公开(公告)号：FR3121780A1

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：FR2103797

申请日：2021-04-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： MELUL FRANCK ,  MARZAKI ABDERREZAK ,  AKBAL MADJID

IPC: H01L27/115 ,  G11C11/00 ,  G11C16/00

Abstract: Cellule mémoire programmable et effaçable La présente description concerne une cellule mémoire (10) comprenant : un premier caisson (22) dopé d'un premier type de conductivité (N+), en contact avec un deuxième caisson (12) dopé d'un deuxième type de conductivité (P), le deuxième type de conductivité étant opposé au premier type de conductivité ; un troisième caisson (24) dopé du deuxième type de conductivité (P+), en contact avec un quatrième caisson (14) dopé du premier type de conductivité (N) ; un premier mur (16) en contact avec les deuxième (12) et quatrième (14) caissons, le premier mur comprenant un coeur (16a) conducteur ou semiconducteur et une enveloppe isolante (16b) ; un empilement d'une première couche isolante (27), d'une première couche semiconductrice (26), d'une deuxième couche isolante (29) et d'une deuxième couche semiconductrice (28) recouvrant au moins partiellement les deuxième (12) et quatrième (14) caissons ; et une troisième couche semiconductrice (18) sur laquelle repose les deuxième (12) et quatrième (14) caissons et le mur (16). Figure pour l'abrégé : Fig. 1