公开(公告)号：WO2003028077A1

公开(公告)日：2003-04-03

申请号：PCT/FR2002/003257

申请日：2002-09-24

Applicant: STMICROELECTRONICS SA ,  CORRIOL, Christian

Inventor： CORRIOL, Christian

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/304 ,  H01L21/784

Abstract: L'invention se rapporte à un procédé pour amincir un plaquette de silicium par gravure de sa face arrière. Le procédé consiste à réaliser une première gravure partielle, par polissage mécanique, suivie d'une gravure chimique dans une ou plusieurs solutions, de préférence de potasse. L'invention porte également sur un circuit intégré formé sur une plaquette amincie selon le procédé, ainsi que sur des cartes à puce comprenant un tel circuit intégré.

Abstract translation: 本发明涉及通过蚀刻硅晶片的后表面来减薄硅晶片的方法。 该方法包括通过机械抛光进行第一部分蚀刻，然后在一种或几种溶液中，优选钾的化学蚀刻。 本发明还涉及通过所述方法薄化的晶片上形成的集成电路，以及包括这种集成电路的智能卡。

公开(公告)号：WO2003017361A1

公开(公告)日：2003-02-27

申请号：PCT/FR2002/002886

申请日：2002-08-14

Applicant: STMICROELECTRONICS SA

Inventor： MALLARDEAU, Catherine ,  MAZOYER, Pascale ,  PIAZZA, Marc

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10882 ,  H01L27/10888

Abstract: Circuit intégré comprenant des transistors formés dans un substrat 3, une couche d'isolant 105 recouvrant les transistors et un condensateur C dont la base de l'électrode inférieure 126 est au niveau de l'interface supérieur de la couche d'isolant 105. Des plots métalliques débouchant de part et d'autre de la couche isolante 105 permettent d'une part la connexion de l'électrode inférieure du condensateur à un composant du circuit intégré et d'autre part la réalisation de connexions électriques de composants adjacents du circuit intégré.

Abstract translation: 本发明涉及一种集成电路，包括：设置在基板（3）中的晶体管; 覆盖晶体管的绝缘层（105）; 和电容器C，所述电容器的下部电极（126）的基底设置在绝缘层（105）的上部界面处。 从绝缘层（105）的任一侧延伸的金属销用于将电容器的下电极连接到集成电路的部件，并提供与集成电路相邻的部件的电连接。

公开(公告)号：WO2002095837A1

公开(公告)日：2002-11-28

申请号：PCT/FR2002/001690

申请日：2002-05-17

Applicant: STMICROELECTRONICS SA ,  EXPOSITO, Juan ,  BRECHIGNAC, Rémi ,  VITTU, Julien

Inventor： EXPOSITO, Juan ,  BRECHIGNAC, Rémi ,  VITTU, Julien

IPC: H01L31/0203

CPC classification number: H01L27/14618 ,  G02B6/4277 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02325 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: Boîter semi-conducteur optique comprenant un composant semi-conducteur optique (8) dont une face avant présent un capteur optique (10) et des moyens d'encapsulation délimitant une cavité dans laquelle est disposé ledit composant optique et présentant des moyens de connexion électrique extérieure (11) de ce composant semi-conducteur optique, lesdits moyens d'encapsulation comprenant une vitre laissant passer la lumiére vers ledit capteur optique. Lesdits moyens d'encapsulation (2, 5) comprennent des moyens de blindage électromagnétique (23, 24, 28) en un matériau conducteur de l'électricité, connectable extérieurement, ces moyens de blindage étant isolés électriquement des moyens de connexion électrique dudit composant optique.

