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公开(公告)号：CN1607444A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN200410083705.0
申请日：2004-10-14
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , G02F1/1335 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/136227 , G02F2001/136231 , G02F2001/136254
Abstract: 用减少数量的工序制造的薄膜晶体管(TFT)阵列基板包括：具有扩大接触面的栅极焊盘和数据焊盘，以方便与检测装置的检测针接触。具有该TFT阵列基板的液晶显示器件通过将检测针与栅极焊盘和数据焊盘接触进行检测。该TFT阵列基板包括第一、第二和第三导电图案组。第一导电图案组包括：栅极、栅极线和下栅极焊盘电极。第二导电图案组包括源极和漏极、数据线和下数据焊盘电极。第三导电图案组包括像素电极、上栅极焊盘电极和上数据焊盘电极。在第二导电图案组下，沿第二导电图案组设置半导体图案。栅极绝缘图案和保护膜图案位于没有第三导电图案组的区域上。
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公开(公告)号：CN101211864A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710306320.X
申请日：2007-12-28
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: H01L21/84 , H01L21/768 , H01L27/12 , H01L23/522 , G02F1/136 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/1362 , G02F2001/136236 , G02F2202/103 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1255
Abstract: 一种用于制造液晶显示器件的方法包括：提供阵列基板和面对该阵列基板的滤色器基板；通过第一掩模工艺在阵列基板上形成由第一导电膜形成的栅极和栅线；形成在栅极的上部的第二导电膜图案、在该栅极的部分上部区域的存储电容器预备图案以及与该栅线基本交叉以限定像素区域的数据线，该第二导电膜图案、该存储电容器预备图案和该数据线通过第二掩模工艺由第二导电膜形成；形成围绕该数据线的不透明绝缘膜；在该阵列基板的整个表面上形成透明第三导电膜，以该不透明绝缘膜插入其间；通过第三掩模工艺对第二导电膜图案和第三导电膜构图，以形成源极、与该源极隔开的漏极、与该漏极接触的像素电极、和与该像素电极的部分下部区域接触的存储电容器图案；以及贴合该阵列基板和该滤色器基板。
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公开(公告)号：CN100368909C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200410083705.0
申请日：2004-10-14
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , G02F1/1335 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/136227 , G02F2001/136231 , G02F2001/136254
Abstract: 用减少数量的工序制造的薄膜晶体管(TFT)阵列基板包括：具有扩大接触面的栅极焊盘和数据焊盘，以方便与检测装置的检测针接触。具有该TFT阵列基板的液晶显示器件通过将检测针与栅极焊盘和数据焊盘接触进行检测。该TFT阵列基板包括第一、第二和第三导电图案组。第一导电图案组包括：栅极、栅极线和下栅极焊盘电极。第二导电图案组包括源极和漏极、数据线和下数据焊盘电极。第三导电图案组包括像素电极、上栅极焊盘电极和上数据焊盘电极。在第二导电图案组下，沿第二导电图案组设置半导体图案。栅极绝缘图案和保护膜图案位于没有第三导电图案组的区域上。
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公开(公告)号：CN1987643A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610160985.X
申请日：2006-12-11
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
Inventor： 郭喜荣
IPC: G03F1/14 , G02F1/1333 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/50 , G02F2001/136236
Abstract: 本发明公开了一种用于在制造液晶显示器件的阵列基板的工序中形成光刻胶图案的光掩模，其包括具有第一透过率的透射区域；具有第二透过率的遮蔽区域；包括涂覆层并具有第三透过率的第一半透射区域；包括多个条并具有第四透过率的第二半透射区域，所述的多个条相互间隔，其中第三透过率和第四透过率小于第一透过率，大于第二透过率，并且第三透过率大于第四透过率。
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公开(公告)号：CN1707341A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510078542.1
申请日：2005-06-06
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/1362 , G02F2001/136231
