公开(公告)号：DE112016001721T5

公开(公告)日：2018-01-04

申请号：DE112016001721

申请日：2016-05-23

Applicant: IBM

Inventor： GAMBETTA JAY ,  DIAL OLIVER ,  STEFFEN MATTHIAS ,  MCCLURE III DOUGLAS TEMPLETON

IPC: H01P7/00

Abstract: Eine Technik bezieht sich auf einen supraleitenden Mikrowellen-Hohlraum. Eine Anordnung von Säulen weist unterschiedliche Höhen in dem Hohlraum (100) auf, und die Anordnung unterstützt einen lokalisierten Mikrowellen-Modus. Die Anordnung von Säulen beinhaltet Säulen (20) mit einer niedrigeren Resonanzfrequenz und Säulen (10) mit einer höheren Resonanzfrequenz. Die Säulen (10) mit einer höheren Resonanzfrequenz sind um die Säulen (20) mit einer niedrigeren Resonanzfrequenz herum angeordnet. Eine erste Platte (25) befindet sich entgegengesetzt zu einer zweiten Platte (30) in dem Hohlraum (100). Ein Ende der Säulen (20) mit einer niedrigeren Resonanzfrequenz ist so auf der zweiten Platte (30) positioniert, dass es mit der zweiten Platte (30) elektrisch verbunden ist. Ein anderes Ende der Säulen (20) mit einer niedrigeren Resonanzfrequenz in der Anordnung ist offen, so dass mit der ersten Platte (25) keine elektrische Verbindung gebildet wird. Qubits (40) sind mit den Säulen (20) mit einer niedrigeren Resonanzfrequenz in der Anordnung von Säulen derart verbunden, dass jedes der Qubits (40) mit einer oder zwei von den Säulen (20) mit einer niedrigeren Resonanzfrequenz in der Anordnung von Säulen physisch verbunden ist.