Abstract translation: 本发明涉及一种包括光学半导体部件（8）的光学半导体外壳，其中一个前表面包括光学传感器（10）和限定空腔的封装装置，其中布置有所述光学部件，并且包括用于所述光学部件的外部电连接（11）的装置 光学半导体部件，所述封装装置包括允许光通过所述光学传感器的玻璃。 所述封装装置（2,5）包括由能够外部连接的导电材料制成的电磁屏蔽装置（23,24,28），所述屏蔽装置与所述光学部件的电连接装置电绝缘。

公开(公告)号：WO2002059708A1

公开(公告)日：2002-08-01

申请号：PCT/FR2002/000278

申请日：2002-01-23

Applicant: STMICROELECTRONICS SA ,  DRAY, Cyrille

Inventor： DRAY, Cyrille

IPC: G05F3/24

CPC classification number: G05F3/247 ,  G05F1/465

Abstract: Un dispositif de commande comprend circuit de génération REF de tensions de référence V POL1 , V POL2 comprenant trois transistors Mos de type P M12, M13 et M14 connectés en série entre un noeud d'entrée haute tension EHV et la masse GND, et fournissant sur le drain et la source du transistor du milieu M13 des tensions de référence V POL1 , V POL2 . Ce dispositif comprend des moyens de commande des transistors de référence pour soit, dans un premier mode de fonctionnement, forcer le premier transistor de référence M12 en source de courant, le deuxième transistor de référence M13 à l'état bloqué et court-circuiter le troisième transistor de référence M14 à la masse, soit, dans un deuxième mode de fonctionnement, connecter chacun desdits transistors en diode, leur grille et leur drain étant reliés, en fonction d'un signal de contrôle logique /WR. Ainsi, les tensions de référence obtenues en sortie sont fonction de ce signal logique.

Abstract translation: 本发明涉及一种控制装置，包括产生REF参考电压（VPOL1，V POL2）的电路，该参考电压包括串联连接在高电压输入节点（EHV）和地球之间的三个P型MOS晶体管（M12，M13和M14） GND），并且在中间晶体管（M13）的漏极和源极上提供参考电压（VPOL1，V POL2）。 所述器件包括用于在第一操作模式下控制参考晶体管的装置，以迫使第一参考晶体管（M12）处于电流源，第二参考晶体管（M13）处于截止状态并使第三参考晶体管 M14），或者在第二操作模式下，根据逻辑控制信号（/ WR）连接二极管中的每个晶体管，其栅极及其漏极被连接。 因此，输出中产生的参考电压基于所述逻辑信号。

公开(公告)号：WO2022069806A1

公开(公告)日：2022-04-07

申请号：PCT/FR2020/051734

申请日：2020-10-02

Applicant: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE ,  STMICROELECTRONICS SA ,  INSTITUT POLYTECHNIQUE DE BORDEAUX ,  UNIVERSITE DE BORDEAUX

Inventor： BERTHIER, Alexandre ,  GHIOTTO, Anthony ,  KERHERVE, Eric ,  VOGT, Lionel

IPC: H01P3/16 ,  H01Q13/08 ,  H01P5/08 ,  H01P1/208 ,  H01P5/107 ,  H01R13/62

Abstract: La présente description concerne un connecteur mécaniquement configurable entre une transmission radiofréquence sans fil et une transmission radiofréquence filaire via un guide d'onde diélectrique radiofréquence cylindrique (202), le connecteur (1) comportant un premier boîtier (102) assemblé avec une carte de circuit imprimé (104) munie d'une antenne radiofréquence (108), et un deuxième boîtier (200) configuré pour être assemblé avec le guide d'onde (202), dans lequel le deuxième boîtier (200) est configuré pour être monté de manière amovible au premier boîtier (102) dans une configuration de transmission filaire et est détaché du premier boîtier (102) dans une configuration de transmission sans fil.

