公开(公告)号：GB2509262B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：GB201404141

申请日：2012-09-14

Applicant: IBM

Inventor： CARTIER EDUARD A ,  GREENE BRIAN J ,  GUO DECHAO ,  WANG GAN ,  WANG YANFENG ,  WONG KEITH H

IPC: H01L29/66

公开(公告)号：GB2509262A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：GB201404141

申请日：2012-09-14

Applicant: IBM

Inventor： CARTIER EDUARD A ,  GREENE BRIAN J ,  GUO DECHAO ,  WANG GAN ,  WANG YANFENG ,  WONG KEITH H

IPC: H01L29/66

Abstract: FinFET structures and methods of manufacturing the FinFET structures are disclosed. The method includes performing an oxygen anneal process on a gate stack of a FinFET structure to induce Vt shift. The oxygen anneal process is performed after sidewall pull down and post silicide. A structure comprises a plurality of fin structures patterned from a semiconductor film. The structure further comprises a gate stack wrapping around the plurality of fin structures. The gate stack includes a high-k dielectric material subjected to a lateral oxygen diffusion to induce Vt shift of the gate stack.

公开(公告)号：DE112012003981T5

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：DE112012003981

申请日：2012-09-14

Applicant: IBM

Inventor： CARTIER EDUARD A ,  WANG YANFENG ,  WONG KEITH K H ,  GREENE BRIAN J ,  GUO DECHAO ,  WANG GAN

IPC: H01L21/00

Abstract: Es werden FinFET-Strukturen und Verfahren zum Fertigen der FinFET-Strukturen offenbart. Das Verfahren beinhaltet ein Durchführen eines Sauerstofftemperprozesses an einem Gate-Stapel einer FinFET-Struktur, um eine Vt-Verschiebung hervorzurufen. Der Sauerstofftemperprozess wird nach einem Abtragen der Seitenwand und nach einer Silicidierung durchgeführt. Eine Struktur weist eine Vielzahl von Finnenstrukturen auf, die aus einer Halbleiterdünnschicht strukturiert worden sind. Die Struktur weist des Weiteren einen Gate-Stapel auf, der die Vielzahl von Finnenstrukturen umhüllt. Der Gate-Stapel beinhaltet ein dielektrisches High-k-Material, das einer seitlichen Sauerstoffdiffusion unterzogen wird, um eine Vt-Verschiebung des Gate-Stapels hervorzurufen.