Abstract: 透反射式液晶显示器件及其制造方法。提供了一种液晶显示器件，其包括：选通线；该选通线上的第一绝缘膜；与该选通线交叉以限定像素区域的数据线，该像素区域具有透射区域和反射区域；与所述选通线和所述数据线相连的薄膜晶体管；形成在所述像素区域中的像素电极；所述薄膜晶体管上的第二绝缘膜；包括与所述选通线交叠的存储上电极的存储电容器；暴露出所述像素电极的至少一部分的透射孔；以及形成在所述像素区域的反射区域中的反射电极，该反射电极将像素电极与薄膜晶体管和存储上电极相连，其中该选通线和像素电极包括第一透明导电层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100380220C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200510078543.6
申请日：2005-06-06
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1333 , G02F1/1339 , H01L29/786 , H01L21/027
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F2001/133388 , G02F2001/136231
Abstract: 液晶显示器件及其制造方法。薄膜晶体管(TFT)底基板包括：基板；所述基板上的多个阵列区；所述基板上的并位于所述多个阵列区之间的至少一个哑区；所述基板上的绝缘膜；穿过所述绝缘膜并设置在所述至少一个哑区内的至少一个孔；以及设置在所述至少一个孔内的至少一个柱。
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公开(公告)号：CN1707342A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510078543.6
申请日：2005-06-06
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/027
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F2001/133388 , G02F2001/136231
Abstract: 液晶显示器件及其制造方法。薄膜晶体管(TFT)底基板包括：基板；所述基板上的多个阵列区；所述基板上的并位于所述多个阵列区之间的至少一个哑区；所述基板上的绝缘膜；穿过所述绝缘膜并设置在所述至少一个哑区内的至少一个孔；以及设置在所述至少一个孔内的至少一个柱。
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公开(公告)号：CN101191967A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710126907.2
申请日：2007-06-29
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/1362 , H01L21/00 , H01L21/027 , G03F7/00
Abstract: 本发明提供液晶显示装置的阵列基板及其制造方法。液晶显示装置的阵列基板包括：基板；所述基板上的选通线；薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括所述选通线的栅极、所述栅极上方的栅绝缘层、所述栅绝缘层上的有源层和所述有源层上的欧姆接触层、以及所述欧姆接触层上方的源极和漏极；电连接到所述漏极的像素电极；电连接到所述源极并与所述选通线交叉的数据线；与所述像素电极间隔开的公共电极；以及直接位于所述像素电极与所述公共电极之间以及直接位于所述源极与所述漏极之间的钝化层。
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公开(公告)号：CN100374945C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200410103600.7
申请日：2004-12-30
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
CPC classification number: G02F1/1309 , G02F1/136286 , G02F2001/136231 , G02F2202/22
Abstract: 一种制造用于液晶显示器件的阵列基板的方法，包括：在一基板上形成第一线；所述第一线具有一个或更多个第一开孔；在所述第一线上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成第二线，所述第二线与所述第一线交叉；在所述第二线上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层具有一个或更多个第二开孔；以及在每个第二开孔中形成导电图案，其中所述第一开孔形成在所述第一线和所述第二线的交叉部分处，而在所述交叉部分处的所述第二开孔位于所述第一开孔内。
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公开(公告)号：CN1707343A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510078545.5
申请日：2005-06-06
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F2001/136236 , H01L27/1255 , H01L27/1288
Abstract: 液晶显示装置及其制造方法。一种薄膜晶体管基板及其简化制造方法，该TFT基板包括具有增加的电容和孔径比的存储电容器，该薄膜晶体管基板包括：选通线和数据线，相互交叉以限定像素区；位于选通线与数据线之间的栅绝缘膜；连接到选通线和数据线的薄膜晶体管；半导体图案，限定TFT的沟道并由数据线所交叠；覆盖数据线和薄膜晶体管的钝化膜；以及至少一个像素电极，连接到薄膜晶体管并置于像素孔内，该像素孔被布置在像素区内。贯穿钝化膜并部分穿过栅绝缘膜形成该像素孔。此外，存储电容器包括像素电极的与下方的选通线相交叠的部分，其中，栅绝缘膜的一部分限定了像素孔。
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