公开(公告)号：CN103180493B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201180051012.1

申请日：2011-10-17

Applicant: SK新技术株式会社

Inventor： 洪性完 ,  金荣率

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/10 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B15/002 ,  C30B11/001 ,  C30B15/02 ,  C30B17/00 ,  C30B19/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02628 ,  Y10T117/1032 ,  Y10T117/1056

Abstract: 本发明提供了利用溶液法制造碳化硅单晶的方法，包括将用于生长碳化硅的晶种基体与包括至少一种添加金属的Si-C合金溶液接触，并在生长碳化硅的晶种上生长碳化硅单晶，所述方法包括，随着反应的进行，当Si与添加金属的摩尔比低于最初设定的值时，将硅原料供给至合金溶液。当利用溶液生长法制造碳化硅单晶时，所述方法提高了晶体生长速度，维持该生长速度，并防止生长被动终止。

公开(公告)号：CN103180493A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201180051012.1

申请日：2011-10-17

Applicant: SK新技术株式会社

Inventor： 洪性完 ,  金荣率

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/10 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B15/002 ,  C30B11/001 ,  C30B15/02 ,  C30B17/00 ,  C30B19/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02628 ,  Y10T117/1032 ,  Y10T117/1056

Abstract: 本发明提供了利用溶液法制造碳化硅单晶的方法，包括将用于生长碳化硅的晶种基体与包括至少一种添加金属的Si-C合金溶液接触，并在生长碳化硅的晶种上生长碳化硅单晶，所述方法包括，随着反应的进行，当Si与添加金属的摩尔比低于最初设定的值时，将硅原料供给至合金溶液。当利用溶液生长法制造碳化硅单晶时，所述方法提高了晶体生长速度，维持该生长速度，并防止生长被动终止。