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    Mikroresonatorsysteme und Verfahren zum Herstellen derselben
    4.
    发明专利
    Mikroresonatorsysteme und Verfahren zum Herstellen derselben 未知

    公开(公告)号：DE112008002059B4

    公开(公告)日：2013-11-14

    申请号：DE112008002059

    申请日：2008-07-30

    Applicant: HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO

    Inventor： TAN MICHAEL ,  WANG SHIH-YUAN ,  STEWART DUNCAN ,  FATTAL DAVID

    IPC: H01S3/08 ,  H01S3/109

    Abstract: Ein Mikroresonatorsystem (200), das folgende Merkmale aufweist: ein Substrat (206) mit einer oberen Oberflächenschicht (204); zumindest einen Wellenleiter (214, 216), der in das Substrat (206) eingebettet und benachbart zu der oberen Oberflächenschicht des Substrats positioniert ist; und einen Mikroresonator mit einer oberen Schicht (218), einer Zwischenschicht (222), einer unteren Schicht (220), einer Peripherieregion und einer Peripheriebeschichtung (224), wobei die untere Schicht des Mikroresonators an der oberen Oberflächenschicht des Substrats angebracht ist und in elektrischer Kommunikation mit derselben steht, wobei der Mikroresonator so positioniert ist, dass zumindest ein Abschnitt der Peripherieregion oberhalb des zumindest einen Wellenleiters angeordnet ist, und die Peripheriebeschichtung zumindest einen Abschnitt der Peripherieoberfläche bedeckt und einen relativ niedrigeren Brechungsindex aufweist als die obere, die Zwischen- und die untere Schicht des Mikroresonators.

    5.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE112008000147T5

    公开(公告)日：2010-06-02

    申请号：DE112008000147

    申请日：2008-01-10

    Applicant: HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO

    Inventor： KAMINS THEODORE I ,  STEWART DUNCAN ,  QUITORIANO NATHANIEL J

    IPC: H05K3/46

    Abstract: A multilayer device includes an electronic device layer, a first electrode associated with the electronic device layer, an optical layer, a second electrode associated with the optical layer, and an insulator layer provided between the first and second electrodes. The first and second electrodes are capacitively coupled to each other to facilitate electrical communication between the electronic device layer and the optical layer through transmission of an electrical signal between the first and second electrodes. The electrical signal may be transmitted through the insulator layer. In addition, the electronic device layer and the optical layer may be in electrical communication with each other through capacitive coupling of the first electrode and the second electrode.

    Mikrochip mit aktiver Temperatursteuerung und Verfahren zu dessen Herstellung
    6.
    发明专利
    Mikrochip mit aktiver Temperatursteuerung und Verfahren zu dessen Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE112008000994B4

    公开(公告)日：2013-08-08

    申请号：DE112008000994

    申请日：2008-04-25

    Applicant: HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO

    Inventor： STEWART DUNCAN ,  BEAUSOLEIL RAYMOND ,  KUEKES PHILIP J

    IPC: H01L23/34 ,  H01L21/82 ,  H01L27/14

    Abstract: Mikrochip mit aktiver Temperatursteuerung, der folgende Merkmale aufweist: ein Substrat (12); eine Mehrzahl von Wärme erzeugenden elektronischen Vorrichtungen (14; 54), die durch das Substrat (12) getragen sind, wobei die Wärme erzeugenden elektronischen Vorrichtungen (14; 54) Wärme emittieren, die in Betrieb durch eine räumlich uneinheitliche und zeitlich veränderliche Wärmeverteilung gekennzeichnet ist; eine Mehrzahl von wärmeempfindlichen Vorrichtungen (16; 68), die durch das Substrat (12) getragen sind, in der Nähe der Wärme erzeugenden elektronischen Vorrichtungen (14; 54), und deren Leistungsfähigkeit durch die von den Wärme erzeugenden elektronischen Vorrichtungen (14; 54) emittierte Wärme beeinträchtigt wird; und eine Mehrzahl von Temperatursteuerelementen (18; 56, 62, 64), die durch das Substrat (12) getragen sind und räumlich relativ zu den Wärme erzeugenden elektronischen Vorrichtungen (14; 54) und den wärmeempfindlichen Vorrichtungen (16; 68) verteilt sind, um eine aktive Steuerung einer Temperatur zu ermöglichen, um die räumlich uneinheitliche und zeitlich veränderliche Wärme zu kompensieren, die von den Wärme erzeugenden Vorrichtungen (14; 54) emittiert wird, wobei die Mehrzahl von Temperatursteuerelementen zumindest ein Temperatursensorelement (62) umfassen.

    7.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE112008000248T5

    公开(公告)日：2010-04-29

    申请号：DE112008000248

    申请日：2008-01-31

    Applicant: HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO

    Inventor： HARTWELL PETER ,  STEWART DUNCAN

    IPC: H01L23/46

    Abstract: One embodiment in accordance with the invention is a system that can include a first wafer and a second wafer. The first wafer and the second wafer can be bonded together by a wafer bonding process that forms a gap between the first wafer and the second wafer. The gap can be configured for receiving a heat extracting material.

    ACTIVE INTERCONNECTS AND CONTROL POINTS IN INTEGRATED CIRCUITS
    10.
    发明申请
    ACTIVE INTERCONNECTS AND CONTROL POINTS IN INTEGRATED CIRCUITS 审中-公开
    集成电路中的主动互连和控制点

    公开(公告)号：WO2006115968A3

    公开(公告)日：2007-08-16

    申请号：PCT/US2006014856

    申请日：2006-04-19

    Applicant: HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO ,  WILLIAMS R STANLEY ,  KUEKES PHILLIP J ,  PERNER FREDERICK A ,  SNIDER GREGORY S ,  STEWART DUNCAN

    Inventor： WILLIAMS R STANLEY ,  KUEKES PHILLIP J ,  PERNER FREDERICK A ,  SNIDER GREGORY S ,  STEWART DUNCAN

    IPC: H01L21/66

    CPC classification number: H05K7/1092 ,  H01L23/5228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: In various embodiments of the present invention, tunable resistors (1102) are introduced at the interconnect layer of the integrated circuits (102) in order to provide a means for adjusting internal voltage and/or current levels within the integrated circuit to repair defective components or to configure the integrated circuit following manufacture. For example, when certain internal components, such as transistors, do not have specified electronics characteristics due to manufacturing defects, adjustment of the variable resistances of the tunable resistors (1102) included in the interconnect layer of integrated circuits according to embodiments of the present invention can be used to adjust internal voltage and/or levels in order to ameliorate the defective components. In other cases, the tunable resistors may be used as switches to configure integrated circuit components, including individual transistors and logic gates as well as larger, hierarchically structured functional modules and domains. In some cases, components and modules may be turned off, while, in other cases, components and modules may be turned on.

    Abstract translation: 在本发明的各种实施例中，可调谐电阻器（1102）被引入集成电路（102）的互连层，以便提供用于调整集成电路内的内部电压和/或电流水平以修复有缺陷的部件或 配置后续制造的集成电路。 例如，当某些内部组件（例如晶体管）由于制造缺陷而没有指定的电子特性时，根据本发明的实施例调整包括在集成电路的互连层中的可调电阻器（1102）的可变电阻 可以用于调整内部电压和/或电平，以改善有缺陷的部件。 在其他情况下，可调谐电阻器可以用作开关以配置集成电路部件，包括单独的晶体管和逻辑门以及更大的分层结构的功能模块和域。 在某些情况下，可能会关闭组件和模块，而在其他情况下，可能会打开组件和模块。

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