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公开(公告)号：CN101336466A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200680051827.9
申请日：2006-12-19
Applicant: 佛姆法克特股份有限公司
IPC: H01L21/20
CPC classification number: B81C1/0046 , B33Y10/00 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81C2201/0184 , B81C2201/0197 , C23C18/1608 , C23C18/1844 , C25D1/003 , C25D1/12 , C25D5/02 , G01R1/06755 , G01R3/00 , H01L21/288 , H01L21/76873 , H01L2924/0001 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/01055 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/1461 , H05K3/1275 , H01L2224/13099 , H01L2924/00
Abstract: 揭示了按照三维阵列沉积多个微滴的系统和方法。该阵列可以包括：第一类微滴，设置它们是为了形成支撑结构；以及第二类微滴，用于在支撑结构上形成导电晶种层。结构材料可以被电沉积到晶种层上以产生三维结构。
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公开(公告)号：CN106105268B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201480003818.7
申请日：2014-08-26
Applicant: 歌尔股份有限公司
CPC classification number: H04R19/02 , B81B7/008 , B81B2201/0257 , B81B2201/032 , B81B2203/0127 , B81B2207/012 , B81C1/00158 , B81C2201/0197 , H04R7/06 , H04R19/013 , H04R31/00 , H04R31/003 , H04R2201/003 , H04R2307/025 , H04R2307/027
Abstract: 本发明提供一种热双晶振膜的制作方法及MEMS扬声器，其中该方法包括以下步骤：对基板(1)热氧化以在该基板上获得绝缘层(2)，在绝缘层(2)上设置金属层(3)；在金属层(3)上设置保护层(4)；在保护层(4)上设置热双晶第一层(5)；在热双晶第一层(5)上设置热双晶第二层(6)；在金属层(3)上未设置保护层(4)的位置处设置金属连接层(7)，在基板(1)和绝缘层(2)上形成相对应的背洞(16)，并释放保护层(4)；释放保护层(4)后，热双晶第一层(5)和热双晶第二层(6)形成弯曲的热双晶振膜。利用该MEMS扬声器，能够解决生产成本高、振膜制作复杂以及扬声器音效不佳的问题。
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公开(公告)号：CN103080197B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201180037666.9
申请日：2011-08-01
Applicant: 索尼公司 , 索尼达德克奥地利股份公司
CPC classification number: B81B1/00 , B01L3/502707 , B01L2300/16 , B01L2300/161 , B05D1/62 , B81C1/00206 , B81C3/00 , B81C2201/0197 , C08J7/04 , C08J7/047 , C08J7/06 , C08J7/123 , C08J2383/04 , C08L83/04 , C23C16/045 , Y02P20/582 , Y10T156/10
Abstract: 本发明涉及具有玻璃样的聚合物衬底，特别是蚀刻的玻璃样的表面和由至少一个这样的聚合物衬底制成的芯片。本发明还涉及一种给聚合物衬底提供蚀刻的玻璃样的表面的方法。此外，本发明涉及用于使用这样的聚合物衬底制造芯片的试剂盒。此外，本发明涉及使用具有玻璃样的表面，特别是蚀刻的玻璃样的表面的聚合物衬底用于制造芯片。
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公开(公告)号：CN104641485A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201380043579.3
申请日：2013-07-18
Applicant: 欧司朗OLED股份有限公司
IPC: H01L51/52 , B81C3/00 , C23C16/455 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/5253 , B81C1/00269 , B81C2201/0197 , B81C2203/0118 , B81C2203/031 , C23C16/45529 , H01L23/564 , H01L51/448 , H01L51/524 , H01L2924/0002 , H05K5/065 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10T428/13 , H01L2924/00
Abstract: 在不同的实施方式中提供一种设备，所述设备具有：第一载体(102)，所述第一载体用至少一种ALD前驱体(302)和/或至少一种MLD前驱体(302)；第二载体(104)，所述第二载体用与所述第一载体(102)的至少一种ALD前驱体(302)和/或MLD前驱体(302)互补的至少一种ALD前驱体(304)和/或至少一种MLD前驱体(304)占据，其中第一载体(102)与第二载体(104)至少部分地借助于第一载体(102)的ALD前驱体(302)和第二载体(104)的ALD前驱体(304)之间的或者第一载体(102)的MLD前驱体(302)或者第二载体(104)的MLD前驱体(304)之间的原子键合部(118)来连接，使得形成ALD层(118)或者MLD层(118)。
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公开(公告)号：CN106660782A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580047745.6
申请日：2015-07-06
Applicant: 因文森斯公司
Inventor： P·斯迈斯
IPC: B81B7/00
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B7/02 , B81C1/00246 , B81C2201/0197 , B81C2203/0792
