公开(公告)号：FR3092933A1

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：FR1901504

申请日：2019-02-14

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： RODRIGUES GONCALVES BORIS ,  TOURNIER ARNAUD

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0352

Abstract: Photodiode La présente description concerne une photodiode (100) comprenant deux murs semiconducteurs latéraux (110b, 110d) et au moins un mur conducteur central (M1, M2, M3, Mi, Mn), chaque mur semiconducteur central étant situé entre deux murs de longueur supérieure. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3054885A1

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：FR1657535

申请日：2016-08-03

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： HUARD VINCENT ,  PARTHASARATHY CHITTOOR

IPC: G01R31/28 ,  G05B23/00 ,  H05K1/00

Abstract: Le système sur puce (SOC) comprend au moins un circuit intégré (1, A-H) et un dispositif d'estimation. Le dispositif d'estimation comporte un moyen de suivi (10) configuré pour collecter au moins un paramètre physique (20) représentatif de l'utilisation du circuit intégré, et un moyen d'évaluation (11, 12) configuré pour déterminer un état de vieillissement instantané (30) du circuit intégré, en fonction dudit au moins un paramètre physique (20), et pour calculer une marge d'utilisation (32) du circuit intégré en comparant l'état de vieillissement instantané (30) avec un état de vieillissement présumé (31).

公开(公告)号：FR3039704B1

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：FR1557206

申请日：2015-07-28

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： RODRIGUEZ GUILLAUME ,  HALIMAOUI AOMAR ,  ORTIZ LAURENT

IPC: H01L29/43 ,  H01L23/48 ,  H01L29/92

公开(公告)号：FR3043852B1

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：FR1560911

申请日：2015-11-13

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： FERROTTI THOMAS ,  BEN BAKIR BADHISE ,  CHANTRE ALAIN ,  CREMER SEBASTIEN ,  DUPREZ HELENE

IPC: H01S5/187

公开(公告)号：FR3021455B1

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：FR1454578

申请日：2014-05-21

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： RIVOIRE MAURICE ,  BALAN VIOREL

IPC: H01L21/461 ,  H01L23/14

公开(公告)号：FR3046495A1

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：FR1563457

申请日：2015-12-30

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： ROY FRANCOIS ,  GUILLON MARIE ,  CAZAUX YVON ,  RODRIGUES BORIS ,  ROCHAS ALEXIS

IPC: H01L27/146 ,  G01S17/08 ,  H04N13/00

Abstract: L'invention concerne un pixel (40) de détection de temps de vol comprenant une zone photosensible (PD) comportant une première couche (43) dopée N1 ; une zone de collection de charges (47) s'étendant dans la première couche et étant plus fortement dopée N2 que la première couche ; au moins deux zones de stockage de charges (mem1, mem2, mem3, mem4) s'étendant à partir de la zone de collection et comprenant chacune un premier caisson (51) plus fortement dopé N3 que la zone de collection et séparé de ladite zone de collection par une première portion (59) de la première couche revêtue d'une première grille (61), chaque zone de stockage de charges étant délimitée latéralement par deux électrodes conductrices isolées (53), parallèles et en vis-à-vis ; et une deuxième couche (45) fortement dopée P+ revêtant le pixel à l'exception de chaque portion (59, 65) de la première couche revêtue d'une grille (61, 67).

公开(公告)号：FR3046494A1

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：FR1662341

申请日：2016-12-12

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： ROY FRANCOIS ,  CAZAUX YVON ,  GUILLON MARIE ,  RODRIGUES BORIS ,  GIFFARD BENOIT

IPC: H01L27/00 ,  G01S17/89 ,  H01L21/02

Abstract: L'invention concerne un pixel (40) comprenant un substrat semiconducteur comportant : une zone photosensible comportant une première couche dopée d'un premier type et une zone de collection de charges (45) plus fortement dopée du premier type que la première couche et s'étendant à travers la première couche ; au moins deux zones de stockage de charges (mem1, mem2, mem3) comprenant chacune un caisson plus fortement dopé du premier type que la zone de collection (45) et séparé de la zone de collection (45) au moins par une première portion de la première couche revêtue d'une première grille (59), chaque zone de stockage (mem1, mem2, mem3) étant délimitée latéralement par deux électrodes conductrices isolées (49), parallèles et en vis-à-vis l'une de l'autre ; et une deuxième couche (47) dopée du deuxième type (P+) revêtant la zone de collection et les zones de stockage de charges.

公开(公告)号：FR3046290A1

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：FR1563258

申请日：2015-12-23

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： POSSEME NICOLAS ,  GARCIA-BARROS MAXIME ,  MORAND YVES

IPC: H01L21/331

Abstract: La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor à partir d'un empilement comprenant au moins un motif de grille comprenant au moins un flanc, caractérisé en ce qu'il comprend : - Formation d'au moins un espaceur de grille sur l'au moins le flanc du motif de grille ; - Réduction, après une étape d'exposition de l'empilement à une température supérieure ou égale à 600°C, de la permittivité diélectrique de l'au moins un espaceur de grille, ladite étape de réduction comprenant au moins une implantation ionique (300) dans une partie au moins de l'épaisseur de l'au moins un espaceur de grille.

公开(公告)号：FR3014243B1

公开(公告)日：2017-05-26

申请号：FR1362088

申请日：2013-12-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： GIRARD DESPROLET ROMAIN ,  LHOSTIS SANDRINE ,  BOUTAMI SALIM ,  MARTY MICHEL

IPC: H01L27/146 ,  G02B5/20

公开(公告)号：FR3043495A1

公开(公告)日：2017-05-12

申请号：FR1560701

申请日：2015-11-09

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： GUYADER FRANCOIS ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

Abstract: Le capteur d'images intégré (CAP) adapté à un mode de commande dit à obturation globale est du type à illumination face arrière. Il comprend un substrat semi-conducteur (1) et une pluralité de pixels (Pi, Pi+1), chaque pixel comportant une zone photosensible (5), une zone de stockage (8), une zone de lecture (10) et des zones de transfert de charges (11, 23) entre ces différentes zones. Le capteur d'image comporte en outre pour chaque pixel (Pi, Pi+1), des moyens de protection (MP) s'étendant au moins en partie dans le substrat (1) depuis sa face arrière et configurés pour assurer une protection de la zone de stockage (8) contre ladite illumination face arrière.