公开(公告)号：CN113450983B

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202011387591.4

申请日：2020-12-02

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 三轮将史 ,  三浦晃嗣 ,  坪仓多惠子

IPC: H01F1/057 ,  C22C38/10 ,  C22C38/16 ,  C22C38/06

Abstract: 本发明提供一种永久磁铁，其含有稀土元素R(Nd等)、过渡金属元素T(Fe等)、B、Zr和Cu，永久磁铁具有含有Nd、T和B的主相颗粒和晶界多重点，一个晶界多重点为由三个以上的主相颗粒包围的晶界，一个晶界多重点包含ZrB2的结晶和含有R及Cu的富R－Cu相这两者，包含ZrB2的结晶和富R－Cu相这两者的一个晶界多重点中的B的浓度为5原子％以上20原子％以下，包含ZrB2的结晶和富R－Cu相这两者的一个晶界多重点中的Cu的浓度为5原子％以上25原子％以下，主相颗粒的表层部含有Tb和Dy中至少一种重稀土元素。

公开(公告)号：CN110323020B

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN201910248501.4

申请日：2019-03-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 永峰佑起 ,  三轮将史 ,  藤川佳则

IPC: H01F1/057

Abstract: 提供重稀土元素的使用量相对降低且磁特性优异的R‑T‑B系永久磁铁。R为稀土元素，T为铁族元素，B为硼。包括：包含R2T14B结晶相的主相颗粒和形成于主相颗粒之间的晶界。晶界中包含R、O、C和N的浓度均高于主相颗粒内的浓度的R‑O‑C‑N浓缩部。将存在于R‑T‑B系永久磁铁的表面的R‑O‑C‑N浓缩部中的O/R原子数比设为O/R(S)且将存在于R‑T‑B系永久磁铁的中央的R‑O‑C‑N浓缩部中的O/R原子数比设为O/R(C)时，满足O/R(S)＞O/R(C)。R‑T‑B系永久磁铁中作为R还包含重稀土元素RH，存在于R‑T‑B系永久磁铁的表面的R‑O‑C‑N浓缩部中的RH/R原子数比为0.2以下。

公开(公告)号：CN110299237B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201910213095.8

申请日：2019-03-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 工藤光 ,  三轮将史

IPC: H01F1/057

Abstract: 烧结磁铁含有稀土元素R(例如Nd及Pr)、过渡金属元素T(例如Fe及Co)、B、Cu及Ga，烧结磁铁具备：多个主相颗粒(R2T14B的结晶颗粒)、和被三个以上的主相颗粒包围的多个晶界多重点，多个晶界多重点被分类为富过渡金属相(例如R6T13Ga)及富R相，富R相被分类为贫Cu相及富Cu相，在烧结磁铁的截面中满足下式1及2。N1为富过渡金属相的个数，N2为贫Cu相的个数，N3为富Cu相的个数。0.30≤N1/(N1+N2+N3)≤0.60……(1)0.03≤N3/N2≤0.20……(2)。

公开(公告)号：CN110323019A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910238251.6

申请日：2019-03-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 藤原真理子 ,  三轮将史

IPC: H01F1/057

Abstract: R-T-B系烧结磁铁(2)含有稀土元素R、过渡金属元素T、B、Ga及O，烧结磁铁(2)具备磁铁素体(4)和覆盖磁铁素体(4)的氧化层(6)，磁铁素体(4)包含含有R2T14B的结晶的主相颗粒(8)、和位于主相颗粒(8)之间且含有R的晶界相(1)，氧化层(6)包含含有R、T、Ga及O的多个氧化物相(3A)，氧化物相(3A)满足与各元素的含量(单位：原子％)有关的下式(1)及下式(2)，氧化层(6)中的氧化物相(3A)覆盖磁铁素体(4)中的晶界相(1)。0.3≤[R]/[T]≤0.5……(1)0.2≤[O]/([R]+[T]+[Ga]+[O])≤0.7……(2)。

公开(公告)号：CN105453196B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201480044345.5

申请日：2014-08-08

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 金田功 ,  三轮将史 ,  中嶋春菜 ,  加藤英治

IPC: H01F1/057 ,  B22F3/00 ,  C22C33/02 ,  C22C38/00 ,  H01F1/08

CPC classification number: H01F1/059 ,  B22F1/0003 ,  B22F2301/35 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  C22C38/00 ,  C22C38/002 ,  C22C38/005 ,  C22C38/008 ,  C22C38/02 ,  C22C38/06 ,  C22C38/10 ,  C22C38/16 ,  H01F1/0577 ,  H01F41/0293 ,  H02K1/02 ,  H02K1/2706 ,  B22F3/087 ,  B22F2202/05 ,  B22F3/1007 ,  B22F2201/20 ,  B22F9/023 ,  B22F9/04 ,  B22F3/1028

