公开(公告)号：DE112021006108B4

公开(公告)日：2024-12-12

申请号：DE112021006108

申请日：2021-10-20

Applicant: IBM

Inventor： FAROOQ MUKTA GHATE ,  MCHERRON DALE CURTIS ,  SKORDAS SPYRIDON

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/768 ,  H01L23/12 ,  H01L23/52

Abstract: Halbleiterstruktur, die aufweist:einen Träger-Wafer;einen Halbleiter-Wafer, der oben auf dem Träger-Wafer gekoppelt ist;eine erste Dielektrikumschicht oben auf dem Halbleiter-Wafer;eine zweite Dielektrikumschicht, die direkt oben auf die erste Dielektrikumschicht gebondet ist; undeine oder mehrere Back-End-of-Line(BEOL)-Verdrahtungen, die von einer oberen Fläche des Halbleiter-Wafers durch die erste und die zweite Dielektrikumschicht verlaufen,wobei die erste und die zweite Dielektrikumschicht eine Diamantdünnschicht aufweisen.