公开(公告)号：DE102014118664B4

公开(公告)日：2020-02-13

申请号：DE102014118664

申请日：2014-12-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LUTZ JOSEF ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  PERTERMANN ERIC

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/33 ,  H01L27/07 ,  H01L29/78 ,  H01L29/88

Abstract: Leistungshalbleitervorrichtung (1), umfassend:einen ersten Kontakt (4),einen zweiten Kontakt (14),ein Halbleitervolumen (100), welches zwischen dem ersten Kontakt und dem zweiten Kontakt angeordnet ist, welches umfasst:- eine n-dotierte Feldstoppschicht (30), um ein elektrisches Feld, das im Halbleitervolumen (100) während des Betriebs der Leistungshalbleitervorrichtung (1) ausgebildet wird, räumlich zu begrenzen,- eine stark p-dotierte Zone (40) und eine benachbarte, stark n-dotierte Zone (50), welche gemeinsam eine Tunneldiode (45) ausbilden, wobei die Tunneldiode wie folgt angeordnet ist: in der Nähe der, oder angrenzend an die, oder innerhalb der Feldstoppschicht (30),wobei die Tunneldiode (45) dazu angepasst ist, um Schutz vor Schäden an der Vorrichtung aufgrund eines Anstiegs eines Elektronenflusses in einem anormalen Betriebszustand durch die schnelle Bereitstellung von Löchern bereitzustellen.

公开(公告)号：DE102014118664A1

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：DE102014118664

申请日：2014-12-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  PERTERMANN ERIC ,  LUTZ JOSEF

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/33 ,  H01L27/07 ,  H01L29/78 ,  H01L29/88

Abstract: Eine Leistungshalbleitervorrichtung umfasst einen ersten Kontakt, einen zweiten Kontakt, ein Halbleitervolumen, welches zwischen dem ersten Kontakt und dem zweiten Kontakt angeordnet ist. Das Halbleitervolumen umfasst eine n-dotierte Feldstoppschicht, um ein elektrisches Feld, das während des Betriebs der Leistungshalbleitervorrichtung im Halbleitervolumen ausgebildet wird, räumlich zu begrenzen, eine stark p-dotierte Zone und eine benachbarte, stark n-dotierte Zone, die gemeinsam eine Tunneldiode ausbilden, wobei die Tunneldiode in der Nähe der, oder angrenzend an die, oder innerhalb der Feldstoppschicht angeordnet ist, und wobei die Tunneldiode dazu angepasst ist, um Schutz vor Schäden an der Vorrichtung aufgrund eines Anstiegs eines Elektronenflusses in einem anormalen Betriebszustand durch die schnelle Bereitstellung von Löchern bereitzustellen. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung solcher Vorrichtungen bereitgestellt.