公开(公告)号：FR3096832B1

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：FR1905661

申请日：2019-05-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： GERMANA-CARPINETO ROSALIA

IPC: H01L23/52 ,  H01L29/772

Abstract: Structure de transistor La présente description concerne un transistor (T110) comprenant : une région semiconductrice (160) d'un substrat (102), délimitée par une tranchée (170) ; un élément électriquement conducteur (180) situé dans la tranchée (170) ; une zone de canal (130) en contact avec ladite région semiconductrice (160) ; et une prise de contact (150) avec ladite région (160), la zone de canal (130) et la prise de contact (150) étant du côté d'une même face du substrat. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3128312B1

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：FR2111151

申请日：2021-10-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL ,  ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： GERMANA-CARPINETO ROSALIA ,  MASOERO LIA ,  INNACOLO LUIGI

Abstract: Dispositif électronique comprenant des transistors La présente description concerne un dispositif électronique (100) comprenant un substrat semiconducteur (102) et des transistors dont les grilles (120) sont contenues dans des tranchées (110) s'étendant dans le substrat semiconducteur, chaque transistor comprenant un caisson semiconducteur (130) dopé d'un premier type de conductivité, le caisson étant enterré dans le substrat semiconducteur et au contact de deux tranchées adjacentes parmi lesdites tranchées, une première région semiconductrice (152) dopée d'un deuxième type de conductivité, recouvrant le caisson, au contact du caisson, et au contact des deux tranchées adjacentes, une deuxième région semiconductrice (150) dopée du deuxième type de conductivité plus fortement dopée que la première région semiconductrice, s'étendant dans la première région semiconductrice, et une troisième région semiconductrice (132) dopée du premier type de conductivité, plus fortement dopée que le caisson, recouvrant le caisson, au contact de la première région, et s'étendant dans le substrat semiconducteur au contact du caisson. Figure pour l'abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3096832A1

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：FR1905661

申请日：2019-05-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： GERMANA-CARPINETO ROSALIA

IPC: H01L23/52 ,  H01L29/772

Abstract: Structure de transistor La présente description concerne un transistor (T110) comprenant : une région semiconductrice (160) d'un substrat (102), délimitée par une tranchée (170) ; un élément électriquement conducteur (180) situé dans la tranchée (170) ; une zone de canal (130) en contact avec ladite région semiconductrice (160) ; et une prise de contact (150) avec ladite région (160), la zone de canal (130) et la prise de contact (150) étant du côté d'une même face du substrat. Figure pour l'abrégé : Fig. 1