公开(公告)号：TW201447936A

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：TW103107399

申请日：2014-03-05

Applicant: 吉林克斯公司 ,  XILINX, INC.

Inventor： 奇里弗 梵希利 ,  KIREEV, VASSILI

IPC: H01F17/00 ,  H03F3/04

CPC classification number: H01F17/0013 ,  H01F41/041 ,  H01L23/5227 ,  H01L28/10 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H03F3/04 ,  Y10T29/4902 ,  H01L2924/00

Abstract: 茲揭示一種用以在積體電路中實施增益級的電路。該電路包含一第一電感器，其係在第一複數個金屬層中所構成；一第二電感器，其係在第二複數個金屬層中所構成，該第二電感器係經耦接於該第一電感器的中央分接點；以及其中該第二電感器的直徑是小於該第一電感器的直徑。茲亦揭示一種用以在積體電路中實施增益級的方法。

Abstract in simplified Chinese: 兹揭示一种用以在集成电路中实施增益级的电路。该电路包含一第一电感器，其系在第一复数个金属层中所构成；一第二电感器，其系在第二复数个金属层中所构成，该第二电感器系经耦接于该第一电感器的中央分接点；以及其中该第二电感器的直径是小于该第一电感器的直径。兹亦揭示一种用以在集成电路中实施增益级的方法。

公开(公告)号：TWI454953B

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：TW099127257

申请日：2010-08-16

Applicant: 吉林克斯公司 ,  XILINX, INC.

Inventor： 奇里弗 梵希利 ,  KIREEV, VASSILI ,  卡普 詹姆士 ,  KARP, JAMES ,  崔恩 托安D ,  TRAN, TOAN D.

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5072 ,  G06F17/5036 ,  G06F17/5077 ,  G06F17/5081 ,  G06F2217/82 ,  H01F21/02 ,  H01F27/28 ,  H01F29/00 ,  H01L25/071 ,  H01L25/16 ,  H01L2924/0002 ,  H03K19/00346 ,  H03K19/017509 ,  H03K19/017545 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201430486A

公开(公告)日：2014-08-01

申请号：TW102129971

申请日：2013-08-22

Applicant: 吉林克斯公司 ,  XILINX, INC.

Inventor： 久村俊之 ,  HISAMURA, TOSHIYUKI ,  哈特 麥克J ,  HART, MICHAEL J.

IPC: G03F1/36

CPC classification number: G03F7/2022 ,  G03F1/00 ,  G03F1/50 ,  G03F7/70466

Abstract: 一種用於多重圖案化積體電路晶粒的層之標線片包括具有用於多重圖案化積體電路晶粒的層的第一佈局圖案之第一部分以及具有用於多重圖案化積體電路晶粒的層的第二佈局圖案之第二部分。第一佈局圖案與第二佈局圖案不同。

Abstract in simplified Chinese: 一种用于多重图案化集成电路晶粒的层之标线片包括具有用于多重图案化集成电路晶粒的层的第一布局图案之第一部分以及具有用于多重图案化集成电路晶粒的层的第二布局图案之第二部分。第一布局图案与第二布局图案不同。

公开(公告)号：TWI442537B

公开(公告)日：2014-06-21

申请号：TW100128513

申请日：2011-08-10

Applicant: 吉林克斯公司 ,  XILINX, INC.

Inventor： 吳 艾弗倫C ,  WU, EPHREM C.

IPC: H01L25/04 ,  H04B1/38 ,  H04L29/06

CPC classification number: H04L49/101 ,  H01L23/147 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/157 ,  H04L49/109 ,  H04L49/405

公开(公告)号：TWI436716B

公开(公告)日：2014-05-01

申请号：TW098139290

申请日：2009-11-19

Applicant: 吉林克斯公司 ,  XILINX, INC.

Inventor： 張 蕾蕾 ,  ZHANG, LEILEI

IPC: H05K3/42

CPC classification number: H05K3/42 ,  H05K1/0366 ,  H05K3/0055 ,  H05K3/16 ,  H05K3/4076 ,  H05K2201/0769 ,  H05K2201/09581 ,  H05K2201/09827

公开(公告)号：TWI433300B

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：TW099110069

申请日：2010-04-01

Applicant: 吉林克斯公司 ,  XILINX, INC.

