公开(公告)号：WO2020111385A1

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：PCT/KR2019/001369

申请日：2019-01-31

Applicant: 한양대학교에리카산학협력단

Inventor： 좌용호 ,  김종렬 ,  유봉영 ,  황태연 ,  이지민

IPC: C23C18/50 ,  C22B5/04

Abstract: 희토류 금속의 도금 방법이 제공된다. 상기 희토류 금속의 도금 방법은, 칼슘(Ca) 화합물, 및 희토류 금속 화합물을 포함하는 베이스 금속을 준비하는 단계, 칼슘 반응제, 제1 금속을 포함하는 제1 금속 전구체, 및 제2 금속을 포함하는 제2 금속 전구체를 포함하는 도금 소스를 준비하는 단계, 및 상기 베이스 금속에 상기 도금 소스를 제공하여, 상기 칼슘 화합물이 포함하는 상기 칼슘을 상기 칼슘 반응제와 반응키는 동시에, 상기 희토류 금속 화합물 표면 상에 상기 제1 금속 및 제2 금속의 합금을 도금하는 단계를 포함할 수 있다.

公开(公告)号：WO2020138976A1

公开(公告)日：2020-07-02

申请号：PCT/KR2019/018520

申请日：2019-12-26

Applicant: 한양대학교에리카산학협력단

Inventor： 유봉영 ,  박기문 ,  이진현

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/304 ,  H01L21/324 ,  H01L21/306 ,  H01L21/768

Abstract: 반도체 소자의 제조 방법이 제공된다. 상기 반도체 소자의 제조 방법은, 리세스(recess) 영역을 갖는 베이스 기판 구조체를 준비하는 단계, 상기 리세스 영역을 갖는 상기 베이스 기판 구조체 상에 물질막을 증착하여, 상기 리세스 영역을 채우는 단계, 및 상기 물질막의 물질을 이온화시켜, 상기 리세스 영역 외의 상기 물질막을 제거하고, 상기 리세스 영역 내의 상기 물질막을 잔존시켜, 상기 리세스 영역 내에 물질막 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.