公开(公告)号：TW201603113A

公开(公告)日：2016-01-16

申请号：TW104118057

申请日：2015-06-04

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 宗補羅度 伯特 ,  JONGBLOED, BERT ,  皮耶賀 迪特爾 ,  PIERREUX, DIETER ,  樊 德 捷 康奈爾斯A ,  VAN DER JEUGD, CORNELIUS A. ,  特后司特 赫伯特 ,  TERHORST, HERBERT ,  堤拉 路西安 ,  JDIRA, LUCIAN ,  班克瑞斯 瑞德寇G ,  BANKRAS, RADKO G. ,  亞斯特雷肯 式朵拉斯G M ,  OOSTERLAKEN, THEODORUS G. M.

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02337 ,  C23C16/402 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02274

Abstract: 在一些實施例中，反應性固化製程可藉由使製程腔室內的半導體基板暴露於含過氧化氫的環境下進行，其中製程腔室內的壓力為約300 Torr或少於300 Torr。在一些實施例中，過氧化氫分子於製程腔室內的滯留時間為約5分鐘或少於5分鐘。固化製程溫度可被設定為約500°C或少於500°C。固化製程可被用來固化流動性的介電材料以及可提供高度均勻的固化結果，例如橫跨在批式製程腔室內被固化的一批半導體基板。

Abstract in simplified Chinese: 在一些实施例中，反应性固化制程可借由使制程腔室内的半导体基板暴露于含过氧化氢的环境下进行，其中制程腔室内的压力为约300 Torr或少于300 Torr。在一些实施例中，过氧化氢分子于制程腔室内的滞留时间为约5分钟或少于5分钟。固化制程温度可被设置为约500°C或少于500°C。固化制程可被用来固化流动性的介电材料以及可提供高度均匀的固化结果，例如横跨在批式制程腔室内被固化的一批半导体基板。

公开(公告)号：TW201602393A

公开(公告)日：2016-01-16

申请号：TW104105533

申请日：2015-02-17

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 傑迪拉 魯西亞C ,  JDIRA, LUCIAN C. ,  特荷斯特 赫伯 ,  TERHORST, HERBERT ,  賀賓 麥可 ,  HALPIN, MICHAEL ,  懷特 卡爾 ,  WHITE, CARL ,  唐 泰德 羅伯 ,  DUNN, TODD ROBERT ,  謝洛 艾瑞克 ,  SHERO, ERIC ,  維巴斯 梅爾文 ,  VERBASS, MELVIN ,  烏斯特 克里斯多夫 ,  WUESTER, CHRISTOPHER ,  方杜拉利亞 凱利 ,  FONDURULIA, KYLE

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45512 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45574

Abstract: 一種用於晶圓處理反應器之氣體入口系統包括：經調適以連接至該晶圓處理反應器之一氣體入口埠之一管狀氣體歧管；及氣體饋送，其包括用於饋送第一氣體進入該管狀氣體歧管之第一饋送及用於饋送第二氣體進入該管狀氣體歧管之第二饋送。每一饋送具有在該管狀氣體歧管之第一軸位置處連接至該管狀氣體歧管之二或多個注入埠，且每一該等氣體饋送之該等注入埠係在該第一軸位置處沿著該管狀氣體歧管之圓周均勻地分佈。

Abstract in simplified Chinese: 一种用于晶圆处理反应器之气体入口系统包括：经调适以连接至该晶圆处理反应器之一气体入口端口之一管状气体歧管；及气体馈送，其包括用于馈送第一气体进入该管状气体歧管之第一馈送及用于馈送第二气体进入该管状气体歧管之第二馈送。每一馈送具有在该管状气体歧管之第一轴位置处连接至该管状气体歧管之二或多个注入端口，且每一该等气体馈送之该等注入端口系在该第一轴位置处沿着该管状气体歧管之圆周均匀地分布。

公开(公告)号：TW201546936A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：TW104109923

