公开(公告)号：WO2013181117A3

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：PCT/US2013042772

申请日：2013-05-24

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  HEKMATSHOARTABARI BAHMAN ,  LAURO PAUL A ,  LI NING ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0684 ,  H01L21/02002 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/547

Abstract: A stressor layer used in a controlled spalling method is removed through the use of a cleave layer that can be fractured or dissolved. The cleave layer is formed between a host semiconductor substrate and the metal stressor layer. A controlled spalling process separates a relatively thin residual host substrate layer from the host substrate. Following attachment of a handle substrate to the residual substrate layer or other layers subsequently formed thereon, the cleave layer is dissolved or otherwise compromised to facilitate removal of the stressor layer. Such removal allows the fabrication of a bifacial solar cell.

Abstract translation: 以受控剥落方式使用的应力层通过使用可以断裂或溶解的裂开层去除。 在主体半导体衬底和金属应力层之间形成切割层。 受控的剥落过程将相对薄的残余主体衬底层与主体衬底分离。 在将手柄衬底附接到残留衬底层或随后在其上形成的其它层之后，解理层被溶解或以其他方式受到损害以便于去除应力层。 这种去除允许制造双面太阳能电池。

公开(公告)号：DE102021122555A1

公开(公告)日：2022-03-31

申请号：DE102021122555

申请日：2021-08-31

Applicant: IBM

Inventor： LI NING ,  DE SOUZA JOEL P ,  BREW KEVIN W ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/00 ,  H01L29/43

Abstract: Eine Phasenänderungsspeicher(PCM)-Einheit weist auf: eine dielektrische Schicht, eine untere Elektrode, die in der dielektrischen Schicht angeordnet ist, ein Liner-Material, das auf der unteren Elektrode angeordnet ist, ein Phasenänderungsmaterial, das auf dem Liner-Material angeordnet ist, sowie eine obere Elektrode, die auf dem Phasenänderungsmaterial und in der dielektrischen Schicht angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102016105066A1

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：DE102016105066

申请日：2016-03-18

Applicant: IBM

Inventor： CAI JIN ,  LEOBANDUNG EFFENDI ,  LI NING ,  NING TAK H ,  PLOUCHART JEAN-OLIVIER ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L27/14 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/15 ,  H01L29/06

Abstract: Nach einem Bilden eines ersten Grabens, der sich durch eine obere Halbleiterschicht und eine vergrabene Isolator-Schicht hindurch und in ein Handhabungssubstrat eines Halbleiter-auf-Isolator(SOI)-Substrats hinein erstreckt, wird innerhalb des ersten Grabens ein Stapel aus Material für einen dielektrischen Wellenleiter gebildet, der eine untere dielektrische Mantelschicht, eine Kernschicht sowie eine obere dielektrische Mantelschicht beinhaltet. Als nächstes wird in einem verbliebenen Teilbereich der oberen Halbleiterschicht wenigstens ein lateraler Bipolartransistor (BJT) gebildet, der aus einem pnp-BJT, einem npn-BJT oder einem Paar von komplementären pnp-BJT und npn-BJT bestehen kann. Nach einem Bilden eines zweiten Grabens, der sich durch den Stapel aus Material für den dielektrischen Wellenleiter hindurch erstreckt, um einen Teilbereich einer Bodenfläche des ersten Grabens wieder freizulegen, wird in dem zweiten Graben eine Laserdiode gebildet.

公开(公告)号：DE102021122555B4

公开(公告)日：2024-12-05

申请号：DE102021122555

申请日：2021-08-31

Applicant: IBM

Inventor： LI NING ,  DE SOUZA JOEL P ,  BREW KEVIN W ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H10N70/20 ,  G11C13/00 ,  H01L29/43 ,  H10B63/10

Abstract: Phasenänderungsspeicher-Einheit, die aufweist:eine dielektrische Schicht;eine untere Elektrode, die in der dielektrischen Schicht angeordnet ist;ein Liner-Material, das auf der unteren Elektrode angeordnet ist, wobei das Liner-Material des Weiteren eine aus Al gebildete Metallschicht aufweist, die über einer Dünnschicht aus einem leitfähigen Oxid angeordnet ist;ein Phasenänderungsmaterial, das auf dem Liner-Material angeordnet ist; undeine obere Elektrode, die auf dem Phasenänderungsmaterial und in der dielektrischen Schicht angeordnet ist.

