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公开(公告)号：CN104781641B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201380056207.4
申请日：2013-08-29
Applicant: 罗伯特·博世有限公司 , F·普尔科利 , G·亚马 , A·费伊 , G·奥布赖恩
CPC classification number: H01L31/0232 , G01J5/0225 , G01J5/023 , G01J5/024 , G01J5/045 , G01J5/046 , G01J5/06 , G01J5/0809 , G01J5/0853 , G01J5/20 , H01L31/09
Abstract: 在一个实施例中，MEMS传感器包括镜和与镜间隔开的吸收体，所述吸收体包括多个间隔开的导电臂，所述多个间隔开的导电臂跨越所述镜正上方的区域地限定蜿蜒路径。
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公开(公告)号：CN107430028A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680015138.6
申请日：2016-03-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01J1/02 , H01L27/144 , H01L35/32 , H01L37/02
CPC classification number: G01N21/3504 , G01J5/0014 , G01J5/023 , G01J5/024 , G01J5/0862 , G01J5/10 , G01J5/20 , G01N2021/258 , H01L27/14649 , H01L27/16 , H01L35/32 , H01L37/02
Abstract: 对波长λA的电磁波选择性地进行检测的电磁波检测器包括：基板，具有中空部；温度探测部，包括波长选择构造以及探测膜，所述波长选择构造与规定的波长λA的电磁波产生表面等离子体共振并将其变换为热来进行吸收，所述探测膜对被吸收的热进行检测；以及支承构造，在中空部之上保持温度探测部，支承构造还具备反射构造，该反射构造反射支承构造具有的吸收波长的电磁波。
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公开(公告)号：CN105712284B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201410723696.0
申请日：2014-12-02
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Inventor： 荆二荣
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0278 , B81B2203/0118 , B81C1/00 , B81C1/0015 , B81C2201/0197 , G01J1/04 , G01J1/42 , G01J5/024 , G01J5/0853
Abstract: 一种MEMS双层悬浮微结构的制作方法，可以制作出具有双层的悬浮微结构，用该双层悬浮微结构(具备第一介质层和第二介质层的悬浮微结构)制作的红外探测器，由于第二介质层不需要制作悬臂梁，所以第二介质层可以制作得比第一介质层大，因而可以比单层悬浮微结构的红外探测器拥有更大的悬浮吸收区域，从而具备较高的红外响应率。此外，还公开一种MEMS红外探测器。
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公开(公告)号：CN106989828A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710049600.0
申请日：2017-01-19
Applicant: 优利斯公司 , 原子能与替代能源委员会
CPC classification number: H01L27/14618 , G01J5/024 , G01J5/045 , G01J5/20 , G01J2005/204 , H01L27/1462 , H01L27/14629 , H01L27/14649 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , G01J5/0803
Abstract: 制造具有微囊的电磁辐射探测器的方法，探测器能探测中心在λ10的波长范围[λ8；λ14],含能探测该范围的探测设备和在预压下容纳其的气密封装,其由衬底、附接其的侧壁和附接侧壁的盖形成且含在该范围透明的与设备竖对齐的部分,包括:在衬底上形成该设备,包括沉积完全包埋其的牺牲层；其上形成盖,由在该范围中透明的第一、二和三光学结构堆叠形成,第二和三结构有在λ10≥3.4和≤2.3的等效折射率；形成含至少第一结构的盖的部分后,形成穿过盖的部分的至牺牲层的孔,穿过其施加蚀刻完全去除牺牲层,第一结构的光厚度≥λ10/10,在λ10的等效折射率在牺牲层上形成的第一结构的表面对去除牺牲层的蚀刻是惰性的。
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公开(公告)号：CN105712284A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410723696.0
申请日：2014-12-02
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Inventor： 荆二荣
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0278 , B81B2203/0118 , B81C1/00 , B81C1/0015 , B81C2201/0197 , G01J1/04 , G01J1/42 , G01J5/024 , G01J5/0853
Abstract: 一种MEMS双层悬浮微结构的制作方法，可以制作出具有双层的悬浮微结构，用该双层悬浮微结构(具备第一介质层和第二介质层的悬浮微结构)制作的红外探测器，由于第二介质层不需要制作悬臂梁，所以第二介质层可以制作得比第一介质层大，因而可以比单层悬浮微结构的红外探测器拥有更大的悬浮吸收区域，从而具备较高的红外响应率。此外，还公开一种MEMS红外探测器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105679927A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201510885471.X
