Patent search ap:("IBM") AND inv:"LEO ESAKI" Page 1

1.

发明授权
High sensitivity diodes 失效
Title translation: 高灵敏度二极管

公开(公告)号：US3366518A

公开(公告)日：1968-01-30

申请号：US37961564

申请日：1964-07-01

Applicant: IBM

Inventor： LEO ESAKI , LAFF ROBERT A

IPC: H01L21/00 , H01L21/24 , H01L21/34 , H01L21/479 , H01L29/00 , H01L29/24

CPC classification number: H01L29/00 , H01L21/00 , H01L21/24 , H01L21/34 , H01L21/479 , H01L29/24

2.

发明授权
Heterojunction triode 失效
Title translation: 异质结三极管

公开(公告)号：US3209215A

公开(公告)日：1965-09-28

申请号：US20630462

申请日：1962-06-29

Applicant: IBM

Inventor： LEO ESAKI

IPC: H01L21/00 , H01L29/04 , H01L29/267 , H01L29/76

CPC classification number: H01L29/7606 , H01L21/00 , H01L29/045 , H01L29/267

3.

发明授权
Semimetal pn junction devices 失效
Title translation: 半金属pn结器件

公开(公告)号：US3308351A

公开(公告)日：1967-03-07

申请号：US31583563

申请日：1963-10-14

Applicant: IBM

Inventor： LEO ESAKI

IPC: H01L21/00 , H01L21/34 , H01L21/479 , H01L27/00 , H01L29/00 , H01L29/24 , H01L29/73

CPC classification number: H01L29/24 , H01L21/00 , H01L21/34 , H01L21/479 , H01L27/00 , H01L29/00 , H01L29/73

4.

发明授权
Cryogenic hall-effect semimetal electronic element 失效
Title translation: 低温大厅效应半金属电子元件

公开(公告)号：US3303427A

公开(公告)日：1967-02-07

申请号：US17601862

申请日：1962-02-27

Applicant: IBM

Inventor： LEO ESAKI

IPC: H01L43/06 , H01L43/08

CPC classification number: H01L43/06 , H01L43/08 , Y10S505/825 , Y10T428/12528 , Y10T428/12535

5.

发明专利
Elektrisches Schaltelement, das den quantenmechanischen Tunneleffekt ausnutzt 未知

公开(公告)号：CH406433A

公开(公告)日：1966-01-31

申请号：CH98962

申请日：1962-01-26

Applicant: IBM

Inventor： LEO ESAKI

IPC: G11C11/44 , H01F1/14 , H01L39/00 , H01L39/22 , H01L45/00 , H03K17/92

6.

发明专利
Festkörpervorrichtung 未知

公开(公告)号：CH438492A

公开(公告)日：1967-06-30

申请号：CH1334464

申请日：1964-10-14

Applicant: IBM

Inventor： LEO ESAKI

IPC: H01L21/00 , H01L21/34 , H01L21/479 , H01L27/00 , H01L29/00 , H01L29/24 , H01L29/73 , H01L3/00

7.

发明专利
Halbleitervorrichtung mit mindestens einer Sperrschicht und nur einem Leitfähigkeitstypus im gesamten Halbleiterkörper 未知

公开(公告)号：CH408220A

公开(公告)日：1966-02-28

申请号：CH778663

申请日：1963-06-25

Applicant: IBM

Inventor： LEO ESAKI

IPC: H01L21/00 , H01L29/04 , H01L29/267 , H01L29/76

8.

发明专利
未知

公开(公告)号：IT8023529D0

公开(公告)日：1980-07-18

申请号：IT2352980

申请日：1980-07-18

Applicant: IBM

Inventor： GONG CHANG LEROY LI , LEO ESAKI

IPC: H01L29/80 , H01L21/338 , H01L29/15 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L

9.

发明专利
Verfahren zum Herstellen von Halbleiterdioden aus Bleitellurid 未知

公开(公告)号：CH434485A

公开(公告)日：1967-04-30

申请号：CH923265

申请日：1965-07-01

Applicant: IBM

Inventor： LEO ESAKI , ROBERT ALLAN LAFF

IPC: H01L21/00 , H01L21/24 , H01L21/34 , H01L21/479 , H01L29/00 , H01L29/24 , H01

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