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    AN ARRAY APPARATUS AND ASSOCIATED METHODS
    1.
    发明专利
    AN ARRAY APPARATUS AND ASSOCIATED METHODS 未知

    公开(公告)号：PH12018502239A1

    公开(公告)日：2019-08-19

    申请号：PH12018502239

    申请日：2018-10-19

    Applicant: NOKIA TECHNOLOGIES OY

    Inventor： ALLEN MARK ,  VOUTILAINEN MARTTI ,  KALLIOINEN SAMI

    IPC: H04N5/367 ,  H04N5/374

    Abstract: An apparatus comprising an array of field-effect transistors, each field-effect transistor comprising a channel, source and drain electrodes configured to enable a flow of electrical current through the channel, and a gate electrode configured to enable the flow of electrical current to be varied, the gate electrode separated from the channel by a dielectric material configured to inhibit a flow of electrical current between the channel and gate electrode, wherein the gate electrode of each field-effect transistor is connected in parallel to the gate electrodes of the other field-effect transistors in the array, and wherein a respective two-terminal current-limiting component is coupled to each gate electrode such that, in the event that a defect in the dielectric material of a particular field-effect transistor allows a leakage current to flow between the channel and gate electrode of that field-effect transistor, the respective two-terminal current-limiting component limits the magnitude of the leakage current so that the other field-effect transistors in the array are substantially unaffected by the leakage current.

    UN APARATO EN RED Y METODOS ASOCIADOS
    2.
    发明专利
    UN APARATO EN RED Y METODOS ASOCIADOS 未知

    公开(公告)号：MX384528B

    公开(公告)日：2025-03-14

    申请号：MX2018012784

    申请日：2018-10-18

    Applicant: NOKIA TECHNOLOGIES OY

    Inventor： ALLEN MARK ,  VOUTILAINEN MARTTI ,  KALLIOINEN SAMI

    IPC: H04N25/76 ,  H04N25/68

    Abstract: Un aparato que comprende una red de transistores de efecto de campo, comprendiendo cada transistor de efecto de campo un canal, electrodos de fuente y drenaje configurados para habilitar un flujo de corriente eléctrica a través del canal y un electrodo de compuerta configurado para permitir variar el flujo de corriente eléctrica, el electrodo de compuerta separado del canal mediante un material dieléctrico configurado para inhibir un flujo de corriente eléctrica entre el canal y el electrodo de compuerta, en donde el electrodo de compuerta de cada transistor de efecto de campo está conectado en paralelo a los electrodos de compuerta de los otros transistores de efecto de campo en la red, y en donde un respectivo componente de limitación de corriente de dos terminales está acoplado a cada electrodo de compuerta de tal forma que, en el caso de que un defecto en el material dieléctrico de un transistor de efecto de campo particular permita que una corriente de fuga fluya entre el canal y el electrodo de compuerta de ese transistor de efecto de campo, el respectivo componente de limitación de corriente de dos terminales limita la magnitud de la corriente de fuga de modo que los otros transistores de efecto de campo en la red no se ven afectados sustancialmente por la corriente de fuga.

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