: 다중금속막식각방법이개시되며, 상기다중금속막식각방법은, 구리(Cu) 및구리합금중 하나이상을포함하는재질로이루어지는제1층및 티타늄(Ti) 및티타늄합금중 하나이상을포함하는재질로이루어지는제2층을포함하는다중금속막을식각하는방법에있어서, 상기다중금속막상에소정의패턴을갖는포토레지스트막을형성하는단계; 식각액을사용하여상기다중금속막을식각하는단계; 및상기포토레지스트막을제거하는단계를포함하되, 상기다중금속막을식각하는단계에서, 상기식각액은그의총 중량에대해포스폰산(phosphonic acid) 계열의화합물을 0.1 내지 10.0 중량% 포함한다.
Abstract translation: 公开了一种多金属膜刻蚀工艺，其中多金属膜刻蚀工艺包括第一层材料，该第一层材料包括铜（Cu）和铜合金中的至少一种以及钛（Ti）和钛合金中的至少一种 一种用于蚀刻多金属膜的方法，所述多金属膜包括由材料制成的第二层，所述方法包括：在所述多金属膜上形成具有预定图案的光致抗蚀剂膜; 使用蚀刻剂蚀刻多金属膜; 并且去除光刻胶膜;在蚀刻多金属膜的步骤中，基于蚀刻剂的总重量，蚀刻剂包括0.1-10.0重量％的膦酸基化合物。
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