公开(公告)号：WO2005071757A3

公开(公告)日：2005-11-24

申请号：PCT/DE2005000093

申请日：2005-01-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  LUTZ JOSEF

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  LUTZ JOSEF

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/32 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/74 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/263 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/32 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: The invention relates to a semiconductor component comprising a temporarily buried temporarily n-doped area (9) which is effective only during switching off from the conducting into the blocking state of the semiconductor while preventing the tail current from chopping, thus improving smoothness of the switching-off process. Said temporarily active area is created by implanting K centers (Z).

Abstract translation: 本发明涉及一种半导体器件从导通关断，以半导体器件的截止状态，只有当它是有效的，并且防止尾电流的撕裂，从而改善关机的柔软度的暂时埋暂时n掺杂区（9）。 这将暂时有效面积由K-中心（Z）的植入创建。

公开(公告)号：DE102017131354A1

公开(公告)日：2019-06-27

申请号：DE102017131354

申请日：2017-12-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LUTZ JOSEF ,  RUPP ROLAND ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/161 ,  H01L29/36

Abstract: Ein Halbleiterbauelement mit breitem Bandabstand umfasst eine erste Dotierungsregion eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine zweite Dotierungsregion eines zweiten Leitfähigkeitstyps. Ein Driftabschnitt der zweiten Dotierungsregion weist eine erste durchschnittliche Nettodotierungskonzentration niedriger als 1e17 cmauf. Ein hoch dotierter Abschnitt der zweiten Dotierungsregion weist eine zweite durchschnittliche Nettodotierungskonzentration höher als 5e18 cmauf. Ein Kompensationsabschnitt der zweiten Dotierungsregion ist zwischen dem Driftabschnitt und dem hoch dotierten Abschnitt angeordnet. Der Kompensationsabschnitt erstreckt sich von einem ersten Bereich mit einer Nettodotierungskonzentration höher als 1e16 cmund niedriger als 1e17 cmzu einem zweiten Bereich, mit einer Nettodotierungskonzentration höher als 5e18 cm, und ein maximaler Gradient der Nettodotierungskonzentration innerhalb zumindest einem Teil des Kompensationsabschnitts, der sich von dem zweiten Bereich in Richtung des ersten Bereichs für zumindest 100 nm erstreckt, ist niedriger als 5e22 cm.

公开(公告)号：DE102004039208A1

公开(公告)日：2006-02-23

申请号：DE102004039208

申请日：2004-08-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIEMIENIEC RALF ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  LUTZ JOSEF

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

Abstract: A method for producing a buried n-doped semiconductor zone in a semiconductor body. In one embodiment, the method includes producing an oxygen concentration at least in the region to be doped in the semiconductor body. The semiconductor body is irradiated via one side with nondoping particles for producing defects in the region to be doped. A thermal process is carried out. The invention additionally relates to a semiconductor component with a field stop zone.

公开(公告)号：DE102016115801A1

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：DE102016115801

申请日：2016-08-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BHOJANI RITESHKUMAR ,  LUTZ JOSEF ,  SCHULZE HANS JOACHIM ,  BABURSKE ROMAN ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ JOSEF

IPC: H01L29/739

Abstract: Es ist ein Transistorbauelement offenbart. Das Transistorbauelement weist ein erstes Emittergebiet (12) von einem ersten Dotierungstyp, ein zweites Emittergebiet (14) von einem zweiten Dotierungstyp, ein Bodygebiet (13) vom zweiten Dotierungstyp, ein Driftgebiet (11) vom ersten Dotierungstyp, ein Feldstoppgebiet (15) vom ersten Dotierungstyp, zumindest eine Booststruktur (30) und eine Gateelektrode (21), die durch ein Gatedielektrikum (22) gegenüber dem Bodygebiet (13) dielektrisch isoliert ist, auf. Das Bodygebiet (13) ist zwischen dem ersten Emittergebiet (12) und dem Driftgebiet (11) angeordnet, das Feldstoppgebiet (15) ist zwischen dem Driftgebiet (11) und der zumindest einen Booststruktur (30) angeordnet, und die Booststruktur (30) ist zwischen dem Feldstoppgebiet (15) und dem zweiten Emittergebiet (14) angeordnet. Die zumindest eine Booststruktur (30) weist ein Basisgebiet (33) vom ersten Dotierungstyp und zumindest ein durch das Basisgebiet von dem zweiten Emittergebiet (14) getrenntes Hilfsemittergebiet (31) vom zweiten Dotierungstyp auf. Eine Gesamtdotierstoffdosis in dem Driftgebiet (11) und dem Feldstoppgebiet (15) in einer Stromflussrichtung des Transistorbauelements ist höher als eine Durchbruchsladung eines Halbleitermaterials des Driftgebiets (11) und des Feldstoppgebiets (15).

公开(公告)号：DE102004004045B4

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：DE102004004045

申请日：2004-01-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  LUTZ JOSEF

IPC: H01L29/36 ,  H01L21/263 ,  H01L29/06 ,  H01L29/30 ,  H01L29/32 ,  H01L29/739 ,  H01L29/74 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

公开(公告)号：DE10361136B4

公开(公告)日：2005-10-27

申请号：DE10361136

申请日：2003-12-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  PFIRSCH FRANK ,  FALCK ELMAR ,  LUTZ JOSEF

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/06

Abstract: Between semiconductor diode (1) anode (2) and cathode (3) is fitted semiconductor volume (7), in which are formed several semiconductor zones (81-4), inversely doped with respect to their direct environment, mutually spaced apart, located near to, but spaced from cathode.Preferably semiconductor volume contains three semiconductor layers (4-6), fitted in this order on cathode. First layer is N+/-doped, second N=doped and third is P-doped, with semiconductor zoned formed within second layer(s). Independent claims are included for IGBT and semiconductor component.