公开(公告)号：DE112021000358T5

公开(公告)日：2022-12-08

申请号：DE112021000358

申请日：2021-02-03

Applicant: IBM

Inventor： LI NING ,  KIM WANKI ,  SADANA DEVENDRA

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/62 ,  H01L45/00

Abstract: Eine Phasenwechselspeicher(PCM)-Struktur, die zur Durchführung eines schrittweisen Rücksetzvorgangs gestaltet ist, enthält eine erste und eine zweite Elektrode und eine Phasenwechselmaterialschicht, die zwischen der ersten und der zweiten Elektrode angeordnet ist. Die PCM-Struktur enthält ferner eine Wärmeisolationsschicht, die auf wenigstens Seitenwänden der ersten und der zweiten Elektrode und der Phasenwechselmaterialschicht angeordnet ist. Die Wärmeisolationsschicht ist dafür gestaltet, ungleichförmiges Erhitzen der Phasenwechselmaterialschicht bereitzustellen. Gegebenenfalls kann die Wärmeisolationsschicht als ein Luftspalt gebildet sein. Die PCM-Struktur kann mit der ersten und der zweiten Elektrode in einer vertikalen oder einer lateralen Anordnung ausgerichtet gestaltet sein.

公开(公告)号：DE112021001159T5

公开(公告)日：2022-12-01

申请号：DE112021001159

申请日：2021-02-17

Applicant: IBM

Inventor： LI NING ,  KIM WANKI ,  BEDELL STEPHEN ,  SADANA DEVENDRA

IPC: G11C13/00

Abstract: Eine Vorrichtung enthält ein analoges Phasenänderungsspeicher-Array, das ein Array von Zellen enthält, die durch erste Leitungen und zweite Leitungen adressierbar sind und auf die über diese zugegriffen werden kann. Die Vorrichtung enthält eine oder mehrere Einheiten, die mit der einen oder mehreren ersten Leitungen verbunden sind. Die eine oder mehreren Einheiten können mit der einen oder mehreren ersten Leitungen verbunden oder von diesen getrennt werden, um die Widerstandsdrift des Phasenänderungsspeichers mindestens einer der Zellen in der einen oder mehreren ersten Leitungen zu kompensieren. Die Vorrichtung kann auch eine Steuerschaltung enthalten, die zum Senden eines identischen Einstellimpulses unter Verwendung der ersten Leitungen und zweiten Leitungen einmal während jedes Zeitraums nacheinander durch die eine oder mehreren Einheiten zu mehreren einzelnen Phasenänderungsspeicher-Widerständen in dem Phasenänderungsspeicher-Array konfiguriert ist.

公开(公告)号：AU2021234173A1

公开(公告)日：2022-08-04

申请号：AU2021234173

申请日：2021-02-03

Applicant: IBM

Inventor： LI NING ,  KIM WANKI ,  SADANA DEVENDRA

IPC: H01L45/00

Abstract: A phase change memory (PCM) structure configured for performing a gradual reset operation includes first and second electrodes and a phase change material layer disposed between the first and second electrodes. The PCM structure further includes a thermal insulation layer disposed on at least sidewalls of the first and second electrodes and phase change material layer. The thermal insulation layer is configured to provide non-uniform heating of the phase change material layer. Optionally, the thermal insulation layer may be formed as an air gap. The PCM structure may be configured having the first and second electrodes aligned in a vertical or a lateral arrangement.

