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公开(公告)号：WO2020138976A1
公开(公告)日：2020-07-02
申请号：PCT/KR2019/018520
申请日：2019-12-26
Applicant: 한양대학교에리카산학협력단
IPC: H01L21/321 , H01L21/304 , H01L21/324 , H01L21/306 , H01L21/768
Abstract: 반도체 소자의 제조 방법이 제공된다. 상기 반도체 소자의 제조 방법은, 리세스(recess) 영역을 갖는 베이스 기판 구조체를 준비하는 단계, 상기 리세스 영역을 갖는 상기 베이스 기판 구조체 상에 물질막을 증착하여, 상기 리세스 영역을 채우는 단계, 및 상기 물질막의 물질을 이온화시켜, 상기 리세스 영역 외의 상기 물질막을 제거하고, 상기 리세스 영역 내의 상기 물질막을 잔존시켜, 상기 리세스 영역 내에 물질막 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
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