公开(公告)号：DE112014005890B4

公开(公告)日：2017-02-09

申请号：DE112014005890

申请日：2014-12-04

Applicant: IBM

Inventor： HAN SHU-JEN ,  HANNON JAMES B ,  HAENSCH WILFRIED

IPC: H01L29/78 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/16 ,  H01L29/43

Abstract: Halbleitereinheit (200), aufweisend: ein Substrat (100), welches sich entlang einer ersten Richtung, wodurch eine Länge definiert wird, und einer zweiten Richtung senkrecht zu der ersten Richtung erstreckt, wodurch eine Höhe definiert wird, wobei das Substrat (100) eine Dielektrikumsschicht (104) und mindestens einen Gate-Stapel (106) umfasst, der auf der Dielektrikumsschicht (104) ausgebildet ist; einen Source-Kontakt (115), der in Nachbarschaft zu einer ersten Seite des Gate-Stapels ausgebildet ist, und einen Drain-Kontakt (116), der in Nachbarschaft zu einer gegenüber liegenden zweiten Seite des Gate-Stapels (106) ausgebildet ist; eine funktionalisierte Dielektrikumsschicht (113), die auf der Dielektrikumsschicht (104) ausgebildet ist und zwischen dem Source-Kontakt (115) und dem Gate-Stapel (106) und zwischen dem Drain-Kontakt (116) und dem Gate-Stapel (106) angeordnet ist; und ein Kohlenstoff-Nanoröhrchen (118), das auf dem Source-Kontakt (115) und dem Drain-Kontakt (116) ausgebildet ist, wobei das Kohlenstoff-Nanoröhrchen (118) einen ersten Abschnitt, welcher den Source-Kontakt (115) kontaktiert, um eine Source zu bilden, einen zweiten Abschnitt, welcher den Drain-Kontakt (116) kontaktiert, um einen Drain zu bilden, und einen dritten Abschnitt umfasst, welcher zwischen dem ersten und zweiten Abschnitt angeordnet ist, um einen Gate-Kanal (120) zu definieren, der sich entlang der ersten Richtung erstreckt, wobei sich die Source und der Drain entlang der zweiten Richtung erstrecken und eine größere Länge aufweisen als eine Gate-Länge des Gate-Kanals (120), wobei wenigstens ein Abschnitt des Kohlenstoff-Nanoröhrchens (118) elektrostatisch an wenigstens einen Abschnitt der funktionalisierten Dielektrikumsschicht (113) gebunden ist, und ...

公开(公告)号：DE112014005890T5

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：DE112014005890

申请日：2014-12-04

Applicant: IBM

Inventor： HAN SHU-JEN ,  HANNON JAMES B ,  HAENSCH WILFRIED

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Eine Halbleitereinheit umfasst ein Substrat, welches sich entlang einer ersten Richtung, wodurch eine Länge definiert wird, und einer zweiten Richtung senkrecht zu der ersten Richtung erstreckt, wodurch eine Höhe definiert wird. Das Substrat umfasst eine Dielektrikumsschicht und mindestens einen Gate-Stapel, der auf der Dielektrikumsschicht ausgebildet ist. Ein Source-Kontakt ist in Nachbarschaft zu einer ersten Seite des Gate-Stapels ausgebildet und ein Drain-Kontakt ist in Nachbarschaft zu einer gegenüber liegenden zweiten Seite des Gate-Stapels ausgebildet. Ein Kohlenstoff-Nanoröhrchen ist auf dem Source-Kontakt und dem Drain-Kontakt ausgebildet. Ein erster Abschnitt des Nanoröhrchens bildet eine Source. Ein zweiter Abschnitt bildet einen Drain. Ein dritter Abschnitt ist zwischen der Source und dem Drain angeordnet, wodurch ein Gate-Kanal gebildet wird, welcher sich entlang der ersten Richtung erstreckt. Die Source und der Drain erstrecken sich entlang der zweiten Richtung und weisen eine größere Länge als der Gate-Kanal auf.