Abstract: 揭示一种提供CMOS‑MEMS结构的方法。本方法包含图型化MEMS致动器衬底上的第一顶端金属及CMOS衬底上的第二顶端金属。MEMS致动器衬底与CMOS衬底各于其上包括氧化层。本方法包括蚀刻MEMS致动器衬底及底座衬底上的各氧化层，利用第一接合步骤将MEMS致动器衬底的经图型化的第一顶端金属接合至底座衬底的经图型化的第二顶端金属。最后，本方法包括将致动器层蚀刻成MEMS致动器衬底，并且利用第二接合步骤将MEMS致动器衬底接合至MEMS握把衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106206460A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510381462.7
申请日：2015-07-02
Applicant: 精材科技股份有限公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81C1/00182 , B81C1/00269 , B81C2201/0197 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L23/13 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含半导体晶片、中介片、高分子粘着支撑层、重布局线路以及封装层。半导体晶片具有感应元件以及导电垫，导电垫电性连接感应元件。中介片配置于半导体晶片上方，中介片具有沟槽以及穿孔，其中沟槽暴露出部分感应元件，穿孔暴露出导电垫。高分子粘着支撑层夹设于半导体晶片与中介片之间。重布局线路配置于中介片上方以及穿孔内以电性连接导电垫。封装层覆盖中介片以及重布局线路，封装层具有开口暴露出沟槽。本发明更容易有效控制并确保半导体晶片与中介片两者的连接，且可有效减低晶片封装体内部的电子元件被高温影响的疑虑。
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公开(公告)号：CN103080197A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180037666.9
申请日：2011-08-01
Applicant: 索尼公司 , 索尼达德克奥地利股份公司
CPC classification number: B81B1/00 , B01L3/502707 , B01L2300/16 , B01L2300/161 , B05D1/62 , B81C1/00206 , B81C3/00 , B81C2201/0197 , C08J7/04 , C08J7/047 , C08J7/06 , C08J7/123 , C08J2383/04 , C08L83/04 , C23C16/045 , Y02P20/582 , Y10T156/10
Abstract: 本发明涉及具有玻璃样的聚合物衬底，特别是蚀刻的玻璃样的表面和由至少一个这样的聚合物衬底制成的芯片。本发明还涉及一种给聚合物衬底提供蚀刻的玻璃样的表面的方法。此外，本发明涉及用于使用这样的聚合物衬底制造芯片的试剂盒。此外，本发明涉及使用具有玻璃样的表面，特别是蚀刻的玻璃样的表面的聚合物衬底用于制造芯片。
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公开(公告)号：CN101336466B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200680051827.9
申请日：2006-12-19
Applicant: 佛姆法克特股份有限公司
IPC: H01L21/20
CPC classification number: B81C1/0046 , B33Y10/00 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81C2201/0184 , B81C2201/0197 , C23C18/1608 , C23C18/1844 , C25D1/003 , C25D1/12 , C25D5/02 , G01R1/06755 , G01R3/00 , H01L21/288 , H01L21/76873 , H01L2924/0001 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/01055 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/1461 , H05K3/1275 , H01L2224/13099 , H01L2924/00
Abstract: 揭示了按照三维阵列沉积多个微滴的系统和方法。该阵列可以包括：第一类微滴，设置它们是为了形成支撑结构；以及第二类微滴，用于在支撑结构上形成导电晶种层。结构材料可以被电沉积到晶种层上以产生三维结构。
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公开(公告)号：CN104641485B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380043579.3
申请日：2013-07-18
Applicant: 欧司朗OLED股份有限公司
IPC: H01L51/52 , B81C3/00 , C23C16/455 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/5253 , B81C1/00269 , B81C2201/0197 , B81C2203/0118 , B81C2203/031 , C23C16/45529 , H01L23/564 , H01L51/448 , H01L51/524 , H01L2924/0002 , H05K5/065 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10T428/13 , H01L2924/00
Abstract: 一种设备，所述设备具有：第一载体，所述第一载体用至少一种ALD前驱体和/或至少一种MLD前驱体占据；第二载体，所述第二载体用与所述第一载体的至少一种ALD前驱体和/或MLD前驱体互补的至少一种ALD前驱体和/或至少一种MLD前驱体占据。第一载体与第二载体至少部分地借助于第一载体的ALD前驱体和第二载体的ALD前驱体之间的或者第一载体的MLD前驱体或者第二载体的MLD前驱体之间的原子键合部来连接，使得形成ALD层或者MLD层。
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公开(公告)号：CN105745173A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201480056975.4
申请日：2014-09-08
Applicant: 格里菲斯大学
CPC classification number: C30B1/026 , B81C1/0038 , B81C2201/0197 , C01B32/184 , C01B32/188 , C30B1/10 , C30B29/02 , H01L21/00 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/02491 , H01L21/02527 , H01L21/02614
Abstract: 一种用于形成石墨烯的方法，所述方法包括：将至少两种金属沉积在碳化硅(SiC)的表面上，所述至少两种金属包括至少一种第一金属和至少一种第二金属；以及在使所述至少一种第一金属与碳化硅中的硅反应的条件下加热SiC及第一金属和第二金属，以形成碳和至少一种稳定的硅化物，并且碳在至少一种稳定的硅化物中及在至少一种第二金属中的相应溶解度足够低，使得通过硅化物反应产生的碳在SiC上形成石墨烯层。
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