公开(公告)号：DE112020005252T5

公开(公告)日：2022-07-21

申请号：DE112020005252

申请日：2020-11-20

Applicant: IBM

Inventor： LI NING ,  DE SOUZA JOEL ,  BEDELL STEPHEN ,  SADANA DEVENDRA

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/82 ,  H01L27/24

Abstract: Eine untere Elektrode (110) wird auf ein Substrat (105) abgeschieden. Eine Schicht aus dielektrischem Material (115) wird auf die untere Elektrode (110) abgeschieden. In der Schicht aus dielektrischem Material (115) wird ein Loch erzeugt. Eine ablösbare Schicht (116) wird auf die Schicht aus dielektrischem Material (115) aufgeschleudert und gebrannt. Eine Photoresistschicht (117) wird auf die ablösbare Schicht (116) aufgeschleudert und gebrannt. UV-Lithographie wird durchgeführt, um eine Öffnung über dem Loch in der Schicht aus dielektrischem Material (115) zu bilden. Eine Ag-Schicht (120) wird auf der verbleibenden strukturierten Schicht aus dielektrischem Material und der Photoresistschicht (117) abgeschieden. Eine Germanium-Antimon-Tellurid(GST)-Schicht (130) wird auf die Ag-Schicht (120) abgeschieden. Eine obere Elektrode (140) wird auf die GST-Schicht (130) abgeschieden. Die Ag-Schicht (120), die GST-Schicht (130) und die obere Elektrode (140), die auf der Photoresistschicht (117) angeordnet sind, werden zusammen mit der Photoresistschicht (117) und der ablösbaren Schicht (116) entfernt.

公开(公告)号：DE102021125181A1

公开(公告)日：2022-05-05

申请号：DE102021125181

申请日：2021-09-29

Applicant: IBM

Inventor： LEE KO-TAO ,  DU SHWAN XIAOFENG ,  LI NING ,  ZHANG XIN

IPC: H01L21/8258 ,  H01L21/20 ,  H01L27/085 ,  H01L29/778

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Einheit bereitgestellt. Das Verfahren umfasst: Bilden einer dielektrischen Schicht auf einem Substrat auf Grundlage von Si, Wegätzen von Abschnitten der dielektrischen Schicht, um eine mit einem Kreuzungsmuster versehene Gitterstruktur aus verbliebenen Abschnitten der dielektrischen Schicht zu bilden und das Substrat in Bereichen freizulegen, in denen die dielektrische Schicht entfernt wird, Bilden von Schichten auf Grundlage von GaN auf dem Substrat in Bereichen für ein Aufwachsen zwischen Seitenwänden der verbliebenen Abschnitte der dielektrischen Schicht und Bilden einer Halbleitereinheit auf den Schichten auf Grundlage von GaN.

公开(公告)号：DE102016105057B4

公开(公告)日：2018-07-26

申请号：DE102016105057

申请日：2016-03-18

Applicant: IBM

Inventor： LEOBANDUNG EFFENDI ,  LI NING ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L21/8258 ,  G02B6/13 ,  H01L21/84 ,  H01L31/173 ,  H01S5/026 ,  H01S5/323

Abstract: Verfahren zum Bilden einer optoelektronischen Einheit (115) und einer Einheit (112) auf einem einzelnen Chip (100), aufweisend:Bilden eines SOI-Substrats in einer ersten Zone (101) und einer zweiten Zone (103), wobei das SOI-Substrat eine Halbleiterschicht (106) auf einer ersten Isolatorschicht (104) umfasst und sich die erste Isolatorschicht auf einem Substrat (102) befindet;Entfernen der Halbleiterschicht und der Isolatorschicht von der zweiten Zone, wobei eine obere Fläche des Substrats freigelegt wird;Bilden einer zweiten Isolatorschicht (108) auf der Halbleiterschicht in der ersten Zone;Bilden einer Substraterweiterungsschicht (110) auf dem frei liegenden Substrat in der zweiten Zone;Bilden der Einheit auf der Substraterweiterungsschicht;Bilden einer Einheitsisolatorschicht (109), welche die Einheit in der zweiten Zone bedeckt;Bilden eines Wellenleiters (114) in der zweiten Isolatorschicht; undBilden der optoelektronischen Einheit in der ersten Zone, wobei die optoelektronische Einheit eine untere Verkleidungsschicht (116), eine aktive Zone (118) und eine obere Verkleidungsschicht (117) aufweist, wobei sich die untere Verkleidungsschicht auf der Halbleiterschicht befindet, die aktive Zone auf der unteren Verkleidungsschicht befindet und die obere Verkleidungsschicht auf der aktiven Zone befindet.