申请日：2015-12-04
Applicant: 马克西姆综合产品公司
CPC classification number: H01L35/02 , G01J5/0225 , G01J5/024 , G01J5/12 , H01L35/14 , H01L35/20 , H01L35/00 , B81B7/02 , B81C1/00 , H01L35/34
Abstract: 本发明描述了一种器件以及用于制造该器件的技术，以便使用微机电系统(MEMS)工艺来形成晶片级热传感器封装体。在一个或多个实施方式中，晶片级热传感器封装体包括热电堆叠置体和帽式晶片组件，热电堆叠置体包括衬底、电介质膜、第一热电层、第一层间电介质、第二热电层、第二层间电介质、金属连接组件、钝化层、以及接合焊盘，其中，钝化层包括沟槽或孔的至少其中之一，并且其中，衬底包括邻近至少一个沟槽或孔的腔室，接合焊盘设置在钝化层上并电气耦合到金属连接组件；帽式晶片组件耦合到热电堆叠置体，帽式晶片组件包括具有腔室的晶片，所述腔室形成在晶片的一侧上的腔室并被配置为邻近热电堆叠置体。
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公开(公告)号：CN102255038B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201110101169.2
申请日：2011-04-21
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L37/025 , G01J5/0235 , G01J5/024 , G01J5/046 , G01J5/34
Abstract: 本文公开了一种红外检测元件和红外成像装置。该红外检测元件包括：基板，在基板上形成的支撑电绝缘层，在支撑电绝缘层上形成的第一电极，在第一电极上形成的热电层以及在热电层上形成的第二电极，其中，热电层具有1×102μm2至1×104μm2的光接收面积，具有0.8μm至10μm的厚度，并且其中包含表示为Pb(ZrxTi1-x)O3的化合物作为主要成分，其中，0.57＜x＜0.93。
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公开(公告)号：CN102235912B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201110074402.2
申请日：2011-03-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G01J5/12
Abstract: 本发明提供了热电型光检测器、热电型光检测装置、电子设备和热电型光检测器的制造方法。该热电型光检测器包括：热电型光检测元件；安装了热电型光检测元件的支撑部件；在与热电型光检测元件相对的位置配置空穴部并支撑该支撑部件的固定部；在从热电型光检测元件侧看的俯视图上沿着支撑部件的轮廓开口并与空穴部连通的开口部；以及覆盖支撑部件的第一面、支撑部件的面对开口部的侧面以及在俯视图中露出的热电型光检测元件及支撑部件的外表面的第一还原气体阻隔层。
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公开(公告)号：CN102221411B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201110074618.9
申请日：2011-03-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供了一种热式光检测器、热式光检测装置及电子设备。热式光检测器具有：热式检测元件；支撑部件，热式检测元件安装并支撑在支撑部件的与面向空腔部的第一面相对的第二面上；以及固定部，支撑该支撑部件。支撑部件具有：第一层部件，配置在第二面侧，并具有朝向第一方向的残留应力；以及第二层部件，在第一面侧层叠到第一层部件上，并具有朝向与第一方向相反的第二方向的残留应力。第一层部件的热导小于第二层部件的热导。
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公开(公告)号：CN103620779A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201280006331.5
申请日：2012-07-10
Applicant: 赫普塔冈微光有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L31/167 , H01L31/0232 , G01J1/02 , G01J1/42 , G01J5/02 , G01J5/20
CPC classification number: H01L31/16 , B29D11/00298 , B29D11/00307 , G01J1/0209 , G01J1/0233 , G01J1/0271 , G01J1/0411 , G01J1/06 , G01J1/42 , G01J5/00 , G01J5/022 , G01J5/0235 , G01J5/024 , G01J5/0265 , G01J5/045 , G01J5/0806 , G01J5/20 , G01J2001/061 , G02B3/0031 , G02B3/0056 , G02B13/0085 , H01L25/167 , H01L27/14618 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14687 , H01L31/02325 , H01L31/167 , H01L2924/0002 , Y10T29/49002 , H01L2924/00
Abstract: 用于制造光电模块（1）的方法包含：a）提供衬底晶片（PW），在所述衬底晶片上布置有多个检测构件（D）；b）提供间隔晶片（SW）；c）提供光学晶片（OW），所述光学晶片包含多个透明部分（t）和至少一个阻挡部分（b），所述多个透明部分对于通常可由所述检测构件检测的光透明，所述至少一个阻挡部分用于实质上衰减或阻挡通常可由所述检测构件检测的入射光；d）制备晶片堆叠（2），在所述晶片堆叠中，所述间隔晶片（SW）布置在所述衬底晶片（PW）与所述光学晶片（OW）之间，以使得所述检测构件（D）布置在所述衬底晶片与所述光学晶片之间。优选地，用于发射通常可由所述检测构件（D）检测的光的多个发射构件（E）布置在所述衬底晶片（PW）上，以使得多个相邻发射构件和检测构件存在于所述衬底晶片上。可通过将所述晶片堆叠（2）分隔成多个单独模块（1）来获得单个模块（1）。
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