公开(公告)号：CN102625861B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201080036764.6

申请日：2010-08-12

Applicant: ASM美国股份有限公司

Inventor： E·谢罗 ,  P·雷伊塞宁 ,  S.H.金 ,  王长工

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C01B13/11

CPC classification number: C23C16/40 ,  C01B13/11 ,  C01B2201/64 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/52

Abstract: 描述了其中在反应室中的衬底上沉积薄膜的系统和方法。在示例性方法中，所述方法可包括对衬底施加原子层沉积循环，其中，所述循环可包括使所述衬底与前体气体接触前体脉冲时间，然后除去所述前体气体，并使所述衬底与包含氧化剂气体和含氮类气体的氧化剂接触氧化脉冲时间，然后除去氧化剂。本发明的各方面利用分子和受激氮-氧自由基/离子形式，可能还与氧化剂如臭氧组合。本发明的实施方式也包含电子元件，以及包括使用按照本发明的方法制造的器件的系统。

公开(公告)号：CN102625861A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201080036764.6

申请日：2010-08-12

Applicant: ASM美国股份有限公司

Inventor： E·谢罗 ,  P·雷伊塞宁 ,  S.H.金 ,  王长工

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C01B13/11

CPC classification number: C23C16/40 ,  C01B13/11 ,  C01B2201/64 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/52

Abstract: 描述了其中在反应室中的衬底上沉积薄膜的系统和方法。在示例性方法中，所述方法可包括对衬底施加原子层沉积循环，其中，所述循环可包括使所述衬底与前体气体接触前体脉冲时间，然后除去所述前体气体，并使所述衬底与包含氧化剂气体和含氮类气体的氧化剂接触氧化脉冲时间，然后除去氧化剂。本发明的各方面利用分子和受激氮-氧自由基/离子形式，可能还与氧化剂如臭氧组合。本发明的实施方式也包含电子元件，以及包括使用按照本发明的方法制造的器件的系统。