申请日：2015-03-27

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 和田隆 ,  WADA, TAKASHI

IPC: H01L21/67

CPC classification number: G05B19/4189 ,  G05B2219/45031 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67745 ,  Y02P90/20 ,  Y02P90/28

Abstract: 本發明提供一種基板處理裝置，包括：複數個手臂，用於傳送一基板；複數個製程部，用以處理基板；一程式儲存部，用以儲存至少一程式指示至少一複數個手臂作為一使用手臂且至少一複數個製程部作為一使用製程部及指定使用製程部的一製程情況及一控制單元，依據至少一程式，控制複數個手臂及複數個製程部以使基板使用手臂傳送且於製程部進行製程情況之處理。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种基板处理设备，包括：复数个手臂，用于发送一基板；复数个制程部，用以处理基板；一进程存储部，用以存储至少一进程指示至少一复数个手臂作为一使用手臂且至少一复数个制程部作为一使用制程部及指定使用制程部的一制程情况及一控制单元，依据至少一进程，控制复数个手臂及复数个制程部以使基板使用手臂发送且于制程部进行制程情况之处理。

公开(公告)号：TW201544611A

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：TW104108551

申请日：2015-03-18

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 宗補羅度 伯特 ,  JONGBLOED, BERT ,  皮耶賀 迪特爾 ,  PIERREUX, DIETER ,  樊 德 捷 康奈爾斯A ,  VAN DER JEUGD, CORNELIUS A. ,  堤拉 路西安 ,  JDIRA, LUCIAN ,  班克瑞斯 瑞德寇 吉瑞德 ,  BANKRAS, RADKO GERARD ,  亞斯特雷肯 式朵拉斯G M ,  OOSTERLAKEN, THEODORUS G. M.

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/54

CPC classification number: C01B15/017 ,  H01L21/67017

Abstract: 在一些實施例中，揭露一種用於將過氧化氫輸送至半導體處理腔室的系統。所述系統包含用於保持H2O2/H2O混合物呈液態的處理罐、具備蒸發器加熱器的蒸發器、用於將所述液體H2O2/H2O混合物饋入至所述蒸發器的第一進料管線，以及用於將所述蒸發的H2O2/H2O混合物饋入至所述處理腔室的第二進料管線，所述第二進料管線具備第二進料管線加熱器。所述蒸發器加熱器經組態以將所述蒸發器加熱至低於120℃的溫度，且所述第二進料管線加熱器經組態以將所述進料管線加熱至等於或高於所述蒸發器的所述溫度的溫度。

Abstract in simplified Chinese: 在一些实施例中，揭露一种用于将过氧化氢输送至半导体处理腔室的系统。所述系统包含用于保持H2O2/H2O混合物呈液态的处理罐、具备蒸发器加热器的蒸发器、用于将所述液体H2O2/H2O混合物馈入至所述蒸发器的第一进料管线，以及用于将所述蒸发的H2O2/H2O混合物馈入至所述处理腔室的第二进料管线，所述第二进料管线具备第二进料管线加热器。所述蒸发器加热器经组态以将所述蒸发器加热至低于120℃的温度，且所述第二进料管线加热器经组态以将所述进料管线加热至等于或高于所述蒸发器的所述温度的温度。

公开(公告)号：TW201530652A

公开(公告)日：2015-08-01

申请号：TW103136251

申请日：2014-10-21

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 石井慶大 ,  ISII, YOSHIHIRO ,  中野竜 ,  NAKANO, RYU ,  井上尚樹 ,  INOUE, NAOKI

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/0273 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31138

