公开(公告)号：DE112010003772T5

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：DE112010003772

申请日：2010-08-31

Applicant: IBM

Inventor： HANNON JAMES BOWLER ,  MCFEELY FENTON READ ,  YURKAS JOHN JACOB ,  OIDA SATOSHI

IPC: H01L29/16

Abstract: Ein Verfahren zum elektrischen Aktivieren einer Struktur, die eine oder mehrere Graphenschichten aufweist, die auf einer Siliciumcarbidschicht gebilden Oxidationsverfahren, um eine Siliciumoxidschicht zu bilden, die zwischen der Siliciumcarbidschicht und der untersten der einen oder mehreren Graphenschichten angeordnet ist, wodurch die unterste Graphenschicht elektrisch aktiviert wird.

公开(公告)号：DE112010003772B4

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：DE112010003772

申请日：2010-08-31

Applicant: IBM

Inventor： HANNON JAMES BOWLER ,  MCFEELY FENTON READ ,  YURKAS JOHN JACOB ,  OIDA SATOSHI

IPC: H01L29/16

Abstract: Verfahren zum elektrischen Aktivieren einer Struktur, die eine oder mehrere Graphenschichten aufweist, die über einer Siliciumcarbidschicht gebildet sind, wobei das Verfahren umfasst: Unterwerfen der Struktur an ein Oxidationsverfahren, um eine Siliciumoxidschicht mittels eines Oxidierens einer Oberfläche der Siliciumcarbidschicht zu bilden, die zwischen der Siliciumcarbidschicht und der untersten der einen oder mehreren Graphenschichten angeordnet ist, wodurch die unterste Graphenschicht elektrisch aktiviert wird, wobei sp2-Hybridisierung von Kohlenstoffatomen der untersten der einen oder mehreren Graphenschichten nicht zerstört wird, und deren &pgr;-Band wiederhergestellt wird.

公开(公告)号：GB2486116B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：GB201204308

申请日：2010-08-31

Applicant: IBM

Inventor： MCFEELY FENTON READ ,  YURKAS JOHN JACOB ,  OIDA SATOSHI ,  HANNON JAMES BOWLER

IPC: H01L29/16

Abstract: A method of electrically activating a structure having one or more graphene layers formed on a silicon carbide layer includes subjecting the structure to an oxidation process so as to form a silicon oxide layer disposed between the silicon carbide layer and a bottommost of the one or more graphene layers, thereby electrically activating the bottommost graphene layer.

公开(公告)号：GB2486116A

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：GB201204308

申请日：2010-08-31

Applicant: IBM

Inventor： MCFEELY FENTON READ ,  YURKAS JOHN JACOB ,  OIDA SATOSHI ,  HANNON JAMES BOWLER

IPC: H01L29/16

Abstract: A method of electrically activating a structure having one or more graphene layers formed on a silicon carbide layer includes subjecting the structure to an oxidation process so as to form a silicon oxide layer disposed between the silicon carbide layer and a bottommost of the one or more graphene layers, thereby electrically activating the bottommost graphene layer.