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公开(公告)号:CN104300153B
公开(公告)日:2018-09-07
申请号:CN201410294798.5
申请日:2014-06-20
Applicant: SK新技术株式会社
CPC classification number: H01M4/663 , H01M4/131 , H01M4/70 , H01M10/0422 , H01M10/054 , H01M10/0568 , H01M2004/021
Abstract: 本发明的钠二次电池作为浸渍于电解液的阳极集电体包含石墨毡,该石墨毡在与固体电解质对置的表面具有最大气孔率,并沿着厚度方向气孔率减少。
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公开(公告)号:CN104078686A
公开(公告)日:2014-10-01
申请号:CN201410116830.0
申请日:2014-03-26
Applicant: SK新技术株式会社
IPC: H01M4/66 , H01M4/80 , H01M10/054
CPC classification number: H01M4/667 , H01M4/62 , H01M4/668 , H01M4/78 , H01M10/054
Abstract: 本发明涉及用于二次电池的集电器以及包含其的二次电池,根据本发明的集电器包括:导电基材;以及层压了绝缘体的层压体,其中所述绝缘体是形成有贯通绝缘体的开孔通道的多孔性绝缘体,并且,根据本发明的集电器可用于二次电池的电极,其可在充放电循环反复进行时,稳定维持二次电池的容量。
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公开(公告)号:CN103180493A
公开(公告)日:2013-06-26
申请号:CN201180051012.1
申请日:2011-10-17
Applicant: SK新技术株式会社
IPC: C30B29/36 , C30B19/10 , H01L21/208
CPC classification number: C30B15/002 , C30B11/001 , C30B15/02 , C30B17/00 , C30B19/02 , C30B29/36 , H01L21/02529 , H01L21/02628 , Y10T117/1032 , Y10T117/1056
Abstract: 本发明提供了利用溶液法制造碳化硅单晶的方法,包括将用于生长碳化硅的晶种基体与包括至少一种添加金属的Si-C合金溶液接触,并在生长碳化硅的晶种上生长碳化硅单晶,所述方法包括,随着反应的进行,当Si与添加金属的摩尔比低于最初设定的值时,将硅原料供给至合金溶液。当利用溶液生长法制造碳化硅单晶时,所述方法提高了晶体生长速度,维持该生长速度,并防止生长被动终止。
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公开(公告)号:CN104617338B
公开(公告)日:2019-11-12
申请号:CN201410609787.1
申请日:2014-11-03
Applicant: SK新技术株式会社
Abstract: 本发明涉及包含形成有槽的石墨毡的钠二次电池,本发明的钠二次电池包含:用于分离负极空间和正极空间的钠离子传导性固体电解质;位于负极空间并含有钠的负极;位于正极空间的正极液;以及包含石墨毡的正极,上述石墨毡浸渍于正极液,并在与固体电解质相对的表面形成有相互平行地排列的槽。
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公开(公告)号:CN104078686B
公开(公告)日:2017-12-22
申请号:CN201410116830.0
申请日:2014-03-26
Applicant: SK新技术株式会社
IPC: H01M4/66 , H01M4/80 , H01M10/054
CPC classification number: H01M4/667 , H01M4/62 , H01M4/668 , H01M4/78 , H01M10/054
Abstract: 本发明涉及用于二次电池的集电器以及包含其的二次电池,根据本发明的集电器包括:导电基材;以及层压了绝缘体的层压体,其中所述绝缘体是形成有贯通绝缘体的开孔通道的多孔性绝缘体,并且,根据本发明的集电器可用于二次电池的电极,其可在充放电循环反复进行时,稳定维持二次电池的容量。
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公开(公告)号:CN103180493B
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201180051012.1
申请日:2011-10-17
Applicant: SK新技术株式会社
IPC: C30B29/36 , C30B19/10 , H01L21/208
CPC classification number: C30B15/002 , C30B11/001 , C30B15/02 , C30B17/00 , C30B19/02 , C30B29/36 , H01L21/02529 , H01L21/02628 , Y10T117/1032 , Y10T117/1056
Abstract: 本发明提供了利用溶液法制造碳化硅单晶的方法,包括将用于生长碳化硅的晶种基体与包括至少一种添加金属的Si-C合金溶液接触,并在生长碳化硅的晶种上生长碳化硅单晶,所述方法包括,随着反应的进行,当Si与添加金属的摩尔比低于最初设定的值时,将硅原料供给至合金溶液。当利用溶液生长法制造碳化硅单晶时,所述方法提高了晶体生长速度,维持该生长速度,并防止生长被动终止。
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公开(公告)号:CN104300153A
公开(公告)日:2015-01-21
申请号:CN201410294798.5
申请日:2014-06-20
Applicant: SK新技术株式会社
CPC classification number: H01M4/663 , H01M4/131 , H01M4/70 , H01M10/0422 , H01M10/054 , H01M10/0568 , H01M2004/021 , H01M10/39
Abstract: 本发明的钠二次电池作为浸渍于电解液的阳极集电体包含石墨毡,该石墨毡在与固体电解质对置的表面具有最大气孔率,并沿着厚度方向气孔率减少。
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公开(公告)号:CN104617338A
公开(公告)日:2015-05-13
申请号:CN201410609787.1
申请日:2014-11-03
Applicant: SK新技术株式会社
Abstract: 本发明涉及包含形成有槽的石墨毡的钠二次电池,本发明的钠二次电池包含:用于分离负极空间和正极空间的钠离子传导性固体电解质;位于负极空间并含有钠的负极;位于正极空间的正极液;以及包含石墨毡的正极,上述石墨毡浸渍于正极液,并在与固体电解质相对的表面形成有相互平行地排列的槽。
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