公开(公告)号：DE112012000741T5

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：DE112012000741

申请日：2012-03-15

Applicant: IBM

Inventor： HU GUOHAN ,  NOWAK JANUSZ J ,  TROILLOUD PHILIP L ,  WORLEDGE DANIEL C

IPC: G11C11/16

Abstract: Ein Magnettunnelübergang (MTJ) weist eine magnetische freie Schicht, welche eine veränderliche Magnetisierungsrichtung aufweist; eine isolierende Tunnelbarriere, welche sich in Nachbarschaft zu der freien Schicht befindet; eine magnetische festgelegte Schicht, welche eine unveränderliche Magnetisierungsrichtung aufweist, wobei die festgelegte Schicht derart in Nachbarschaft zu der Tunnelbarriere angeordnet ist, dass sich die Tunnelbarriere zwischen der freien Schicht und der festgelegten Schicht befindet, wobei die freie Schicht und die festgelegte Schicht senkrechte magnetische Anisotropie aufweisen; und eines oder mehreres aus: einer zusammengesetzten festgelegten Schicht, wobei die zusammengesetzte festgelegte Schicht eine Dusting-Schicht, eine Abstandhalterschicht und eine Referenzschicht aufweist; einer synthetischen antiferromagnetischen (SAF) festgelegten Schichtstruktur, wobei die SAF festgelegte Schichtstruktur einen SAF-Abstandhalter aufweist, der sich zwischen der festgelegten Schicht und einer zweiten festgelegten magnetischen Schicht befindet; und einer Dipolschicht auf, wobei sich die freie Schicht zwischen der Dipolschicht und der Tunnelbarriere befindet.

公开(公告)号：DE112012000741B4

公开(公告)日：2018-05-30

申请号：DE112012000741

申请日：2012-03-15

Applicant: IBM

Inventor： HU GUOHAN ,  NOWAK JANUSZ J ,  TROILLOUD PHILIP L ,  WORLEDGE DANIEL C

IPC: G11C11/16 ,  H01L43/08

Abstract: Magnettunnelübergang (MTJ) für einen magnetischen Direktzugriffsspeicher (MRAM), aufweisend:eine magnetische freie Schicht (102; 206; 302; 408; 502; 608; 702; 806), welche eine veränderliche Magnetisierungsrichtung aufweist;eine isolierende Tunnelbarriere(103; 205; 303; 407; 503; 607; 703; 805), welche an die freie Schicht angrenzt;einer zusammengesetzten festgelegten Schicht (107; 204; 307; 406; 507; 606; 707; 804), welche eine unveränderliche Magnetisierungsrichtung aufweist, wobei die zusammengesetzte festgelegte Schicht eine Dusting-Schicht (104; 203; 304; 405; 504; 605; 704; 803), eine Abstandhalterschicht (105; 202; 305; 505; 604; 705; 802) und eine Referenzschicht (106; 201; 309; 403; 506; 601; 706; 801) aufweist, wobei sich die Abstandhalterschicht zwischen der Referenzschicht und der Tunnelbarriere befindet, und wobei die Dusting-Schicht an die Abstandhalterschicht und die Tunnelbarriere angrenzt, wobei die Dusting-Schicht und die Referenzschicht durch den Abstandhalterschicht magnetisch miteinander verbunden sind, wobei die freie Schicht und die zusammengesetzte festgelegte Schicht senkrechte magnetische Anisotropie aufweisen; undeines oder mehreres aus:einer synthetischen antiferromagnetischen (SAF) festgelegten Schichtstruktur, wobei die SAF festgelegte Schichtstruktur einen SAF-Abstandhalter aufweist (308; 402; 508; 602), der sich zwischen der zusammengesetzten festgelegten Schicht und einer festgelegten magnetischen Schicht (309; 401; 509; 601) befindet, wobei die zusammengesetzten festgelegte Schicht und die festgelegte magnetische Schicht durch den SAF-Abstandhalter antiparallel verbunden sind; undeiner Dipolschicht (510; 609; 708; 807), wobei sich die freie Schicht zwischen der Dipolschicht und der Tunnelbarriere befindet.

公开(公告)号：GB2505578B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：GB201319331

申请日：2012-03-15

Applicant: IBM

Inventor： HU GUOHAN ,  NOWAK JANUSZ J ,  TROILLOUD PHILIP L ,  WORLEDGE DANIEL C

IPC: G11C11/16 ,  G11B5/39 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

公开(公告)号：GB2505578A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：GB201319331

申请日：2012-03-15

Applicant: IBM

Inventor： HU GUOHAN ,  NOWAK JANUSZ J ,  TROILLOUD PHILIP L ,  WORLEDGE DANIEL C

IPC: G11C11/16 ,  G11B5/39 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: A magnetic tunnel junction (MTJ) includes a magnetic free layer, having a variable magnetization direction; an insulating tunnel barrier located adjacent to the free layer; a magnetic fixed layer having an invariable magnetization direction, the fixed layer disposed adjacent the tunnel barrier such that the tunnel barrier is located between the free layer and the fixed layer, wherein the free layer and the fixed layer have perpendicular magnetic anisotropy; and one or more of: a composite fixed layer, the composite fixed layer comprising a dusting layer, a spacer layer, and a reference layer; a synthetic antiferromagnetic (SAF) fixed layer structure, the SAF fixed layer structure comprising a SAF spacer located between the fixed layer and a second fixed magnetic layer; and a dipole layer, wherein the free layer is located between the dipole layer and the tunnel barrier.