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公开(公告)号：CN1637562A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410103600.7
申请日：2004-12-30
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
CPC classification number: G02F1/1309 , G02F1/136286 , G02F2001/136231 , G02F2202/22
Abstract: 一种制造用于液晶显示器件的阵列基板的方法，包括：在一基板上形成第一线；所述第一线具有一个或更多个第一开孔；在所述第一线上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成第二线，所述第二线与所述第一线交叉；在所述第二线上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层具有一个或更多个第二开孔；以及在每个第二开孔中形成导电图案，其中所述第一开孔形成在所述第一线和所述第二线的交叉部分处，而在所述交叉部分处的所述第二开孔位于所述第一开孔内。
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公开(公告)号：CN100394293C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200510081473.X
申请日：2005-06-29
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/027
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/1368 , G02F2001/136231
Abstract: 一种液晶显示装置，其包括：第一基板和第二基板；位于第一基板上的选通线；与选通线相交以限定像素区的数据线，在该选通线与数据线之间具有栅绝缘膜；薄膜晶体管，包括栅极、源极、漏极以及半导体层，在该源极与漏极之间存在沟道；在第一基板上与选通线平行的公共线；从公共线延伸到像素区中的公共电极；在像素区中位于栅绝缘膜上的像素电极；以及所述漏极交叠所述公共电极的一部分的存储电容器。其中，漏极与像素电极相交叠以连接到像素电极；并且，其中，从半导体层交叠透明导电膜的区域去除半导体层。
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公开(公告)号：CN1797150A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200510080186.7
申请日：2005-06-30
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/13458 , G02F2001/136236
Abstract: 一种液晶显示器件包括：第一和第二基板；第一基板上的栅线；与栅线交叉以限定像素区的数据线，在栅线和数据线之间具有栅绝缘层；在贯穿像素区内的栅绝缘层的一个像素孔内由透明导电薄膜形成的像素电极；以及一个薄膜晶体管，它包括栅极、源极、漏极，以及在源极和漏极之间沟道限定的半导体层，其中的半导体层与包括数据线，源极和漏极的源极和漏极金属图形重叠；并且其中的漏极从半导体层凸向像素电极的内侧以连接到像素电极。
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公开(公告)号：CN1797149A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200510080180.X
申请日：2005-06-30
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , G09F9/35 , H01L29/786 , H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F2001/136231 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明公开了一种液晶显示器件及其简化制造工艺的制造方法。该液晶显示器件包括：第一和第二基板；在第一基板上的栅线；在第一基板上的栅绝缘膜；与栅线交叉以限定像素区的数据线；位于像素区的像素孔；在像素区的像素孔中位于栅绝缘膜上由透明导电层形成的像素电极；以及包括栅极、源极、漏极和半导体层的薄膜晶体管，其中半导体层与包括数据线、源极和漏极的源/漏金属图案重叠；所述漏极从半导体层向像素电极的上部突出，并且该漏极连接到像素电极；以及将与透明导电层重叠部分的半导体层去除。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100397223C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200510080186.7
申请日：2005-06-30
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/13458 , G02F2001/136236
Abstract: 一种液晶显示器件包括：第一和第二基板；第一基板上的栅线；与栅线交叉以限定像素区的数据线，在栅线和数据线之间具有栅绝缘层；形成在该第一基板上并且由贯穿像素区内的栅绝缘层的一个像素孔暴露的像素电极；以及一个薄膜晶体管，它包括栅极、源极、漏极，以及在源极和漏极之间沟道限定的半导体层，其中的半导体层与包括数据线，源极和漏极的源极和漏极金属图形重叠；并且其中的漏极从半导体层凸向像素电极的内侧延伸并且形成在该像素区内的像素电极上。
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公开(公告)号：CN1797158A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200510082746.2
申请日：2005-07-11
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L21/027
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/1368 , G02F2001/136231
Abstract: 一种液晶显示器件，包括：第一和第二基板；第一基板上的栅线；与栅线交叉以限定像素区域的数据线，其中栅线和数据线之间具有栅绝缘膜；包括栅极、源极、漏极、和用于限定源极与漏极之间的沟道的半导体层的薄膜晶体管；在第一基板上平行于栅线的公共线；在像素区域中从公共线延伸的公共电极；以及与像素区域中的公共线和公共电极相隔开、以限定在贯穿栅绝缘膜的像素孔中的像素电极，其中半导体层与包括数据线、源极和漏极的源和漏金属图案重叠，并且其中漏极从半导体层向像素电极的上部分突出，以连接到像素电极。
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公开(公告)号：CN100374945C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200410103600.7
申请日：2004-12-30
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
CPC classification number: G02F1/1309 , G02F1/136286 , G02F2001/136231 , G02F2202/22
Abstract: 一种制造用于液晶显示器件的阵列基板的方法，包括：在一基板上形成第一线；所述第一线具有一个或更多个第一开孔；在所述第一线上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成第二线，所述第二线与所述第一线交叉；在所述第二线上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层具有一个或更多个第二开孔；以及在每个第二开孔中形成导电图案，其中所述第一开孔形成在所述第一线和所述第二线的交叉部分处，而在所述交叉部分处的所述第二开孔位于所述第一开孔内。
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公开(公告)号：CN1797157A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200510082745.8
申请日：2005-07-11
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/1368 , G02F2001/136231 , G02F2001/136236
Abstract: 本发明公开了一种用于边缘电场转换型液晶显示器件的薄膜晶体管基板及其制造方法，其可以减少所需掩模工序的数量，并因此提高生产效率。该制造方法包括三轮掩模工序，其中所述掩模为局部透射掩模，并产生具有不同厚度的光刻胶图案。通过具有不同厚度的光刻胶层，通过根据其厚度逐步去除光刻胶以采用相同光刻胶图案的多次蚀刻步骤形成结构。所述薄膜晶体管基板具有直接形成于基板上的公共线、公共电极、栅线以及栅极。公共电极在像素区与像素电极重叠。
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公开(公告)号：CN1797151A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200510081473.X
申请日：2005-06-29
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/027
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/1368 , G02F2001/136231
Abstract: 一种液晶显示装置，其包括：第一基板和第二基板；位于第一基板上的选通线；与选通线相交以限定像素区的数据线，在该选通线与数据线之间具有栅绝缘膜；薄膜晶体管，包括栅极、源极、漏极以及半导体层，在该源极与漏极之间存在沟道；在第一基板上与选通线平行的公共线；从公共线延伸到像素区中的公共电极；以及在像素区中位于栅绝缘膜上的像素电极。其中，漏极与像素电极相交叠以连接到像素电极；并且，其中，从半导体层交叠透明导电膜的区域去除半导体层。
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