公开(公告)号：DE102004004045A1

公开(公告)日：2005-08-18

申请号：DE102004004045

申请日：2004-01-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  LUTZ JOSEF

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/32 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/36 ,  H01L29/30 ,  H01L29/739 ,  H01L29/74

公开(公告)号：DE102014118664B4

公开(公告)日：2020-02-13

申请号：DE102014118664

申请日：2014-12-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LUTZ JOSEF ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  PERTERMANN ERIC

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/33 ,  H01L27/07 ,  H01L29/78 ,  H01L29/88

Abstract: Leistungshalbleitervorrichtung (1), umfassend:einen ersten Kontakt (4),einen zweiten Kontakt (14),ein Halbleitervolumen (100), welches zwischen dem ersten Kontakt und dem zweiten Kontakt angeordnet ist, welches umfasst:- eine n-dotierte Feldstoppschicht (30), um ein elektrisches Feld, das im Halbleitervolumen (100) während des Betriebs der Leistungshalbleitervorrichtung (1) ausgebildet wird, räumlich zu begrenzen,- eine stark p-dotierte Zone (40) und eine benachbarte, stark n-dotierte Zone (50), welche gemeinsam eine Tunneldiode (45) ausbilden, wobei die Tunneldiode wie folgt angeordnet ist: in der Nähe der, oder angrenzend an die, oder innerhalb der Feldstoppschicht (30),wobei die Tunneldiode (45) dazu angepasst ist, um Schutz vor Schäden an der Vorrichtung aufgrund eines Anstiegs eines Elektronenflusses in einem anormalen Betriebszustand durch die schnelle Bereitstellung von Löchern bereitzustellen.

公开(公告)号：DE102014118664A1

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：DE102014118664

申请日：2014-12-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  PERTERMANN ERIC ,  LUTZ JOSEF

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/33 ,  H01L27/07 ,  H01L29/78 ,  H01L29/88

Abstract: Eine Leistungshalbleitervorrichtung umfasst einen ersten Kontakt, einen zweiten Kontakt, ein Halbleitervolumen, welches zwischen dem ersten Kontakt und dem zweiten Kontakt angeordnet ist. Das Halbleitervolumen umfasst eine n-dotierte Feldstoppschicht, um ein elektrisches Feld, das während des Betriebs der Leistungshalbleitervorrichtung im Halbleitervolumen ausgebildet wird, räumlich zu begrenzen, eine stark p-dotierte Zone und eine benachbarte, stark n-dotierte Zone, die gemeinsam eine Tunneldiode ausbilden, wobei die Tunneldiode in der Nähe der, oder angrenzend an die, oder innerhalb der Feldstoppschicht angeordnet ist, und wobei die Tunneldiode dazu angepasst ist, um Schutz vor Schäden an der Vorrichtung aufgrund eines Anstiegs eines Elektronenflusses in einem anormalen Betriebszustand durch die schnelle Bereitstellung von Löchern bereitzustellen. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung solcher Vorrichtungen bereitgestellt.

公开(公告)号：DE102016115801B4

公开(公告)日：2020-10-29

申请号：DE102016115801

申请日：2016-08-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BHOJANI RITESHKUMAR ,  LUTZ JOSEF ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  BABURSKE ROMAN ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ JOSEF

IPC: H01L29/739

Abstract: Transistorbauelement, das aufweist:ein erstes Emittergebiet (12) von einem ersten Dotierungstyp, ein zweites Emittergebiet (14) von einem zweiten Dotierungstyp, ein Bodygebiet (13) vom zweiten Dotierungstyp, ein Driftgebiet (11) vom ersten Dotierungstyp, ein Feldstoppgebiet (15) vom ersten Dotierungstyp, und zumindest eine Booststruktur (30);eine Gateelektrode (21), die durch ein Gatedielektrikum (22) gegenüber dem Bodygebiet (13) dielektrisch isoliert ist,wobei das Bodygebiet (13) zwischen dem ersten Emittergebiet (12) und dem Driftgebiet (11) angeordnet ist, das Feldstoppgebiet (15) zwischen dem Driftgebiet (11) und der Booststruktur (30) angeordnet ist, und die Booststruktur (30) zwischen dem Feldstoppgebiet (15) und dem zweiten Emittergebiet (14) angeordnet ist,wobei die zumindest eine Booststruktur (30) ein Basisgebiet (33) vom ersten Dotierungstyp und zumindest ein durch das Basisgebiet von dem zweiten Emittergebiet (14) getrenntes Hilfsemittergebiet (31) vom zweiten Dotierungstyp aufweist,und wobei eine Gesamtdotierstoffdosis in dem Driftgebiet (11) und dem Feldstoppgebiet (15) in einer Stromflussrichtung des Transistorbauelements höher ist als eine Durchbruchsladung des Halbleitermaterials des Driftgebiets (11) und des Feldstoppgebiets (15).