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公开(公告)号：CN113643956B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202110920468.2
申请日：2021-08-11
Applicant: 长春电子科技学院
Abstract: 本发明公开了一种光电子倍增器，包括安装座和倍增器本体，所述倍增器设置于安装座的左侧，所述倍增器本体右侧的四周均栓接有限位柱，所述限位柱的右侧贯穿至安装座的内腔，所述安装座的内腔设置有快速安装机构，所述限位柱的右侧与快速安装机构相向的一侧卡接，所述安装座的顶部和底部均开设有通槽。该发明快速安装机构，通过设置移动框便于带动固定杆移动，能够使固定杆通过活动杆带动活动座进行移动，从而活动座带动定位柱对限位柱进行快速卡接固定，满足了倍增器本体与安装座之间的快速安装流程，提高了使用者安装倍增器本体的效率，同时降低了使用者对倍增器本体更换时对安装位置造成的损坏。
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公开(公告)号：CN103620696B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280030018.5
申请日：2012-06-27
Applicant: 利乐拉瓦尔集团及财务有限公司
CPC classification number: H01J29/02 , G21K5/04 , H01J3/38 , H01J9/18 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明涉及一种电子束装置，其具有带有电子出射窗的细长形状的管状主体，所述电子出射窗沿所述管状主体的纵向方向延伸。所述管状主体至少部分地形成真空室，所述真空室其中包括阴极，所述阴极包括具有细长形状的阴极壳体（112）、以及都沿所述细长形状的所述阴极壳体（112）延伸的至少一个电子产生丝状体（120）和控制栅（114）。所述控制栅（114）和所述阴极壳体（112）通过附接装置（118）彼此连接。所述控制栅（114）或所述阴极壳体（112）的自由纵向端部沿朝向彼此的方向弯曲，从而形成隆起状成形部（126），以用于形成电子束成形电极。本发明还包括制造所述电子束装置的方法。
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公开(公告)号：CN1050429C
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：CN98119379.X
申请日：1998-09-25
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于光电子与集成光学技术领域，包括电光晶体，该电光晶体表面依次结合有光波导、二氧化硅缓冲层、下电极以及位于该光电晶体两端，与所说光波导对中粘接的光纤，还包括与所说下电极相对应的制作在微波印刷电路板上的上电极，该上电极面对面紧粘在下电板上。本发明易于降低行波电极损耗系数，制造工艺相对容易，有于利提高成品率。既适合于宽带电光调制器，也适合于超宽带电光调制器。
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公开(公告)号：CN1122511A
公开(公告)日：1996-05-15
申请号：CN94115813.6
申请日：1994-08-29
Applicant: 李宗诚
Inventor： 李宗诚
Abstract: 本发明“光电子演化处理显微镜”属于新兴的光电子技术领域，本发明试图改进现有显微镜技术，使显微镜不仅具有放大成像的功能，而且具有从放大图像提取样品演化信息的功能。通过发明光电演化信息处理器并将其引入电子显微镜中而将电子束转换为光的级联簇射图像，从而利用电子透镜和光电阴极而将光的级联簇射变为放大倍数很高的样品演化图像，这是本发明的主要特征，本发明可广泛应用于医学、生物、环境保护、工业、农业等许多领域。
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公开(公告)号：CN112992628B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202011394426.1
申请日：2020-12-02
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
Abstract: 本发明题为用于离子阱的装置、系统和方法。本发明提供了一个离子阱装置。该离子阱装置包括形成有基本上平行的纵向轴线和有基本上共面的上表面的两个或更多个射频(RF)导轨；以及捕获和/或传输(TT)电极的两个或更多个序列，其中每个序列形成为基本上平行于该RF导轨的该基本上平行的纵向轴线延伸。该两个或更多个RF导轨和TT电极的该两个或更多个序列限定离子阱。TT电极的该两个或更多个序列被布置成多个区。每个区包括该TT电极的宽匹配组和该TT电极的至少一个窄匹配组。宽TT电极在基本上平行于该RF导轨的该基本上平行的纵向轴线的方向上比窄TT电极更长和/或更宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112992628A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011394426.1
申请日：2020-12-02
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
Abstract: 本发明题为用于离子阱的装置、系统和方法。本发明提供了一个离子阱装置。该离子阱装置包括形成有基本上平行的纵向轴线和有基本上共面的上表面的两个或更多个射频(RF)导轨；以及捕获和/或传输(TT)电极的两个或更多个序列，其中每个序列形成为基本上平行于该RF导轨的该基本上平行的纵向轴线延伸。该两个或更多个RF导轨和TT电极的该两个或更多个序列限定离子阱。TT电极的该两个或更多个序列被布置成多个区。每个区包括该TT电极的宽匹配组和该TT电极的至少一个窄匹配组。宽TT电极在基本上平行于该RF导轨的该基本上平行的纵向轴线的方向上比窄TT电极更长和/或更宽。
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公开(公告)号：CN113643956A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110920468.2
申请日：2021-08-11
Applicant: 长春电子科技学院
Abstract: 本发明公开了一种光电子倍增器，包括安装座和倍增器本体，所述倍增器设置于安装座的左侧，所述倍增器本体右侧的四周均栓接有限位柱，所述限位柱的右侧贯穿至安装座的内腔，所述安装座的内腔设置有快速安装机构，所述限位柱的右侧与快速安装机构相向的一侧卡接，所述安装座的顶部和底部均开设有通槽。该发明快速安装机构，通过设置移动框便于带动固定杆移动，能够使固定杆通过活动杆带动活动座进行移动，从而活动座带动定位柱对限位柱进行快速卡接固定，满足了倍增器本体与安装座之间的快速安装流程，提高了使用者安装倍增器本体的效率，同时降低了使用者对倍增器本体更换时对安装位置造成的损坏。
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公开(公告)号：CN103620696A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201280030018.5
申请日：2012-06-27
Applicant: 利乐拉瓦尔集团及财务有限公司
CPC classification number: H01J29/02 , G21K5/04 , H01J3/38 , H01J9/18 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明涉及一种电子束装置，其具有带有电子出射窗的细长形状的管状主体，所述电子出射窗沿所述管状主体的纵向方向延伸。所述管状主体至少部分地形成真空室，所述真空室其中包括阴极，所述阴极包括具有细长形状的阴极壳体（112）、以及都沿所述细长形状的所述阴极壳体（112）延伸的至少一个电子产生丝状体（120）和控制栅（114）。所述控制栅（114）和所述阴极壳体（112）通过附接装置（118）彼此连接。所述控制栅（114）或所述阴极壳体（112）的自由纵向端部沿朝向彼此的方向弯曲，从而形成隆起状成形部（126），以用于形成电子束成形电极。本发明还包括制造所述电子束装置的方法。
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公开(公告)号：CN113161214A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202010078223.5
申请日：2020-01-23
Applicant: 中国科学技术大学
Abstract: 一种离子阱，应用于离子阱技术领域，包括：磁场发生装置、光场发生装置和可变电场发生装置，磁场发生装置，用于产生离子所需的约束磁场，光场发生装置，用于产生形状可变的光场，可变电场发生装置，用于通过该光场，利用光伏效应，产生可变约束电场，该可变约束电场的电势分布与该光场分布一致，以通过该约束磁场和该可变约束电场分别操控每个离子。本申请还公开了一种离子束缚方法，可任意束缚和操控每个离子。
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