公开(公告)号：WO2003017361A1

公开(公告)日：2003-02-27

申请号：PCT/FR2002/002886

申请日：2002-08-14

Applicant: STMICROELECTRONICS SA

Inventor： MALLARDEAU, Catherine ,  MAZOYER, Pascale ,  PIAZZA, Marc

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10882 ,  H01L27/10888

Abstract: Circuit intégré comprenant des transistors formés dans un substrat 3, une couche d'isolant 105 recouvrant les transistors et un condensateur C dont la base de l'électrode inférieure 126 est au niveau de l'interface supérieur de la couche d'isolant 105. Des plots métalliques débouchant de part et d'autre de la couche isolante 105 permettent d'une part la connexion de l'électrode inférieure du condensateur à un composant du circuit intégré et d'autre part la réalisation de connexions électriques de composants adjacents du circuit intégré.

Abstract translation: 本发明涉及一种集成电路，包括：设置在基板（3）中的晶体管; 覆盖晶体管的绝缘层（105）; 和电容器C，所述电容器的下部电极（126）的基底设置在绝缘层（105）的上部界面处。 从绝缘层（105）的任一侧延伸的金属销用于将电容器的下电极连接到集成电路的部件，并提供与集成电路相邻的部件的电连接。

公开(公告)号：WO2003017360A1

公开(公告)日：2003-02-27

申请号：PCT/FR2002/002885

申请日：2002-08-14

Applicant: STMICROELECTRONICS SA ,  MALLARDEAU, Catherine ,  MAZOYER, Pascale ,  PIAZZA, Marc

Inventor： MALLARDEAU, Catherine ,  MAZOYER, Pascale ,  PIAZZA, Marc

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10894 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

Abstract: Ce circuit intégré comprend un condensateur (23) formé au-dessus d'un substrat (1) à l'intérieur d'une première cavité dans un matériau diélectrique et comprenant une première électrode, une deuxième électrode, une fine couche diélectrique disposée entre les deux électrodes et une structure (7) de raccordement du condensateur. La structure de raccordement est formée au même niveau que le condensateur dans une deuxième cavité plus étroite que la première cavité, ladite deuxième cavité étant entièrement comblée par une prolongation de l'une au moins des électrodes du condensateur.

Abstract translation: 本发明涉及一种集成电路，包括：电容器（23），其设置在电介质材料的第一腔内部的衬底（1）的顶部; 第一电极; 第二电极; 设置在两个电极之间的精细电介质层; 以及连接到电容器的结构（7）。 所述连接结构设置在与所述电容器相同的水平处，所述第二空腔比所述第一空腔窄，所述第二空腔由所述电容器的至少一个电极的延伸部完全填充。