Inventor： 沙道奇 薛密 ,  SADOUGHI, SHARMIN

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L22/20 ,  H01L29/7843

公开(公告)号：TW201403785A

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：TW102116173

申请日：2013-05-07

Applicant: 吉林克斯公司 ,  XILINX, INC.

Inventor： 權雲星 ,  KWON, WOON-SEONG ,  瑞瑪林嘉 蘇芮戌 ,  RAMALINGAM, SURESH

IPC: H01L23/538

CPC classification number: H01L21/4853 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/75983 ,  H01L2224/75987 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本發明提供一種覆晶堆疊的方法，其包含：形成一空腔晶圓，其包括複數個空腔以及一對轉角導軌；放置一直通矽穿孔(TSV)中介片於該空腔晶圓上，該TSV中介片具有被耦合至該TSV中介片的一表面的多個焊接凸塊，俾使得該等焊接凸塊位於該等複數個空腔中，而該TSV中介片位於該對轉角導軌之間；放置一積體電路(IC)晶粒於該TSV中介片的另一表面上，俾使得該IC晶粒、該TSV中介片、以及該等焊接凸塊會形成一已堆疊的中介片單元；從該空腔晶圓處移除該已堆疊的中介片單元；以及將該已堆疊的中介片單元的該等焊接凸塊黏結至一有機基板，俾使得該已堆疊的中介片單元與該有機基板會形成覆晶。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种覆晶堆栈的方法，其包含：形成一空腔晶圆，其包括复数个空腔以及一对转角导轨；放置一直通硅穿孔(TSV)中介片于该空腔晶圆上，该TSV中介片具有被耦合至该TSV中介片的一表面的多个焊接凸块，俾使得该等焊接凸块位于该等复数个空腔中，而该TSV中介片位于该对转角导轨之间；放置一集成电路(IC)晶粒于该TSV中介片的另一表面上，俾使得该IC晶粒、该TSV中介片、以及该等焊接凸块会形成一已堆栈的中介片单元；从该空腔晶圆处移除该已堆栈的中介片单元；以及将该已堆栈的中介片单元的该等焊接凸块黏结至一有机基板，俾使得该已堆栈的中介片单元与该有机基板会形成覆晶。

公开(公告)号：TWI409835B

公开(公告)日：2013-09-21

申请号：TW098139288

申请日：2009-11-19

Applicant: 吉林克斯公司 ,  XILINX, INC.

Inventor： 昆恩 派翠克J ,  QUINN, PATRICK J.

IPC: H01G4/002

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01G4/012 ,  H01G4/33 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0805 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI387095B

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：TW099114768

申请日：2010-05-10

Applicant: 吉林克斯公司 ,  XILINX, INC.

Inventor： 李 理查C ,  LI, RICHARD C. ,  卡普 詹姆士 ,  KARP, JAMES

IPC: H01L27/04 ,  H02H9/00

CPC classification number: H01L27/0277

公开(公告)号：TW200932071A

公开(公告)日：2009-07-16

申请号：TW097143483

申请日：2008-11-11

Applicant: 吉林克斯公司 XILINX, INC.

Inventor： 安東尼T 道 DUONG, ANTHONY T.

IPC: H05K ,  H01L

CPC classification number: H05K1/0216 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/0262 ,  H05K1/0298 ,  H05K2201/09327 ,  H05K2201/10212 ,  H05K2201/10734

Abstract: 本發明提供一種藉控制PCB平面之堆疊達到降低裝置顫動的模型與方法,以便針對FPGA裡的關鍵核心電壓來最小化FPGA與PCB電壓平面間的電感。再者,本發明還提供一種藉控制封裝基板平面之堆疊達到降低顫動的模型與方法,以便針對晶粒裡的關鍵核心電壓來最小化晶粒與基板電壓平面間的電感。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种藉控制PCB平面之堆栈达到降低设备颤动的模型与方法,以便针对FPGA里的关键内核电压来最小化FPGA与PCB电压平面间的电感。再者,本发明还提供一种藉控制封装基板平面之堆栈达到降低颤动的模型与方法,以便针对晶粒里的关键内核电压来最小化晶粒与基板电压平面间的电感。