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公开(公告)号：CN111724960B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202010194801.1
申请日：2020-03-19
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种R‑T‑B系永久磁铁，其适合烧结的温度范围宽。本发明的R‑T‑B系永久磁铁中，R为1种以上的稀土元素，T为Fe及Co，B为硼，含有M、O、C及N，其中M为选自Cu、Ga、Mn、Zr及Al中的三种以上，并至少包含Cu、Ga及Zr。各成分的含量都在规定的范围内。包含由R2T14B化合物构成的主相颗粒和存在于多个主相颗粒之间的晶界。晶界包含存在于两个主相颗粒之间的二颗粒晶界，二颗粒晶界中含有Zr‑B化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111724959B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202010194793.0
申请日：2020-03-19
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种维持剩余磁通密度Br并同时提高室温下的矫顽力HcJ的R‑T‑B系永久磁铁。本发明的R‑T‑B系永久磁铁含有Ga，其中，R为一种以上的稀土元素，T为Fe或Fe及Co，B为硼。本发明的R‑T‑B系永久磁铁含有由具有R2T14B型晶体结构的结晶颗粒构成的主相颗粒和由相邻的两个以上的主相颗粒形成的晶界。将主相颗粒中的Ga的原子数浓度设为[Ga]，将R的原子数浓度设为[R]，满足0.030≤[Ga]/[R]≤0.100。
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公开(公告)号：CN110323019A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910238251.6
申请日：2019-03-27
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F1/057
Abstract: R-T-B系烧结磁铁(2)含有稀土元素R、过渡金属元素T、B、Ga及O，烧结磁铁(2)具备磁铁素体(4)和覆盖磁铁素体(4)的氧化层(6)，磁铁素体(4)包含含有R2T14B的结晶的主相颗粒(8)、和位于主相颗粒(8)之间且含有R的晶界相(1)，氧化层(6)包含含有R、T、Ga及O的多个氧化物相(3A)，氧化物相(3A)满足与各元素的含量(单位：原子％)有关的下式(1)及下式(2)，氧化层(6)中的氧化物相(3A)覆盖磁铁素体(4)中的晶界相(1)。0.3≤[R]/[T]≤0.5……(1)0.2≤[O]/([R]+[T]+[Ga]+[O])≤0.7……(2)。
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公开(公告)号：CN110323019B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910238251.6
申请日：2019-03-27
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F1/057
Abstract: R‑T‑B系烧结磁铁(2)含有稀土元素R、过渡金属元素T、B、Ga及O，烧结磁铁(2)具备磁铁素体(4)和覆盖磁铁素体(4)的氧化层(6)，磁铁素体(4)包含含有R2T14B的结晶的主相颗粒(8)、和位于主相颗粒(8)之间且含有R的晶界相(1)，氧化层(6)包含含有R、T、Ga及O的多个氧化物相(3A)，氧化物相(3A)满足与各元素的含量(单位：原子％)有关的下式(1)及下式(2)，氧化层(6)中的氧化物相(3A)覆盖磁铁素体(4)中的晶界相(1)。0.3≤[R]/[T]≤0.5……(1)0.2≤[O]/([R]+[T]+[Ga]+[O])≤0.7……(2)。
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公开(公告)号：CN111724960A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010194801.1
申请日：2020-03-19
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种R-T-B系永久磁铁，其适合烧结的温度范围宽。本发明的R-T-B系永久磁铁中，R为1种以上的稀土元素，T为Fe及Co，B为硼，含有M、O、C及N，其中M为选自Cu、Ga、Mn、Zr及Al中的三种以上，并至少包含Cu、Ga及Zr。各成分的含量都在规定的范围内。包含由R2T14B化合物构成的主相颗粒和存在于多个主相颗粒之间的晶界。晶界包含存在于两个主相颗粒之间的二颗粒晶界，二颗粒晶界中含有Zr-B化合物。
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公开(公告)号：CN111724959A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010194793.0
申请日：2020-03-19
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种维持剩余磁通密度Br并同时提高室温下的矫顽力HcJ的R-T-B系永久磁铁。本发明的R-T-B系永久磁铁含有Ga，其中，R为一种以上的稀土元素，T为Fe或Fe及Co，B为硼。本发明的R-T-B系永久磁铁含有由具有R2T14B型晶体结构的结晶颗粒构成的主相颗粒和由相邻的两个以上的主相颗粒形成的晶界。将主相颗粒中的Ga的原子数浓度设为[Ga]，将R的原子数浓度设为[R]，满足0.030≤[Ga]/[R]≤0.100。
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