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公开(公告)号：DE112012004304T5
公开(公告)日：2014-07-31
申请号：DE112012004304
申请日：2012-09-10
Applicant: IBM
IPC: G11C11/00
Abstract: Ein magnetoresistives Direktzugriffspeichersystem beinhaltet eine erste Magnettunnelübergangseinheit, die mit einer ersten Bitleitung verbunden ist, eine zweite Magnettunnelübergangseinheit, die mit einer zweiten Bitleitung verbunden ist, einen Auswahltransistor, der mit der ersten und der zweiten Bitleitung verbunden ist, und eine Wortleitung, die mit dem Auswahltransistor verbunden ist.
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2.发明专利
公开(公告)号：DE112018000915T5
公开(公告)日：2019-11-14
申请号：DE112018000915
申请日：2018-06-01
Applicant: IBM
Inventor： WORLEDGE DANIEL , HU GUOHAN
Abstract: Ein Speicherelement mit magnetischem Tunnelübergang (MTJ) enthält eine Referenzschicht, eine Tunnelbarriere und eine freie Schicht auf einer der Referenzschicht gegenüberliegenden Seite der Tunnelbarriere. Die Referenzschicht hat eine fixierte Magnetisierungsrichtung. Die freie Schicht enthält einen ersten Bereich, einen zweiten Bereich und einen dritten Bereich. Der dritte Bereich ist aus einem dritten Material gebildet, das so beschaffen ist, dass es den ersten Bereich und den zweiten Bereich magnetisch miteinander koppelt. Der erste Bereich ist aus einem ersten Material mit einem ersten vorgegebenen magnetischen Moment gebildet, und der zweite Bereich ist aus einem zweiten Material mit einem zweiten vorgegebenen magnetischen Moment gebildet. Das erste vorgegebene magnetische Moment ist schwächer als das zweite vorgegebene magnetische Moment.
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公开(公告)号：GB2509461A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：GB201407117
申请日：2012-09-10
Applicant: IBM
Abstract: A magneto resistive random access memory system includes a first magnetic-tunnel-junction device coupled to a first bit-line, a second magnetic-tunnel-junction device coupled to a second bit-line, a selection transistor coupled to the first and second bit- lines and a word-line coupled to the selection transistor.
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公开(公告)号：DE102016105479A1
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：DE102016105479
申请日：2016-03-23
Applicant: IBM
Inventor： HU GUOHAN , WORLEDGE DANIEL C
Abstract: Ein magnetisches Material umfasst eine Kobaltschicht zwischen gegenüberliegenden Eisenschichten. Die Eisenschichten umfassen Eisen und sind kubisch innenzentriert (BCC), die Kobaltschicht weist Kobalt auf und ist BCC oder amorph und das magnetische Material weist eine senkrechte magnetische Anisotropie (PMA) auf.
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公开(公告)号：DE112012000741T5
公开(公告)日：2013-12-19
申请号：DE112012000741
申请日：2012-03-15
Applicant: IBM
Inventor： HU GUOHAN , NOWAK JANUSZ J , TROILLOUD PHILIP L , WORLEDGE DANIEL C
IPC: G11C11/16
Abstract: Ein Magnettunnelübergang (MTJ) weist eine magnetische freie Schicht, welche eine veränderliche Magnetisierungsrichtung aufweist; eine isolierende Tunnelbarriere, welche sich in Nachbarschaft zu der freien Schicht befindet; eine magnetische festgelegte Schicht, welche eine unveränderliche Magnetisierungsrichtung aufweist, wobei die festgelegte Schicht derart in Nachbarschaft zu der Tunnelbarriere angeordnet ist, dass sich die Tunnelbarriere zwischen der freien Schicht und der festgelegten Schicht befindet, wobei die freie Schicht und die festgelegte Schicht senkrechte magnetische Anisotropie aufweisen; und eines oder mehreres aus: einer zusammengesetzten festgelegten Schicht, wobei die zusammengesetzte festgelegte Schicht eine Dusting-Schicht, eine Abstandhalterschicht und eine Referenzschicht aufweist; einer synthetischen antiferromagnetischen (SAF) festgelegten Schichtstruktur, wobei die SAF festgelegte Schichtstruktur einen SAF-Abstandhalter aufweist, der sich zwischen der festgelegten Schicht und einer zweiten festgelegten magnetischen Schicht befindet; und einer Dipolschicht auf, wobei sich die freie Schicht zwischen der Dipolschicht und der Tunnelbarriere befindet.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：GB2502923A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：GB201316237
申请日：2012-02-24
Applicant: IBM
Inventor： HU GUOHAN , NOWAK JANUSZ J , TROUILLOUD PHILIP L , WORLEDGE DANIEL C
Abstract: A magnetic tunnel junction (MTJ) for a magnetic random access memory (MRAM) includes a magnetic free layer having a variable magnetization direction; an iron (Fe) dusting layer formed on the free layer; an insulating tunnel barrier formed on the dusting layer; and a magnetic fixed layer having an invariable magnetization direction, disposed adjacent the tunnel barrier such that the tunnel barrier is located between the free layer and the fixed layer; wherein the free layer and the fixed layer have perpendicular magnetic anisotropy and are magnetically coupled through the tunnel barrier.