Abstract: 本发明提供一种具有优异的耐腐蚀性，并且兼具良好的磁特性的R‑T‑B系烧结磁铁。该R‑T‑B系烧结磁铁的特征在于，该R‑T‑B系烧结磁铁具有R2T14B晶粒，在由相邻的2个以上的上述R2T14B晶粒形成的晶界中具有R‑Cu‑M‑C浓缩部，相比上述R2T14B晶粒内，上述R‑Cu‑M‑C浓缩部的R(R为选自Sc、Y和镧系元素中的至少1种)、Cu、M(M为选自Ga、Si、Sn、Ge、Bi中的至少1种)、C的浓度都更高。

公开(公告)号：CN105190792A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480009120.6

申请日：2014-07-03

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 三轮将史 ,  中嶋春菜 ,  三竹晃司 ,  石坂力

IPC: H01F1/057 ,  H01F1/08 ,  H01F41/02

CPC classification number: H01F1/01 ,  H01F1/0577 ,  H02K1/02 ,  H02K1/278

Abstract: 一种R-T-B系烧结磁体，其特征在于，具有R2T14B晶粒的R-T-B系烧结磁体，在由邻接的2个以上的所述R2T14B晶粒形成的晶界中，具有R、Co、Cu、N的浓度均高于所述R2T14B晶粒内的R-Co-Cu-N浓缩部。

公开(公告)号：CN101447332B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200810169546.4

申请日：2008-09-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 三轮将史 ,  萩原淳

IPC: H01F41/02 ,  H01F1/053 ,  H01F7/02 ,  B22F3/24 ,  C22C38/00 ,  C23C18/12 ,  C23F11/00

Abstract: 本发明涉及一种稀土类磁铁及其制造方法，由本发明的制造方法能够得到具有可获得充分的耐水性的保护层的稀土类磁铁。本发明的稀土类磁铁的制造方法的特征在于：该稀土类磁铁具有包含稀土类元素的磁铁素体和形成于该磁铁素体的表面上的保护层，该制造方法具有：将在碱溶液中可溶的锌化合物溶解于碱性硅酸盐水溶液中而获得处理液的第1工序；使处理液附着于磁铁素体的表面上的第2工序；使附着于磁铁素体的表面上的处理液固化而形成由该处理液的固化物构成的保护层的第3工序。

公开(公告)号：CN101447332A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810169546.4

申请日：2008-09-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 三轮将史 ,  萩原淳

IPC: H01F41/02 ,  H01F1/053 ,  H01F7/02 ,  B22F3/24 ,  C22C38/00 ,  C23C18/12 ,  C23F11/00

Abstract: 本发明涉及一种稀土类磁铁及其制造方法，由本发明的制造方法能够得到具有可获得充分的耐水性的保护层的稀土类磁铁。本发明的稀土类磁铁的制造方法的特征在于：该稀土类磁铁具有包含稀土类元素的磁铁素体和形成于该磁铁素体的表面上的保护层，该制造方法具有：将在碱溶液中可溶的锌化合物溶解于碱性硅酸盐水溶液中而获得处理液的第1工序；使处理液附着于磁铁素体的表面上的第2工序；使附着于磁铁素体的表面上的处理液固化而形成由该处理液的固化物构成的保护层的第3工序。

公开(公告)号：CN1192686C

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN01125950.7

申请日：2001-07-06

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 白川幸彦 ,  三轮将史 ,  长野克人

IPC: H05B33/22

CPC classification number: H05B33/10 ,  H05B33/22 ,  Y10S428/917

Abstract: 本发明的目的在于，解决以往的电致发光元件存在的问题，即在介电体层中产生缺陷，尤其是解决使用铅系介电体材料形成介电体层的电致发光元件的发光亮度降低或亮度不匀、发光亮度随时间发生变化的问题，能够在不提高成本的情况下提供得到高显示质量的电致发光元件及其制作方法，为了达到此目的，本发明的电致发光元件至少具有有电绝缘性的基板(11)和在该基板(11)上层叠电极层(12)介电体层(13)、(14)、(15)和发光层(17)及透明电极层(19)的结构，上述介电体层(13)、(14)、(15)是至少在其组成中含有铅的第1厚膜陶瓷高介电常数介电体层(13)、至少在其组成中含有铅的第2厚膜高介电常数介电体层(14)和至少在其组成中不含铅的第3高介电常数介电体层(15)的叠层体。

公开(公告)号：CN118266045A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202280073407.X

申请日：2022-11-02

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 河村弘树 ,  工藤光 ,  三轮将史

IPC: H01F1/057 ,  B22F9/04 ,  B22F3/02 ,  B22F3/10 ,  B22F3/24 ,  H01F41/02 ,  C22C38/10 ,  C22C38/06 ,  C22C38/14 ,  C22C38/16

Abstract: 一种R‑T‑B系永久磁铁，其含有Al、Cu，Ga及Zr。R的含量为30.00质量％以上33.00质量％以下，Co的含量大于0.80质量％且为3.00质量％以下，B的含量为0.70质量％以上0.83质量％以下，Al的含量大于0质量％且小于0.20质量％、Cu的含量大于0.10质量％且小于1.50质量％、Ga的含量为0.40质量％以上1.00质量％以下，Zr的含量大于0.10质量％且为1.60质量％以下。