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公开(公告)号：DE112020003407B4
公开(公告)日：2024-11-28
申请号：DE112020003407
申请日：2020-08-18
Applicant: IBM
Inventor： DORIS BRUCE , SUWANNASIRI THITIMA , MARCHACK NATHAN , HASHEMI POUYA
Abstract: Speicherstruktur, aufweisend:eine mehrschichtige untere Elektrode (19S; 55S), die auf einer Oberfläche einer elektrisch leitfähigen Struktur (12), die in einer ersten Verbindungsschicht (10) aus dielektrischem Material eingebettet ist, angeordnet ist, wobei die mehrschichtige untere Elektrode ein Basissegment (S1), das einen ersten Durchmesser aufweist und aus erstem leitfähigem Material besteht, ein mittleres Segment (S2), das einen zweiten Durchmesser aufweist und aus einem zweiten leitfähigen Material besteht, das in seiner Zusammensetzung von dem ersten leitfähigen Material verschieden ist, und ein oberes Segment (S3), das einen dritten Durchmesser aufweist und aus einem dritten leitfähigen Material besteht, das in seiner Zusammensetzung von dem zweiten leitfähigen Material verschieden ist, aufweist, wobei der erste Durchmesser größer als der zweite Durchmesser ist und der dritte Durchmesser gleich dem zweiten Durchmesser oder kleiner als der zweite Durchmesser ist;eine zweite Verbindungsschicht (24) aus dielektrischem Material seitlich benachbart zu der mehrschichtigen unteren Elektrode;eine Magnetischer-Tunnelübergangs-Säule (26P), die auf einer obersten Oberfläche des oberen Segments der mehrschichtigen unteren Elektrode angeordnet ist; undeine obere Elektrode (34), die auf der Magnetischer-Tunnelübergangs-Säule angeordnet ist,wobei die Magnetischer-Tunnelübergangs-Säule und die obere Elektrode eine gleiche kritische Abmessung aufweisen und die kritische Abmessung der Magnetischer-Tunnelübergangs-Säule und der oberen Elektrode größer als eine kritische Abmessung des oberen Segments der unteren Elektrode ist.
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公开(公告)号：DE112019006562T5
公开(公告)日：2021-10-14
申请号：DE112019006562
申请日：2019-12-17
Applicant: IBM
Inventor： MARCHACK NATHAN , DORIS BRUCE , HASHEMI POUYA
IPC: H01L43/12 , H01L21/3065 , H01L21/768 , H01L27/22 , H01L43/02 , H01L43/08
Abstract: Eine untere Elektrodenstruktur für MRAM- oder MTJ-basierte Speicherzellen weist eine Verjüngung auf, so dass die untere CD kleiner als die obere CD ist. Ein Verfahren zur Herstellung einer unteren Elektrodenkontaktstruktur weist ein Ätzen einer dielektrischen Schicht unter Verwendung einer Plasmachemie mit einem erhöhten Polymerisationsgrad auf. So erhält man ein durch dieses Verfahren hergestelltes Produkt.
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公开(公告)号：DE112020004072T5
公开(公告)日：2022-05-19
申请号：DE112020004072
申请日：2020-08-20
Applicant: IBM
Inventor： DORIS BRUCE , GALLIGAN EILEEN , MARCHACK NATHAN , HASHEMI POUYA
Abstract: Eine Struktur aus einem dielektrischen Material wird seitlich angrenzend an einen unteren Abschnitt eines metallhaltigen Abschnitts einer unteren Elektrode ausgebildet, der sich von einer elektrisch leitfähigen Struktur, die in eine Schicht aus einem dielektrischen Verbindungsmaterial eingebettet ist, aufwärts erstreckt. Der physisch freigelegte obere Abschnitt des metallhaltigen Abschnitts einer unteren Elektrode wird anschließend beschnitten, um eine untere Elektrode mit einem einstückigen Aufbau (d.h., aus einem einzigen Teil) bereitzustellen, die einen unteren Abschnitt mit einem ersten Durchmesser und einen oberen Abschnitt mit einem zweiten Durchmesser aufweist, der größer als der erste Durchmesser ist. Das Vorhandensein der Struktur aus einem dielektrischen Material verhindert ein Kippen und/oder Biegen der resultierenden unteren Elektrode. Auf diese Weise wird eine stabile untere Elektrode bereitgestellt.
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公开(公告)号：DE112020003407T5
公开(公告)日：2022-03-31
申请号：DE112020003407
申请日：2020-08-18
Applicant: IBM
Inventor： DORIS BRUCE , SUWANNASIRI THITIMA , MARCHACK NATHAN , HASHEMI POUYA
Abstract: Es wird eine mehrschichtige untere Elektrode für eine Magnetischer-Tunnelkontakt(MTK)-enthaltende Einheit bereitgestellt, die von unten nach oben ein Basissegment, das einen ersten Durchmesser aufweist und aus einem verbleibenden Teil einer ersten metallhaltigen Schicht einer unteren Elektrode besteht, ein mittleres Segment, das einen zweiten Durchmesser aufweist und aus einem verbleibenden Teil einer zweiten metallhaltigen Schicht der unteren Elektrode besteht, und ein oberes Segment, das einen dritten Durchmesser aufweist und aus einem verbleibenden Teil einer dritten metallhaltigen Schicht der unteren Elektrode besteht, aufweist, wobei der erste Durchmesser größer als der zweite Durchmesser ist und der dritte Durchmesser gleich dem zweiten oder kleiner als der zweite Durchmesser ist. Das breitere Basissegment jeder mehrschichtigen unteren Elektrode verhindert Kippen und/oder Biegen der erhaltenen unteren Elektrode. Somit wird eine stabile untere Elektrode bereitgestellt.
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