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公开(公告)号：FR3107410A1
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：FR2101442
申请日：2021-02-15
Applicant: ST MICROELECTRONICS INT NV
Inventor： GUEGNAUD HERVÉ , VENEC STÉPHANIE , BLAMON GUILLAUME
Abstract: Selon un aspect, il est proposé un circuit intégré comprenant un amplificateur de puissance comportant : - une succession d’au moins deux étages amplificateurs (DS, PS) comportant un premier étage amplificateur (DS) configuré pour recevoir en entrée un signal radiofréquence et un dernier étage amplificateur (PS) configuré pour délivrer en sortie un signal radiofréquence amplifié, - un circuit de sûreté comprenant : ○ des moyens de contrôle (CM) configurés pour comparer une tension du signal radiofréquence amplifié (RFAMP) à une tension seuil (VTH),○ des moyens de réduction (GRM) de gain configurés pour réduire une tension de polarisation d’un étage amplificateur en amont (DS) du dernier étage (PS) lorsque la tension du signal radiofréquence amplifié (RFAMP) est supérieure à la tension seuil (VTH). Figure pour l’abrégé : Fig 1
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公开(公告)号：FR3107410B1
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：FR2101442
申请日：2021-02-15
Applicant: ST MICROELECTRONICS INT NV
Inventor： GUEGNAUD HERVÉ , VENEC STÉPHANIE , BLAMON GUILLAUME
Abstract: Selon un aspect, il est proposé un circuit intégré comprenant un amplificateur de puissance comportant : - une succession d’au moins deux étages amplificateurs (DS, PS) comportant un premier étage amplificateur (DS) configuré pour recevoir en entrée un signal radiofréquence et un dernier étage amplificateur (PS) configuré pour délivrer en sortie un signal radiofréquence amplifié, - un circuit de sûreté comprenant : ○ des moyens de contrôle (CM) configurés pour comparer une tension du signal radiofréquence amplifié (RFAMP) à une tension seuil (VTH),○ des moyens de réduction (GRM) de gain configurés pour réduire une tension de polarisation d’un étage amplificateur en amont (DS) du dernier étage (PS) lorsque la tension du signal radiofréquence amplifié (RFAMP) est supérieure à la tension seuil (VTH). Figure pour l’abrégé : Fig 1
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公开(公告)号：FR3107411A1
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：FR2101432
申请日：2021-02-15
Applicant: ST MICROELECTRONICS INT NV
Inventor： BLAMON GUILLAUME , PICARD EMMANUEL , BOYAVALLE CHRISTOPHE
Abstract: Le circuit intégré comporte un amplificateur de puissance (PA) destiné à fournir un signal dans une bande de fréquences fondamentale, une antenne (ANT), et un réseau d’adaptation et de filtrage (MFN) comportant : - une première section (SCT1), une deuxième section (SCT2), et une troisième section (SCT3) ; les trois sections comportant des montages LC configurés pour présenter une impédance adaptée à la sortie de l’amplificateur de puissance (PA) dans la bande de fréquences fondamentale, dans lequel les montages LC de la première section (SCT1) et de la deuxième section (SCT2) sont en outre configurés pour avoir des fréquences de résonance respectivement adaptées pour atténuer les bandes de fréquences d’harmoniques de la bande de fréquences fondamentale. Figure pour l’abrégé : Fig 1
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公开(公告)号：FR3107412A1
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：FR2101433
申请日：2021-02-15
Applicant: ST MICROELECTRONICS INT NV
Inventor： BLAMON GUILLAUME , PICARD EMMANUEL , BOYAVALLE CHRISTOPHE
Abstract: Le circuit intégré comporte un amplificateur de puissance (PA) une antenne (ANT), et un réseau d’adaptation et de filtrage (MFN) comportant un étage d’alimentation en courant continu (DCFD) sur un nœud de sortie de l’amplificateur de puissance (PA), une première section (SCT1), et une deuxième section (SCT2). L’étage d’alimentation en courant continu (DCFD) et les deux sections comportent des montages inductif-capacitif « LC » configurés pour présenter une impédance adaptée à la sortie de l’amplificateur de puissance (PA) dans la bande de fréquences fondamentale. Les montages LC de l’étage d’alimentation en courant continu (DCFD) et de la première section (SCT1) sont en outre configurés pour avoir des fréquences de résonance respectivement adaptées pour atténuer des bandes de fréquences d’harmoniques de la bande de fréquences fondamentale. Figure pour l’abrégé : Fig 1
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