公开(公告)号：AU2021399002B2

公开(公告)日：2025-02-06

申请号：AU2021399002

申请日：2021-12-13

Applicant: IBM

Inventor： ABRAHAM DAVID ,  DIAL OLIVER ,  COTTE JOHN ,  PETRARCA KEVIN SHAWN

IPC: H01L21/768 ,  G06N10/40 ,  H01L23/00 ,  H01L25/065

Abstract: A device (500) comprises a first chip (508) having a first chip front-side and a first chip back-side, a qubit chip (504) having a qubit chip front-side and a qubit chip back-side, the qubit chip front-side operatively coupled to the first chip front-side with a set of bump-bonds (506), a set of through-silicon vias (TSVs) connected to at least one of the first chip back-side or the qubit chip back-side, and a cap wafer (502) that is metal bonded to at least one of the qubit chip back-side or the first chip back-side. Preferably, the qubits and the TSVs are superconducting, and the cap wafer features a cavity that comprises a metal coating on its inside surface for electromagnetic shielding.

公开(公告)号：AU2021301163A1

公开(公告)日：2022-11-10

申请号：AU2021301163

申请日：2021-06-28

Applicant: IBM

Inventor： FINCK AARON ,  BLAIR JOHN ,  CARNIOL APRIL ,  DIAL OLIVER ,  KUMPH MUIR

IPC: H03K19/195 ,  G06N10/00 ,  H03K19/0175

Abstract: Devices and/or computer-implemented methods to facilitate ZZ cancellation between qubits are provided. According to an embodiment, a device can comprise a coupler device that operates in a first oscillating mode and a second oscillating mode. The device can further comprise a first superconducting qubit coupled to the coupler device based on a first oscillating mode structure corresponding to the first oscillating mode and based on a second oscillating mode structure corresponding to the second oscillating mode. The device can further comprise a second superconducting qubit coupled to the coupler device based on the first oscillating mode structure and the second oscillating mode structure.

公开(公告)号：DE112016001721T5

公开(公告)日：2018-01-04

申请号：DE112016001721

申请日：2016-05-23

Applicant: IBM

Inventor： GAMBETTA JAY ,  DIAL OLIVER ,  STEFFEN MATTHIAS ,  MCCLURE III DOUGLAS TEMPLETON

IPC: H01P7/00

Abstract: Eine Technik bezieht sich auf einen supraleitenden Mikrowellen-Hohlraum. Eine Anordnung von Säulen weist unterschiedliche Höhen in dem Hohlraum (100) auf, und die Anordnung unterstützt einen lokalisierten Mikrowellen-Modus. Die Anordnung von Säulen beinhaltet Säulen (20) mit einer niedrigeren Resonanzfrequenz und Säulen (10) mit einer höheren Resonanzfrequenz. Die Säulen (10) mit einer höheren Resonanzfrequenz sind um die Säulen (20) mit einer niedrigeren Resonanzfrequenz herum angeordnet. Eine erste Platte (25) befindet sich entgegengesetzt zu einer zweiten Platte (30) in dem Hohlraum (100). Ein Ende der Säulen (20) mit einer niedrigeren Resonanzfrequenz ist so auf der zweiten Platte (30) positioniert, dass es mit der zweiten Platte (30) elektrisch verbunden ist. Ein anderes Ende der Säulen (20) mit einer niedrigeren Resonanzfrequenz in der Anordnung ist offen, so dass mit der ersten Platte (25) keine elektrische Verbindung gebildet wird. Qubits (40) sind mit den Säulen (20) mit einer niedrigeren Resonanzfrequenz in der Anordnung von Säulen derart verbunden, dass jedes der Qubits (40) mit einer oder zwei von den Säulen (20) mit einer niedrigeren Resonanzfrequenz in der Anordnung von Säulen physisch verbunden ist.