Abstract: 本發明揭示一種用於修整一含碳膜之方法，包括：(i)提供其上具有一含碳膜的基板；(ii)將一修整氣體與一稀有氣體供應至該反應空間，該修整氣體包含一含氧氣體；以及(iii)在該等電極間施加RF功率，使用該修整氣體與該稀有氣體來產生電漿，藉此修整該含碳膜，同時將一修整率控制在55nm/min(奈米/分鐘)或以下，與選自於該含氧氣體之流率、要加入該含氧氣體的含氮氣體之流量、該反應空間內的壓力、RF功率、RF功率的佔空比、該等電極間的距離、以及該基板所在承座的溫度所構成群組中選定的至少一參數有函數關係。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种用于修整一含碳膜之方法，包括：(i)提供其上具有一含碳膜的基板；(ii)将一修整气体与一稀有气体供应至该反应空间，该修整气体包含一含氧气体；以及(iii)在该等电极间施加RF功率，使用该修整气体与该稀有气体来产生等离子，借此修整该含碳膜，同时将一修整率控制在55nm/min(奈米/分钟)或以下，与选自于该含氧气体之流率、要加入该含氧气体的含氮气体之流量、该反应空间内的压力、RF功率、RF功率的占空比、该等电极间的距离、以及该基板所在承座的温度所构成群组中选定的至少一参数有函数关系。

公开(公告)号：TW201527579A

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：TW103134537

申请日：2014-10-03

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 高牟禮昇 ,  TAKAMURE, NOBURU ,  岡部經弘 ,  OKABE, TATSUHIRO

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/36 ,  C23C16/40 ,  H01L21/314

CPC classification number: C23C16/405 ,  C23C16/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/36 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/52

Abstract: 一種用肆(二甲基胺基)鈦(tetrakis(dimethylamino)titanium；TDMAT)或肆(二乙基胺基)鈦(tetrakis(diethylamino)titanium；TDEAT)透過電漿加強原子層沉積術(plasma-enhanced atomic layer deposition；PEALD)在基板上形成含鈦膜之方法，包括：以脈衝方式將TDMAT及/或TDEAT導入一放置基板之反應空間；將無氨(NH3-free)反應氣體連續導入反應空間；以脈衝方式將射頻(RF)功率施敷至反應空間，其中TDMAT及/或TDEAT脈衝及RF功率脈衝不重疊；以及重複上述步驟，以於基板上沉積一含鈦膜。

Abstract in simplified Chinese: 一种用肆(二甲基胺基)钛(tetrakis(dimethylamino)titanium；TDMAT)或肆(二乙基胺基)钛(tetrakis(diethylamino)titanium；TDEAT)透过等离子加强原子层沉积术(plasma-enhanced atomic layer deposition；PEALD)在基板上形成含钛膜之方法，包括：以脉冲方式将TDMAT及/或TDEAT导入一放置基板之反应空间；将无氨(NH3-free)反应气体连续导入反应空间；以脉冲方式将射频(RF)功率施敷至反应空间，其中TDMAT及/或TDEAT脉冲及RF功率脉冲不重叠；以及重复上述步骤，以于基板上沉积一含钛膜。

公开(公告)号：TW201518535A

公开(公告)日：2015-05-16

申请号：TW103132230

申请日：2014-09-18

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 中野竜 ,  NAKANO, RYU ,  井上尚樹 ,  INOUE, NAOKI

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/505 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 一種以電漿輔助製程形成氧化物膜的方法，其包括：(i)在無電漿下向其中放置一基板之一反應空間供應不與氧、CxOy、及NxOy(x及y係整數)任一者反應之前驅物；(ii)在反應空間中向CxOy及/或NxOy之電漿曝露該前驅物；及(iii)使用該前驅物及該電漿在該基板上形成氧化物膜。

Abstract in simplified Chinese: 一种以等离子辅助制程形成氧化物膜的方法，其包括：(i)在无等离子下向其中放置一基板之一反应空间供应不与氧、CxOy、及NxOy(x及y系整数)任一者反应之前驱物；(ii)在反应空间中向CxOy及/或NxOy之等离子曝露该前驱物；及(iii)使用该前驱物及该等离子在该基板上形成氧化物膜。