公开(公告)号：WO2013068477A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：PCT/EP2012/072160

申请日：2012-11-08

Applicant: COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES ,  STMICROELECTRONICS SA

Inventor： MONFRAY, Stéphane ,  SAVELLI, Guillaume ,  CORONEL, Philippe ,  GAILLARD, Frédéric

IPC: H02N2/18 ,  H02K35/00

CPC classification number: H02N2/18 ,  Y10T29/42

Abstract: Système de conversion d'énergie thermique en énergie électrique (S1) destiné à être disposé entre une source chaude (SC) et une source froide (SF), comportant des moyens de conversion de l'énergie thermique en énergie mécanique (6) et un matériau piézoélectrique, les moyens de conversion de l'énergie thermique en énergie mécanique (6) comportant des groupes (G1, G2) de au moins trois bilames (9, 11, 13) reliés mécaniquement entre eux par leur extrémités longitudinales et suspendus au-dessus d'un substrat (12), chaque bilame (9, 11, 13) comportant deux états stables dans lesquels il présente dans chacun des états une courbure, deux bilames directement adjacentes (9, 11, 13) présentant pour une température donnée des courbures opposées, le passage d'un état à stable des bilames (9, 11, 13) à l'autre provoquant la déformation d'un matériau piézoélectrique.

Abstract translation: 用于将热能转换成旨在设置在热源（SC）和冷源（SF）之间的电能（S1）的系统，包括用于将热能转换成机械能（6）和压电材料的装置，所述装置 用于将热能转换成机械能（6），其包括通过其纵向端部机械地连接并悬挂在基板（12）上方的至少三个双金属条（9,11,13）的组（G1，G2），每个双金属条 包括两个稳定状态，其中每个状态呈现曲率，两个直接相邻的双金属条（9,11,13）在给定温度下呈现相反的曲率，从一个稳定状态切换到 双金属条（9,11,13）彼此导致压电材料的变形。

公开(公告)号：WO2010000635A1

公开(公告)日：2010-01-07

申请号：PCT/EP2009/057734

申请日：2009-06-22

Applicant: STMICROELECTRONICS SA ,  SABUT, Marc ,  GICQUEL, Hugo ,  REAUTE, Fabien ,  VAN ZANTEN, François

Inventor： SABUT, Marc ,  GICQUEL, Hugo ,  REAUTE, Fabien ,  VAN ZANTEN, François

IPC: H03F3/00

CPC classification number: H03F3/005

Abstract: The invention concerns a switched capacitor amplifier having an amplification unit (102) adapted to amplify a differential signal; a first switched capacitor block (120) including a first plurality of capacitors operable to sample a first differential input signal during a first sampling phase and to drive the amplification unit during a first drive phase; and a second switched capacitor block (122) comprising a second plurality of capacitors operable to sample a second differential input signal during a second sampling phase and to drive the amplification unit during a second drive phase.

Abstract translation: 本发明涉及具有适于放大差分信号的放大单元（102）的开关电容放大器; 第一开关电容器块（120），包括第一多个电容器，其可操作以在第一采样阶段期间对第一差分输入信号进行采样，并且在第一驱动阶段期间驱动放大单元; 以及包括第二多个电容器的第二开关电容器块（122），可操作以在第二采样阶段期间对第二差分输入信号进行采样，并且在第二驱动阶段期间驱动放大单元。

公开(公告)号：WO2009138635A1

公开(公告)日：2009-11-19

申请号：PCT/FR2009/050711

申请日：2009-04-16

Applicant: STMICROELECTRONICS SA ,  CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) ,  CATHELIN, Andreia ,  FLAMENT, Axel ,  KAISER, Andreas

Inventor： CATHELIN, Andreia ,  FLAMENT, Axel ,  KAISER, Andreas

IPC: H03F1/02 ,  H03F3/60 ,  H03H15/00 ,  H04B1/00 ,  H04B1/04

CPC classification number: H04B1/0483 ,  H03F3/2175 ,  H03F3/602

Abstract: Circuit intégré, incorporant un dispositif électronique (PA), comprenant des moyens d' entrée (BE) pour recevoir un signal numérique (SCH) radiofréquence, des moyens de sortie (BS) aptes à délivrer un signal analogique radiofréquence (SARF), et un étage de traitement couplé entre les moyens d'entrée et les moyens de sortie et comportant plusieurs voies de traitement (VTi) en parallèle, chaque voie de traitement (VTi) incluant un bloc de commutation de tension (BLCi) dont l' entrée est couplée aux moyens d' entrée et une ligne de transmission (LTi) sensiblement du type quart d'onde à la fréquence du signal analogique radiofréquence couplée en série entre la sortie du bloc de commutation de tension et lesdits moyens de sortie.

