公开(公告)号：DE102021125181A1

公开(公告)日：2022-05-05

申请号：DE102021125181

申请日：2021-09-29

Applicant: IBM

Inventor： LEE KO-TAO ,  DU SHWAN XIAOFENG ,  LI NING ,  ZHANG XIN

IPC: H01L21/8258 ,  H01L21/20 ,  H01L27/085 ,  H01L29/778

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Einheit bereitgestellt. Das Verfahren umfasst: Bilden einer dielektrischen Schicht auf einem Substrat auf Grundlage von Si, Wegätzen von Abschnitten der dielektrischen Schicht, um eine mit einem Kreuzungsmuster versehene Gitterstruktur aus verbliebenen Abschnitten der dielektrischen Schicht zu bilden und das Substrat in Bereichen freizulegen, in denen die dielektrische Schicht entfernt wird, Bilden von Schichten auf Grundlage von GaN auf dem Substrat in Bereichen für ein Aufwachsen zwischen Seitenwänden der verbliebenen Abschnitte der dielektrischen Schicht und Bilden einer Halbleitereinheit auf den Schichten auf Grundlage von GaN.