公开(公告)号：CN103943681A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201310751573.3

申请日：2013-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋在烈 ,  李浚熙 ,  李惠兰 ,  玄尚镇 ,  姜尚范

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/51 ,  H01L29/6681

Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底上的绝缘膜，所述绝缘膜中包括沟槽；所述沟槽内的栅极绝缘膜；所述栅极绝缘膜上的界面陷阱密度改进膜，所述界面陷阱密度改进膜改进衬底的界面陷阱密度；以及所述界面陷阱密度改进膜上的第一导电类型功函数调整膜。