Abstract translation: 集成电路，包括电子设备（PA），包括用于接收射频数字信号（SCH）的输入装置（BE），能够传送射频模拟信号（SARF）的输出装置（BS））和耦合的处理级 在输入装置和输出装置之间并且包括几个并行处理通路（VTi），每个处理通路（VTi）包括其输入耦合到输入装置的电压切换块（BLCi）和基本上为 四分之一波形在射频模拟信号的频率上串联耦合在电压切换块的输出和所述输出装置之间。

公开(公告)号：WO2009047266A1

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：PCT/EP2008/063468

申请日：2008-10-08

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  STMICROELECTRONICS SA ,  CASSET, Fabrice ,  DURAND, Cédric

Inventor： CASSET, Fabrice ,  DURAND, Cédric

IPC: H03H9/02 ,  H03H3/007

CPC classification number: H03H9/02259 ,  H03H3/0072 ,  H03H9/2436 ,  H03H9/2463 ,  H03H2009/02496 ,  H03H2009/02503

Abstract: Il s'agit d'un composant électromécanique vibrant à l'échelle nanométrique ou micrométrique comportant un élément mécanique vibrant (1) qui coopère avec au moins une électrode dite de détection (2). L'électrode de détection (2) est souple et est destinée à vibrer en opposition de phase par rapport à l'élément mécanique vibrant (1). Application aux résonateurs ou aux capteurs de mouvement.

Abstract translation: 本发明涉及一种在纳米级或微尺度上振动的机电部件，其包括与至少一个所谓的检测电极（2）相互作用的振动机械部件（1）。 检测电极（2）是柔性的并且可以相对于振动机械构件（1）相对振动。 本发明可用于谐振器和运动检测器。

公开(公告)号：WO2008012462A2

公开(公告)日：2008-01-31

申请号：PCT/FR2007/051700

申请日：2007-07-20

Applicant: STMICROELECTRONICS SA ,  LA ROSA, Francesco

Inventor： LA ROSA, Francesco

IPC: G11C27/00 ,  G11C7/10

CPC classification number: G11C7/06 ,  G04F10/10 ,  G11C7/062

Abstract: L'invention concerne un procédé et un circuit de lecture d'un élément électronique de rétention de charges (10) pour une mesure temporelle, du type comportant au moins un élément capacitif (C1, C2) dont le diélectrique présente une fuite et un transistor à borne de commande isolée (5) de lecture des charges résiduelles, le circuit de lecture comportant : deux branches parallèles entre deux bornes d'alimentation, chaque branche comportant au moins un transistor d'un premier type (P1, P2) et un transistor d'un deuxième type (N3, 5), le transistor du deuxième type de l'une des branches étant constitué par celui de l'élément à lire et le transistor du deuxième type de l'autre branche recevant, sur sa borne de commande, un signal (VDAC) en escalier, les drains respectifs des transistors du premier type étant connectés aux entrées respectives d'un comparateur (135) dont la sortie (OUT) fournit une indication du niveau de tension résiduel dans l'élément de rétention de charges.

Abstract translation:

本发明涉及一种方法 和的一个读电路的éL E包换é负载（10），用于进行时间测量，所述类型的，其包括至少一个E L E包换电容（C1，C2），其二的DE电子řé张力 电气呈现泄漏和晶体管。 （5），用于读取残余电荷，所述读取电路包括：在两个供电端子之间的两个并联分支，每个分支包括至少一个第一类型的晶体管（P1， P2）和第二类型的晶体管（N3,5），形成第二类型的一个分支的晶体管。 由那个“ 读和第二＆egrave的晶体管;我类型的其他分支接收的，其控制端子，在步骤信号（VDAC）上，所述第一类型E的晶体管作为连接（E S）中，以输入的各自的漏极éES各自d 其输出（OUT）提供电荷保持元件中的剩余电压电平的指示的比较器（135）。