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公开(公告)号：CN102365389B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201080015699.9
申请日：2010-04-06
Applicant: ASM美国股份有限公司
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45502 , C23C16/45504 , C23C16/45525 , C23C16/45544 , C23C16/45561 , C23C16/45591 , H01L21/0228 , Y10T137/85938
Abstract: 具有包围气体输送系统(14)的外壳的反应器可操作地连接到反应室(16)和排气组件(18)。气体输送系统包括用于向反应室提供至少一种处理气体的多根气体管路。气体输送系统还包括用于接纳至少一种处理气体的混合器(20)。混合器可操作地连接到构造成使处理气体扩散的扩散器(22)。扩散器直接附连于反应室的上表面(24)，由此在两者之间形成扩散器容积。扩散器包括至少一个分配表面，该分配表面构造成当处理气体在引入反应室之前经过扩散器容积时提供对处理气体的流动限制。反应室形成反应空间，在该反应空间中设置半导体衬底以进行处理。排气组件可操作地连接到反应室，以从反应空间抽出未反应的处理气体和流出物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102234790B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201110155056.0
申请日：2011-04-19
Applicant: ASM美国股份有限公司
IPC: C23C16/448
Abstract: 提供一种用于向反应腔室提供汽化前体的前体源容器。该前体源容器包括具有第一端口、第二端口和第三端口的盖。该前体源容器还包括可拆除地附着到该盖的基座。该基座包括形成于其中的凹陷区。该第一、第二和第三端口之一是排气端口，该排气端口构造成在半导体工艺中安装源容器之后但在使用源容器之前，释放源容器内的压头。
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公开(公告)号：CN102365389A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201080015699.9
申请日：2010-04-06
Applicant: ASM美国股份有限公司
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45502 , C23C16/45504 , C23C16/45525 , C23C16/45544 , C23C16/45561 , C23C16/45591 , H01L21/0228 , Y10T137/85938
Abstract: 具有包围气体输送系统(14)的外壳的反应器可操作地连接到反应室(16)和排气组件(18)。气体输送系统包括用于向反应室提供至少一种处理气体的多根气体管路。气体输送系统还包括用于接纳至少一种处理气体的混合器(20)。混合器可操作地连接到构造成使处理气体扩散的扩散器(22)。扩散器直接附连于反应室的上表面(24)，由此在两者之间形成扩散器容积。扩散器包括至少一个分配表面，该分配表面构造成当处理气体在引入反应室之前经过扩散器容积时提供对处理气体的流动限制。反应室形成反应空间，在该反应空间中设置半导体衬底以进行处理。排气组件可操作地连接到反应室，以从反应空间抽出未反应的处理气体和流出物。
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公开(公告)号：CN102625861A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201080036764.6
申请日：2010-08-12
Applicant: ASM美国股份有限公司
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/52 , C01B13/11
CPC classification number: C23C16/40 , C01B13/11 , C01B2201/64 , C23C16/45553 , C23C16/52
Abstract: 描述了其中在反应室中的衬底上沉积薄膜的系统和方法。在示例性方法中，所述方法可包括对衬底施加原子层沉积循环，其中，所述循环可包括使所述衬底与前体气体接触前体脉冲时间，然后除去所述前体气体，并使所述衬底与包含氧化剂气体和含氮类气体的氧化剂接触氧化脉冲时间，然后除去氧化剂。本发明的各方面利用分子和受激氮-氧自由基/离子形式，可能还与氧化剂如臭氧组合。本发明的实施方式也包含电子元件，以及包括使用按照本发明的方法制造的器件的系统。
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公开(公告)号：CN102625861B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201080036764.6
申请日：2010-08-12
Applicant: ASM美国股份有限公司
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/52 , C01B13/11
CPC classification number: C23C16/40 , C01B13/11 , C01B2201/64 , C23C16/45553 , C23C16/52
Abstract: 描述了其中在反应室中的衬底上沉积薄膜的系统和方法。在示例性方法中，所述方法可包括对衬底施加原子层沉积循环，其中，所述循环可包括使所述衬底与前体气体接触前体脉冲时间，然后除去所述前体气体，并使所述衬底与包含氧化剂气体和含氮类气体的氧化剂接触氧化脉冲时间，然后除去氧化剂。本发明的各方面利用分子和受激氮-氧自由基/离子形式，可能还与氧化剂如臭氧组合。本发明的实施方式也包含电子元件，以及包括使用按照本发明的方法制造的器件的系统。
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公开(公告)号：CN102234790A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201110155056.0
申请日：2011-04-19
Applicant: ASM美国股份有限公司
IPC: C23C16/448
Abstract: 前体传输系统。提供一种用于向反应腔室提供汽化前体的前体源容器。该前体源容器包括具有第一端口、第二端口和第三端口的盖。该前体源容器还包括可拆除地附着到该盖的基座。该基座包括形成于其中的凹陷区。该第一、第二和第三端口之一是排气端口，该排气端口构造成在半导体工艺中安装源容器之后但在使用源容器之前，释放源容器内的压头。
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