公开(公告)号：TW201503240A

公开(公告)日：2015-01-16

申请号：TW103123725

申请日：2014-07-10

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 威克斯 基斯 多倫 ,  WEEKS, KEITH DORAN ,  塔勒 約翰 ,  TOLLE, JOHN ,  古德曼 馬修G ,  GOODMAN, MATTHEW G. ,  梅塔 桑迪普 ,  MEHTA, SANDEEP

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L29/36 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32135

Abstract: 本發明揭示一種併入電摻質的半導體材料的形成方法。在一態樣中，在半導體膜中併入摻質的方法包括形成併入第一摻質濃度的摻質的第一半導體材料及優先蝕刻所述第一半導體材料的部分，其中所述蝕刻餘留第一蝕刻半導體材料，第一蝕刻半導體材料併入高於所述第一摻質濃度的第二摻質濃度的摻質。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种并入电掺质的半导体材料的形成方法。在一态样中，在半导体膜中并入掺质的方法包括形成并入第一掺质浓度的掺质的第一半导体材料及优先蚀刻所述第一半导体材料的部分，其中所述蚀刻余留第一蚀刻半导体材料，第一蚀刻半导体材料并入高于所述第一掺质浓度的第二掺质浓度的掺质。

公开(公告)号：TW201418511A

公开(公告)日：2014-05-16

申请号：TW102131839

申请日：2013-09-04

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 中野竜 ,  NAKANO, RYU ,  牧野勉 ,  MAKINO, TSUTOMU ,  高見澤寿 ,  TAKAMIZAWA, HISASHI

IPC: C23C16/505 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32137

Abstract: 本發明揭示一種穩定電漿點火的方法，其在基板上以連續製程實施，該方法包括：施加一射頻(RF)功率峰值於一上電極及一下電極(其上放置該基板)之間，其中該峰值從零功率開始、跳至一峰值功率、及接著下降至低至造成電漿點火失敗的一基本功率；及以該基本功率連續施加RF功率於該上電極及該下電極之間的一持續期間比處理該基板之該峰值的一持續期間實質上較長。該峰值係致使點火失敗減少。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种稳定等离子点火的方法，其在基板上以连续制程实施，该方法包括：施加一射频(RF)功率峰值于一上电极及一下电极(其上放置该基板)之间，其中该峰值从零功率开始、跳至一峰值功率、及接着下降至低至造成等离子点火失败的一基本功率；及以该基本功率连续施加RF功率于该上电极及该下电极之间的一持续期间比处理该基板之该峰值的一持续期间实质上较长。该峰值系致使点火失败减少。

公开(公告)号：TW201418506A

公开(公告)日：2014-05-16

申请号：TW102131162

申请日：2013-08-30

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 梅特羅 雷傑H ,  MATERO, RAIJA H.

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/02172 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02304 ,  H01L29/785

Abstract: 提供形成氧化鍺薄膜的原子層沈積處理。在一些實施例中，ALD處理可包括以下步驟：使基板與汽相四價Ge前驅物接觸，以使得在基板表面最多形成Ge前驅物的分子單層；如果有的話，移除過量的Ge前驅物及反應副產物；使基板與汽相氧前驅物接觸，汽相氧前驅物在基板表面與Ge前驅物反應；移除過量的氧前驅物及任何氣體副產物，且重複接觸及移除的步驟直到已形成所需厚度的氧化鍺薄膜。

Abstract in simplified Chinese: 提供形成氧化锗薄膜的原子层沉积处理。在一些实施例中，ALD处理可包括以下步骤：使基板与汽相四价Ge前驱物接触，以使得在基板表面最多形成Ge前驱物的分子单层；如果有的话，移除过量的Ge前驱物及反应副产物；使基板与汽相氧前驱物接触，汽相氧前驱物在基板表面与Ge前驱物反应；移除过量的氧前驱物及任何气体副产物，且重复接触及移除的步骤直到已形成所需厚度的氧化锗薄膜。