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公开(公告)号：DE112018001470T5
公开(公告)日：2019-12-12
申请号：DE112018001470
申请日：2018-06-01
Applicant: IBM , SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Inventor： HU GUOHAN , WORLEDGE DANIEL , PARK JEONG-HEON
Abstract: Ein Speicherelement mit magnetischen Tunnelübergang (MTJ) enthält eine Referenzschicht, eine Tunnelbarriere und auf der der Referenzschicht gegenüberliegenden Seite der Tunnelbarriere eine freie Schicht. Die freie Schicht hat eine fixierte Magnetisierungsrichtung. Die freie Schicht enthält einen ersten Bereich, einen zweiten Bereich und einen dritten Bereich. Der dritte Bereich ist aus einem dritten Material gebildet, das dazu dient, den ersten Bereich und den zweiten Bereich magnetisch miteinander zu koppeln. Der erste Bereich ist aus einem ersten Material mit einem ersten vorgegebenen magnetischen Moment gebildet, und der zweite Bereich ist aus einem zweiten Material mit einem zweiten vorgegebenen magnetischen Moment gebildet. Das erste vorgegebene magnetische Moment ist schwächer als das zweite vorgegebene magnetische Moment.
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公开(公告)号：DE112012000741B4
公开(公告)日：2018-05-30
申请号：DE112012000741
申请日：2012-03-15
Applicant: IBM
Inventor： HU GUOHAN , NOWAK JANUSZ J , TROILLOUD PHILIP L , WORLEDGE DANIEL C
Abstract: Magnettunnelübergang (MTJ) für einen magnetischen Direktzugriffsspeicher (MRAM), aufweisend:eine magnetische freie Schicht (102; 206; 302; 408; 502; 608; 702; 806), welche eine veränderliche Magnetisierungsrichtung aufweist;eine isolierende Tunnelbarriere(103; 205; 303; 407; 503; 607; 703; 805), welche an die freie Schicht angrenzt;einer zusammengesetzten festgelegten Schicht (107; 204; 307; 406; 507; 606; 707; 804), welche eine unveränderliche Magnetisierungsrichtung aufweist, wobei die zusammengesetzte festgelegte Schicht eine Dusting-Schicht (104; 203; 304; 405; 504; 605; 704; 803), eine Abstandhalterschicht (105; 202; 305; 505; 604; 705; 802) und eine Referenzschicht (106; 201; 309; 403; 506; 601; 706; 801) aufweist, wobei sich die Abstandhalterschicht zwischen der Referenzschicht und der Tunnelbarriere befindet, und wobei die Dusting-Schicht an die Abstandhalterschicht und die Tunnelbarriere angrenzt, wobei die Dusting-Schicht und die Referenzschicht durch den Abstandhalterschicht magnetisch miteinander verbunden sind, wobei die freie Schicht und die zusammengesetzte festgelegte Schicht senkrechte magnetische Anisotropie aufweisen; undeines oder mehreres aus:einer synthetischen antiferromagnetischen (SAF) festgelegten Schichtstruktur, wobei die SAF festgelegte Schichtstruktur einen SAF-Abstandhalter aufweist (308; 402; 508; 602), der sich zwischen der zusammengesetzten festgelegten Schicht und einer festgelegten magnetischen Schicht (309; 401; 509; 601) befindet, wobei die zusammengesetzten festgelegte Schicht und die festgelegte magnetische Schicht durch den SAF-Abstandhalter antiparallel verbunden sind; undeiner Dipolschicht (510; 609; 708; 807), wobei sich die freie Schicht zwischen der Dipolschicht und der Tunnelbarriere befindet.
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公开(公告)号：GB2505578B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：GB201319331
申请日：2012-03-15
Applicant: IBM
Inventor： HU GUOHAN , NOWAK JANUSZ J , TROILLOUD PHILIP L , WORLEDGE DANIEL C
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公开(公告)号：GB2505578A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：GB201319331
申请日：2012-03-15
Applicant: IBM
Inventor： HU GUOHAN , NOWAK JANUSZ J , TROILLOUD PHILIP L , WORLEDGE DANIEL C
Abstract: A magnetic tunnel junction (MTJ) includes a magnetic free layer, having a variable magnetization direction; an insulating tunnel barrier located adjacent to the free layer; a magnetic fixed layer having an invariable magnetization direction, the fixed layer disposed adjacent the tunnel barrier such that the tunnel barrier is located between the free layer and the fixed layer, wherein the free layer and the fixed layer have perpendicular magnetic anisotropy; and one or more of: a composite fixed layer, the composite fixed layer comprising a dusting layer, a spacer layer, and a reference layer; a synthetic antiferromagnetic (SAF) fixed layer structure, the SAF fixed layer structure comprising a SAF spacer located between the fixed layer and a second fixed magnetic layer; and a dipole layer, wherein the free layer is located between the dipole layer and the tunnel barrier.
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